一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳基芯片能否取代硅基芯片?

h1654155971.8456 ? 來源:EDA365 ? 作者:EDA365 ? 2021-05-10 11:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

最近國產(chǎn)8英寸石墨烯晶圓實現(xiàn)了小批量生產(chǎn),似乎給國產(chǎn)芯片快道超車打了一劑興奮劑。因為理論上來說,只要在石墨烯晶圓上繼續(xù)進(jìn)切片、刻蝕、離子注入等操作,就能繞過光刻機(jī),做出碳基芯片。也就是說,我們國產(chǎn)芯片,終于不用再被別人卡脖子了。但事實能按照我們設(shè)想的進(jìn)行嗎?今天我們將從石墨烯的優(yōu)點和缺點來分析一下碳基芯片到底能否取代硅基芯片?

1

摩爾定律

首先,讓我們回憶一下摩爾定律,簡單來說,就是芯片上的晶體管數(shù)目每隔18-24個月就會增加一倍,性能也會翻一倍。那么,按照摩爾定律,我們的芯片每年都在進(jìn)步,那如果芯片突破了1nm后會發(fā)生什么?

雖然臺積電突破了5nm工藝,但它在2nm工藝研發(fā)中是會遇到瓶頸的,因為受到材料、器件和量子物理的限制,硅基芯片逼近物理極限,就會出現(xiàn)量子隧穿導(dǎo)致的漏電效應(yīng)和短溝道效應(yīng)等問題。

所以隨著摩爾定律逐漸失效,現(xiàn)在的科學(xué)家們都在尋找新材料來取代硅,而其中,石墨烯就是一個不錯的選擇。

2

石墨烯

石墨烯來源于石墨,它是由英國曼徹斯特大學(xué)46歲的安德烈·海姆和30歲的康斯坦丁·諾沃消洛夫共同發(fā)現(xiàn)的。

石墨烯堪稱科學(xué)奇跡,它的厚度只有0.335納米,相當(dāng)于一根頭發(fā)的20萬分之一,但它卻比鋼鐵還硬上200倍,并且,石墨烯的導(dǎo)電性比硅強(qiáng)100倍,導(dǎo)熱性比銅強(qiáng)10倍。所以,石墨烯獨特的材料屬性使它將擔(dān)大任。

如果用石墨烯做成碳基芯片的話,那它的性能將會是硅基芯片的10倍,但功耗卻能降到四分之一,也就是說我們只要用28nm的光刻機(jī),就能獲得全球最先進(jìn)EUV光刻機(jī)的效果。而造碳基芯片仍然面對重重困難。

因為石墨烯的成本高達(dá)5000元1克,目前也只有三星、IBM和英特爾這些科技巨頭才用得起。雖然我國2018年石墨烯產(chǎn)業(yè),規(guī)模達(dá)到111億元,相關(guān)企業(yè)數(shù)量達(dá)到7300多家,但總體經(jīng)營狀況都不樂觀。因為量產(chǎn)石墨烯是非常難的。

3

碳基芯片

我們知道,硅基芯片的極限在1nm左右,而臺積電現(xiàn)在已經(jīng)在攻克2nm工藝了,硅基芯片結(jié)束似乎是遲早的事情,但碳基芯片就不會,它可以做到1nm以下。

我國北大科研人員從2007年就開始研究碳基芯片,功夫不負(fù)有心人,終于在2017年成功制備出5nm柵極碳納米管CMOS器件,其性能是相同柵長硅基的十倍左右,這也是我國第一次掌握了世界最先進(jìn)的晶體管技術(shù)。今年5月,北大團(tuán)隊再次實現(xiàn)了碳基芯片的突破,找到了實現(xiàn)高純度碳納米管整齊排列的新工藝。如今我們8英寸石墨烯晶圓亮相,攻克了讓無數(shù)美國企業(yè),望而卻步的石墨烯提純難題,這說明,我國的碳基芯片發(fā)展到了一個新高度。

碳基芯片雖難,但這條路總算守得云開見月明。接下來就是要和更多的芯片產(chǎn)業(yè)鏈合作,讓碳基芯片完成實用化實現(xiàn)商業(yè)化,打破我國在硅基時代所面臨的困境。

原文標(biāo)題:碳基芯片是如何繞過光刻機(jī),取代硅基芯片的?

文章出處:【微信公眾號:EDA365】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    459

    文章

    52494

    瀏覽量

    440681

原文標(biāo)題:碳基芯片是如何繞過光刻機(jī),取代硅基芯片的?

