在技術(shù)和產(chǎn)品上不斷升級(jí)

SLC NAND的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要為提升產(chǎn)品制程以及提高產(chǎn)品的性能。

在制程節(jié)點(diǎn)方面，SLC NAND 領(lǐng)域成熟的工藝水平已經(jīng)達(dá)到1x nm，采用此工藝水平的產(chǎn)品已經(jīng)大量出貨，未來(lái)產(chǎn)品將進(jìn)一步微縮制程。

在產(chǎn)品性能方面，SLC NAND 最重要的性能指標(biāo)是可靠性、功耗、數(shù)據(jù)傳 輸速度等。目前SLC NAND擦寫次數(shù)達(dá)到10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間達(dá)到10年； 在功耗方面待機(jī)電流達(dá)到10μA；在傳輸速度方面，當(dāng)前SLC NAND芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為104MHz。未來(lái) SLC NAND 芯片主要在降低成本和功耗、提升數(shù)據(jù)讀取速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。

根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年中小容量的SLC NAND全球市場(chǎng)規(guī)模大約為16.71億美元，東芯半導(dǎo)體NAND系列產(chǎn)品當(dāng)年實(shí)現(xiàn)銷售1.48億元人民幣，因此可測(cè)算公司產(chǎn)品的全球市場(chǎng)占比約為1.26%。

NOR Flash 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)未來(lái)汽車電子、可穿戴設(shè)備及移動(dòng)終端等領(lǐng)域新興電子產(chǎn)品對(duì)NOR Flash 的性能和功能方面提出了更高的需求，尤其是在優(yōu)化產(chǎn)品的接口上，未來(lái)終端產(chǎn)品中代碼或程序?qū)⒔阊舆t的響應(yīng)速度，要求NOR Flash不斷提升數(shù)據(jù)讀取的速度，目前行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先企業(yè)均在NOR Flash搭載了具有雙倍傳輸速率的SPI接口，數(shù)據(jù)讀取頻率可達(dá)到 200MHz，數(shù)據(jù)讀取速度可達(dá)到 400Mbit/s。同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的產(chǎn)品續(xù)航時(shí)間，NOR Flash 行業(yè)整體表現(xiàn)出功耗指標(biāo)下降的趨勢(shì)，低功耗已經(jīng)成為存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品的重要競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)。

根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年NOR Flash全球市場(chǎng)規(guī)模大約為 27.64 億美元，公司NOR系列產(chǎn)品當(dāng)年實(shí)現(xiàn)銷售 1.66 億元人民幣，因此可測(cè)算公司產(chǎn)品的市場(chǎng)占比約為 0.86%。

早期的DDR工作電壓為2.5V，隨著技術(shù)的提升，DDR3工作電壓降至1.5V及1.35V，接口速度從200MHz提升至800MHz以上。憑借工藝制程的不斷微縮，早期的 DDR 內(nèi)存顆粒制程從0.13μm提升至DDR3的2x nm制程，使得產(chǎn)品的整體功耗呈現(xiàn)降低趨勢(shì)。未來(lái)，DRAM 產(chǎn)品會(huì)繼續(xù)向提升產(chǎn)品制程、提高產(chǎn)品性能的方向發(fā)展。

東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品的市場(chǎng)份額情況，根據(jù) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019 年全球利基型市場(chǎng)規(guī)模大約為55億美元，公司DRAM系列產(chǎn)品當(dāng)年實(shí)現(xiàn)銷售 0.61 億元人民幣，因此可測(cè)算公司產(chǎn)品的市場(chǎng)占比約為0.16%。

與行業(yè)龍頭存在一定差距

從市場(chǎng)地位來(lái)看，目前，境內(nèi)主要從事存儲(chǔ)芯片行業(yè)的企業(yè)包括兆易創(chuàng)新、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、武漢新芯、紫光國(guó)微、普冉股份、芯天下等，公司與其在存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品情況對(duì)比如下：

產(chǎn)品制程是體現(xiàn)公司技術(shù)先進(jìn)性的重要指標(biāo)，同款存儲(chǔ)芯片的制程越小，其成本越低，在市場(chǎng)上更具競(jìng)爭(zhēng)力。目前國(guó)內(nèi)擁有自主研發(fā)設(shè)計(jì)并投片量產(chǎn)的SLC NAND Flash主要為兆易創(chuàng)新，根據(jù)兆易創(chuàng)新年報(bào)披露，其已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 38nm SLC NAND Flash 在中芯國(guó)際的成功量產(chǎn)，同時(shí)公司在中芯國(guó)際投片生產(chǎn)的 SLC NAND Flash 產(chǎn)品制程達(dá)到 24nm；目前國(guó)內(nèi)其他擁有自主研發(fā)設(shè)計(jì)并投片量產(chǎn)的 NOR Flash 的企業(yè)較多，且產(chǎn)品大多制程覆蓋 50-65nm，公司相關(guān)產(chǎn)品的制程達(dá)到48nm；合肥長(zhǎng)鑫作為推出國(guó)內(nèi)首顆DDR4內(nèi)存芯片的公司，其在 DRAM 的設(shè)計(jì)能力較為突出，公司的DDR3產(chǎn)品在性能上與其存在差距。

