引言
隨著人工智能,萬物互聯(lián)時(shí)代的到來,數(shù)據(jù)爆炸式增長,當(dāng)前DDR4內(nèi)存帶寬難以滿足發(fā)展迅猛的密集數(shù)據(jù)和密集計(jì)算對帶寬的需求。為了處理這些應(yīng)用帶來的海量數(shù)據(jù)增長,服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心需要更大的內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量。今天想和大家聊一聊如何避免未來服務(wù)器/PC性能“躺平”的技術(shù)—DDR5內(nèi)存技術(shù)。
2020年7月,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式公布DDR5內(nèi)存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)顯示,DDR5內(nèi)存?zhèn)鬏攷拰⑹荄DR4的2倍,內(nèi)存頻率將從4800MHz起,比DDR4官方標(biāo)準(zhǔn)最高頻率3200MHz高出50%,未來可以達(dá)到6400MHz。
根據(jù)各大CUP廠家的規(guī)劃, DDR5最開始支持的CUP平臺主要有桌面級的Intel的12代酷睿Alder Lake系列,服務(wù)器級的Sapphire Rapids-SP系列,預(yù)計(jì)在今年晚些時(shí)候發(fā)布。AMD的平臺主要是Zen4架構(gòu)EPYC,也是下下代的Genoa系列,預(yù)計(jì)在2022年問世。
DDR5主要規(guī)格變動
每代內(nèi)存的更替除了速率和技術(shù)的更新,電壓與功耗的降低也是升級指標(biāo)之一。DDR5內(nèi)存的核心標(biāo)準(zhǔn)工作電壓從DDR 4的1.2V降低至1.1V,允許的波動范圍為3%(即±0.033V)。隨著標(biāo)準(zhǔn)對更高頻率和更低功耗的推動,DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)引入了對內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)方式相當(dāng)重要的改良,將內(nèi)存的電壓調(diào)節(jié)模塊從主板上移植至內(nèi)存PCB上,形成獨(dú)立的穩(wěn)壓器模塊,這個(gè)模塊被稱為PMIC。主板對內(nèi)存的輸入電壓將改為12V/5V的標(biāo)準(zhǔn)電壓,再由PMIC模塊轉(zhuǎn)換為1.1V。這種設(shè)計(jì)能更好的監(jiān)控內(nèi)存芯片的功率、溫度等信息,同時(shí)提升了轉(zhuǎn)換效率和對電壓的控制精準(zhǔn)度。
DDR供電架構(gòu)由之前的多相大電流集中供電變?yōu)殡p相較小電流分布供電,這一架構(gòu)變化對電感形態(tài)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響,電感形態(tài)也由之前大尺寸大電流組裝式電感演變?yōu)樾〕叽绫⌒?,損耗要求非常小的電感。
DDR5電源要求
JEDEC對DDR5的電源管理提出較高的轉(zhuǎn)換效率的要求,對于RDIMM/LRDIMM(for Server) 以及UDIMM/ SODIMM(for Client)的不同應(yīng)用,有不同的PMIC規(guī)范要求,最高電壓轉(zhuǎn)換效率要求達(dá)到90%以上。
PMIC5000 (for RDIMM) 電感要求
/ 圖片來自JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
PMIC5100 (for UDIMM/SODIMM) 電感要求
/ 圖片來自JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
DDR5電感解決方案
為了充分滿足終端客戶在DDR5電感上的需求,順絡(luò)推出全新的WT系列低損耗系列產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)高性能,高可靠性,為DDR5的推廣普及助力。
順絡(luò)電子PMIC5000 (for RDIMM) 的電感解決方案
/ 圖片來自順絡(luò)內(nèi)部
順絡(luò)電子PMIC5100 (for UDIMM/SODIMM) 的電感解決方案
從以上規(guī)格可以看出,WTHE/XE電感產(chǎn)品的規(guī)格遠(yuǎn)高于JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)要求,該系列全新功率電感采用創(chuàng)新的工藝和材料來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品薄型化,高性能和高可靠性,并且針對DDR5的應(yīng)用環(huán)境做專門的優(yōu)化設(shè)計(jì),以便滿足嚴(yán)苛的效率和可靠性要求。
結(jié)束語
DDR5標(biāo)準(zhǔn)將在未來為云端網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算、人工智能以及消費(fèi)級游戲電競領(lǐng)域提供性能和能耗方面的關(guān)鍵性升級。如果說CUP是整個(gè)計(jì)算機(jī)服務(wù)器的大腦,那內(nèi)存作為CUP與外設(shè)的信息緩存交換中心,重要性堪比神經(jīng)脈絡(luò),只有數(shù)據(jù)流通順暢,整體系統(tǒng)才能穩(wěn)當(dāng)起飛。而DDR5標(biāo)準(zhǔn)的出臺將助力整機(jī)系統(tǒng)打通關(guān)鍵“任督二脈”,避免下一代整機(jī)系統(tǒng)性能“躺平”。下一步,DDR5內(nèi)存將推動計(jì)算升級,使先進(jìn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)化為對企業(yè)的強(qiáng)大生產(chǎn)力。
編輯:jq
-
計(jì)算機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
7663瀏覽量
90824 -
電感
+關(guān)注
關(guān)注
54文章
6207瀏覽量
104229 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1807文章
49029瀏覽量
249590 -
DDR5
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
447瀏覽量
24895 -
內(nèi)存頻率
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
14瀏覽量
4509
原文標(biāo)題:起飛!這項(xiàng)技術(shù)將避免服務(wù)器/PC性能“躺平”
文章出處:【微信號:sunlord002138,微信公眾號:順絡(luò)電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄

評論