文章出處:【微信號:eda365wx,微信公眾號:EDA365電子論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    聚智姑蘇,共筑光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

    盛夏姑蘇,群賢薈萃。2025年7月7日至10日,由度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司主辦,西交利物浦大學(xué)協(xié)辦,愛杰光電科技有限公司承辦的“光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校,在蘇州西交利物浦大學(xué)北校區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 07-11 17:01 ?355次閱讀
    聚智姑蘇,共筑<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

    國內(nèi)首條集成電路生產(chǎn)線正式投產(chǎn)運營

    產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。集成電路是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心,廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、智能手機(jī)及各種電子產(chǎn)品中。當(dāng)前市場上主流的芯片主要以為基礎(chǔ),但隨著科技的不斷進(jìn)步,
    的頭像 發(fā)表于 06-18 10:06 ?525次閱讀
    國內(nèi)首條<b class='flag-5'>碳</b><b class='flag-5'>基</b>集成電路生產(chǎn)線正式投產(chǎn)運營

    時代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    ,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代I
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:24 ?305次閱讀
    <b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>時代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    碳化硅VSIGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

    的兩大主流產(chǎn)品,各自擁有獨特的優(yōu)勢與應(yīng)用場景。那么,碳化硅功率模塊與IGBT功率模塊相比,究竟誰更勝一籌?碳化硅是否會取代IGBT成
    的頭像 發(fā)表于 04-02 10:59 ?2480次閱讀
    碳化硅VS<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

    深入解析光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

    在信息技術(shù)日新月異的今天,光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,光子集成技術(shù)不僅融合了電子
    的頭像 發(fā)表于 03-19 11:00 ?1074次閱讀
    深入解析<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>光子<b class='flag-5'>芯片</b>制造流程,揭秘科技奇跡!

    微流控芯片的加工方法和優(yōu)勢

    微流控芯片的加工方法主要包括激光切割、壓印技術(shù)、噴墨打印技術(shù)、層壓技術(shù)和表面改性技術(shù)等。以下是這些加工方法的具體介紹: 激光切割 激光切割是一種利用激光束對材料進(jìn)行切削的加工方法。這種方法具有
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:15 ?427次閱讀

    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計工程師常常會問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng) MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可
    的頭像 發(fā)表于 02-11 13:44 ?548次閱讀
    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    新型的二硒化鉑-異質(zhì)集成波導(dǎo)模式濾波器

    近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實驗室與深圳大學(xué)、香港中文大學(xué)等高校合作,研發(fā)了一個新型的二硒化鉑-異質(zhì)集成波導(dǎo)模式濾波器,成果以“Waveguide-integrated
    的頭像 發(fā)表于 01-24 11:29 ?708次閱讀
    新型的二硒化鉑-<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>異質(zhì)集成波導(dǎo)模式濾波器

    玻璃芯片先進(jìn)封裝技術(shù)會替代Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)嗎

    玻璃芯片封裝技術(shù)會替代Wafer封裝技術(shù)嘛?針對這個話題,我們要先對玻璃封裝進(jìn)行相關(guān)了解,然后再進(jìn)行綜合對比,最后看看未來都有哪些市場應(yīng)用場景以及實現(xiàn)的難點; 隨著未來物聯(lián)網(wǎng)社會高算力需求驅(qū)動
    的頭像 發(fā)表于 01-09 15:07 ?1379次閱讀
    玻璃<b class='flag-5'>基</b><b class='flag-5'>芯片</b>先進(jìn)封裝技術(shù)會替代Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)嗎

    華天科技扇出封裝

    使用昂貴的干法刻蝕設(shè)備和基板材料,具有很大的成本優(yōu)勢,成為各大廠家優(yōu)先布局發(fā)展的戰(zhàn)略方向。 扇出封裝 扇出型晶圓級封裝(embedded Silicon Fan-out,eSi
    的頭像 發(fā)表于 12-06 10:00 ?753次閱讀

    中國科大實現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維量子點陣列

    圖(左)量子點二維陣列器件核心區(qū)的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調(diào)控量子點間最近鄰和次近鄰耦合,從而構(gòu)造出不同的耦合結(jié)構(gòu)。 我校郭光燦院士團(tuán)隊在量子點陣列的二維擴(kuò)展及其耦合可調(diào)性
    的頭像 發(fā)表于 12-03 06:24 ?578次閱讀
    中國科大實現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>量子點陣列

    用于單片集成的外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點激光器研究

    光電子技術(shù)以光電子與微電子的深度融合為特征,是后摩爾時代的核心技術(shù)。光電子芯片可以利用成熟的微電子平臺實現(xiàn)量產(chǎn),具有功耗低、集成密度
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:26 ?1.1w次閱讀
    用于單片集成的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點激光器研究

    綠能刷新光伏晶組件效率世界紀(jì)錄

    近日,隆綠能宣布了一項重大突破。據(jù)國際權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)——德國弗勞霍夫太陽電池研究所最新發(fā)布的認(rèn)證報告顯示,隆綠能自主研發(fā)的HPBC 2.0組件效率達(dá)到了驚人的25.4%,成功打破了晶組件效率的世界紀(jì)錄。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:40 ?899次閱讀

    我國成功點亮集成到芯片內(nèi)部的激光光源

    10月7日,湖北九峰山實驗室在光子集成技術(shù)方面取得了重大突破。2024年9月,該實驗室成功地將激光光源集成到芯片內(nèi)部,這一成就標(biāo)志著國內(nèi)在該領(lǐng)域的首次成功實踐。   此次突
    的頭像 發(fā)表于 10-08 15:22 ?983次閱讀