與行業(yè)龍頭廠商在技術(shù)、市場(chǎng)規(guī)模等方面的差距方面，代表國(guó)際主流技術(shù)水平的廠商主要為三星電子、海力士、美光科技、鎧俠和賽普拉斯等企業(yè)。代表國(guó)內(nèi)主流技術(shù)水平的廠商主要為華邦電子、旺宏電子、南亞科技、兆易創(chuàng)新、合肥長(zhǎng)鑫和復(fù)旦微等企業(yè)。

東芯半導(dǎo)體主要存儲(chǔ)產(chǎn)品SLC NAND Flash、NOR Flash和DRAM的技術(shù)水平與國(guó)際、國(guó)內(nèi)主流技術(shù)水平比較如下：

NAND Flash方面，從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，三星電子和鎧俠2019年度 NAND Flash全球市場(chǎng)份額分別達(dá)到34%和 19%，位列市場(chǎng)的前兩位，公司2019 年度閃存芯片營(yíng)業(yè)收入為3.15 億元人民幣市場(chǎng)規(guī)模占比相比較小，東芯在經(jīng)營(yíng)規(guī)模上與上述企業(yè)具有較大的差距。

目前公司的SLC NAND 量產(chǎn)產(chǎn)品以中芯國(guó)際 38nm 為主，力積電 28nm 產(chǎn)品已量產(chǎn)，中芯國(guó)際24nm產(chǎn)品達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，基于中芯國(guó)際19nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入研發(fā)階段。SLC NAND 領(lǐng)域的龍頭企業(yè)三星電子和鎧俠是IDM模式，其技術(shù)產(chǎn)線成熟，尤其是三星電子產(chǎn)品制程已達(dá)到16nm，公司產(chǎn)品在制程工藝上較行業(yè)龍頭存在一定差距。

NOR Flash方面，根據(jù)CINNO Research資料顯示，2020 年第一季度，華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新和賽普拉斯的 NOR Flash 市場(chǎng)份額分別為 26%、23%、18%和 15%，合計(jì)占比約 82%，其中華邦電子2019 年市場(chǎng)份額位列第一，全年 NOR Flash 出貨量達(dá)到30億顆，NOR Flash銷售收入約為 5.44 億美元。公司2019年NOR Flash出貨量為8,276.45 萬(wàn)顆，產(chǎn)品收入為1.67 億元人民幣，銷售收入方面公司和兆易創(chuàng)新、華邦電子、旺宏電子等廠商尚有一定差距。

從產(chǎn)品體系來(lái)看，華邦電子、旺宏電子的 NOR Flash 已覆蓋 512Kb-2Gb 的完整產(chǎn)品線，兆易創(chuàng)新在2020 年已經(jīng)給客戶發(fā)送了512Mb 到2Gb 的NOR Flash 樣品。公司NOR系列存儲(chǔ)容量覆蓋2Mb至256Mb工藝制程最高達(dá)到48nm，目前主要應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域，但在汽車電子、工業(yè)等領(lǐng)域尚未 形成具備競(jìng)爭(zhēng)力的 NOR Flash 產(chǎn)品，主要系產(chǎn)品的工作溫度范圍等性能指標(biāo)較國(guó)外主流水平具有差距。

DRAM方面，根據(jù)南亞科技2019年度報(bào)告披露，南亞科技銷售DRAM產(chǎn)品收入折合人民幣 117.77 億元，公司2019年度DRAM為 6,087.64 萬(wàn)元，與利基型DRAM行業(yè)龍頭南亞科技在行業(yè)規(guī)模上存在較大差距。同時(shí)，南亞科技專注研發(fā)在消費(fèi)性和低功率等利基型產(chǎn)品，持續(xù)深耕車用、網(wǎng)絡(luò)、客制化等需長(zhǎng)期穩(wěn)定供貨的利基型市場(chǎng)，產(chǎn)品品類齊全，覆蓋 DDR2-DDR4 和 LPDDR-LPDDR4/4X，具備 20nm 產(chǎn)品的量產(chǎn)能力和10nm產(chǎn)品的自主開(kāi)發(fā)能力，與其相比目前公司產(chǎn)品在制程、容量、傳輸速度等方面具有一定差距，因此公司 DRAM 產(chǎn)品的技術(shù)較南亞科技、合肥長(zhǎng)鑫等代表國(guó)內(nèi)主流技術(shù)產(chǎn)品具有代差，亦落后于目前國(guó)外主流的 DDR5和LPDDR5產(chǎn)品。