5月31日，上海證券交易所網站顯示，碳化硅襯底材料企業(yè)山東天岳科創(chuàng)板IPO申請獲得受理，山東天岳成立于2010年，主營業(yè)務是寬禁帶半導體（第三代半導體）碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產和銷售，產品可應用于微波電子、電力電子等領域。

招股書顯示，目前公司主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底。經過十余年的技術發(fā)展，已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核 心技術，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。本次向社會公眾公開發(fā)行新股的募集資金扣除發(fā)行費用后將主要用于碳化硅半導體材料項目。

值得關注的是，華為旗下的哈勃科技是山東天岳的第三大股東，持股比例8.37%，據(jù)企查查資料，山東天岳還曾獲得中微半導體、深創(chuàng)投、先進制造產業(yè)投資基金二期等企業(yè)、機構的投資。

市場地位：半絕緣型碳化硅襯底市場世界前三

碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業(yè)鏈 的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。因其重大的戰(zhàn)略意義，2008 年《瓦森納協(xié)定》就對半絕緣型碳化硅襯底材料進行明確的限制，部分西方發(fā)達國家作為協(xié)定成員國對我國實施嚴格禁運，制約了我國國防和新一代信息通信的發(fā)展，對國家發(fā)展、產業(yè)鏈安全造成嚴重威脅。

在此背景下，山東天岳作為我國碳化硅襯底領域的領軍企業(yè)，在國家亟需的時候，擔當起國家核心戰(zhàn)略物資的保障供應重任，批量供應了半絕緣型碳化硅襯底材料，成功實現(xiàn)該產品的自主可控。根據(jù)國際知名行業(yè)咨詢機構Yole的統(tǒng)計，2019 年及2020年公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

同時，公司分別作為 863 計劃新材料技術領域中導電型碳化硅襯底相關研究 課題和《2013 年新材料研發(fā)及產業(yè)化專項項目》中導電型碳化硅襯底相關項目 的牽頭單位之一，已成功掌握了導電型碳化硅襯底材料制備的技術和產業(yè)化能力。在優(yōu)先保障半絕緣型碳化硅襯底材料戰(zhàn)略供應之余，公司同時進行導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)和小批量銷售，所制備的襯底正在電力電子領域客戶中進行驗證。

未來戰(zhàn)略：做好技術提升、管理提升、穩(wěn)步擴擴大產能

山東天岳是一家國內領先的寬禁帶半導體襯底材料制造商，致力于碳化硅襯底的研發(fā)和生產，截至2020年末，公司擁有授權專利286項，其中境內發(fā)明專利66項，境外發(fā)明專利1項。通過數(shù)千次的研發(fā)及工程化試驗，公司核心技術不斷創(chuàng)新，所制產品已達到國內領先、國際先進水平。

公司已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)技術產業(yè)化能力，報告期內，公司碳化硅襯底產量（各尺寸產量簡單相加數(shù)）合計分別為11,463 片、20,159片和47,538片。為滿足國家戰(zhàn)略需要，公司將報告期內的產能主要用于半絕緣型碳化硅襯底的生產。

未來，為實現(xiàn)公司的愿景目標，滿足不斷擴大的市場需求和國家經濟建設的需要，并積極參與國際競爭，公司制定了清晰的發(fā)展戰(zhàn)略：一是做好技術提升，公司將持續(xù)加大科研投入及人才培養(yǎng)力度，加快推動核心關鍵技術創(chuàng)新升級；二是做好管理提升，公司將不斷完善和優(yōu)化公司的組織管理體系，為公司科學高效的運營管理提供有力保障；三是要通過增加投資、建設智慧工廠的方式穩(wěn)步擴大產能，滿足下游市場需要。

碳化硅半導體行業(yè)的戰(zhàn)略意義

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。目前，碳化硅半導體主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，在民用、軍用領域均具有明確且可觀的市場前景。

同時，我國“十二五”、“十三五”及“十四五”規(guī)劃均已將碳化硅半導體納入重點支持領域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在 5G 基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基 建領域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。

全球寬禁帶半導體行業(yè)目前總體處于發(fā)展初期階段，相比硅和砷化鎵等半導體而言，在寬禁帶半導體領域我國和國際巨頭公司之間的整體技術差距相對較小。另外，由于寬禁帶半導體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環(huán)節(jié)對設備的要求相對較低，投資額相對較小，制約寬禁帶半導體行業(yè)快速發(fā)展的關鍵之一在上游材料端。因此，我國若能在寬禁帶半導體行業(yè)上游襯底材料行業(yè)實現(xiàn)突破，將有望在半導體行業(yè)實現(xiàn)換道超車。