關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對(duì)于其標(biāo)稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不同的應(yīng)用場合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如大功率的大電流大電壓中對(duì)于雜散電感Ls的關(guān)注就比較多，而小功率中可能就不會(huì)太看重。今天我們就來聊聊IGBT中涉及到的寄生參數(shù)。

首先，我們?cè)賮砜匆幌翴GBT的實(shí)際等效電路：

上圖是考慮內(nèi)部結(jié)電容的IGBT等效電路，這里我們用G\D\S來表示柵極、漏極和源極，圖中柵-源極間電容為CGS，柵-漏極間電容（反饋電容）CGD由交疊氧化電容COXD以及耗盡層電容CGDJ串聯(lián)構(gòu)成，其中CGS、COXD都為固定值，而CGDJ隨耗盡層寬度即外加電壓的大小而變化。

那我們應(yīng)該如何來提取這些參數(shù)呢？

由于IGBT內(nèi)部存在結(jié)電容，當(dāng)對(duì)其施加一定dv/dt時(shí)，內(nèi)部電容充、放電都會(huì)產(chǎn)生位移電流，這時(shí)即使IGBT柵極電壓低于門檻電壓處于關(guān)斷的狀態(tài)，在其端口也可以測量到內(nèi)部電容的位移電流。對(duì)采用恒流源電路對(duì)關(guān)斷下的IGBT柵極電容充電，分析其關(guān)斷波形，利用基本的電工原理，可以提取得到IGBT柵極參數(shù)包括：電容CGS、COXD、門檻電壓VT、跨導(dǎo)KP以及柵-漏極交疊面積AGD。

求解公式如下：

式中，AGD為柵-漏極交疊面積；εSi為硅的介電常數(shù)；q為電子電荷量；NB為基區(qū)摻雜濃度V為外加電壓；VGS為柵極電壓。

寄生電感，分別是各極的引線電感，等效分布電感圖如下：

各寄生電感兩端的電壓均遵循電工基本原理，與電感值和電流變化率成正比，分別測量IGBT每個(gè)引腳兩端的電壓變化及電流變化率

變可以根據(jù)下式求得相應(yīng)的寄生電感

雜散電感也是我們理解尖峰電壓產(chǎn)生機(jī)理的關(guān)鍵所在。
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