在近日發(fā)布的長光華芯招股說明書中，我們可以發(fā)現(xiàn)華為哈勃投資入股了長光華芯，持有其4.98%股份。華為布局激光雷達產業(yè)鏈的目的不言而喻，也使得長光華芯有望進入華為激光雷達產業(yè)鏈。另外，華工科技間接持有長光華芯5.64%的股份。

華為布局，長光華芯或入伙產業(yè)鏈

早在2016年，華為就開始布局激光雷達市場，進軍汽車芯片領域。華為訪問了大量的TOP車企，傾聽對激光雷達產品的需求，同時遍尋產業(yè)鏈廠家，經過半年的調研明確了方向：要做一款高性能、車規(guī)級、能夠大規(guī)模量產的激光雷達，即選擇從難度比較大的前裝量產的產品化而進行開發(fā)。

2019年，華為正式成立了智能汽車解決方案BU部門，2020年11月，該部門正式并入消費者業(yè)務部門。此舉也被視為是其智能汽車解決方案從2B走向2C。同時，華為再次強調了，華為不造整車，而是聚焦ICT技術，幫助車企造好車，造好車，成為智能網聯(lián)汽車的增量部件提供商。直到T10 ICV CTO峰會上，華為才首次面向行業(yè)正式發(fā)布了其車規(guī)級高性能激光雷達產品和解決方案。

激光雷達、毫米波雷達和攝像頭被視為是智能網聯(lián)汽車的大三關鍵部件。但相比毫米波雷達和攝像頭，激光雷達在目標輪廓測量、角度測量、光照穩(wěn)定性、通用障礙物檢出等方面都具有極佳的能力。因此，激光雷達也被視為是一個巨大的增量市場。

而VCSEL正是汽車激光雷達的重要市場，有望引領下一輪增長。而全球頂尖半導體激光器公司如Lumentum、II-VI（貳陸）、AMS（艾邁斯半導體）等，都擁有完整的芯片生產工藝平臺，能夠高效地控制工藝流程，縮短芯片研發(fā)和改良周期。

我國的高功率半導體激光芯片一直受外延生長技術、腔面鈍化技術以及器件制作工藝水平的限制，導致國產芯片的功率、壽命方面較國外先進水平尚有較大差距。因此，外延和芯片制造才是技術門檻較高的、制約芯片國產化的關鍵環(huán)節(jié)，而這里最核心的肯定還是芯片制造工藝。當前國內在超高功率邊發(fā)射激光器芯片和VCSEL芯片方面具備量產化制造能力的只有長光華芯的FAB工廠。

長光華芯自2012年成立，就一直致力于高功率高亮度半導體激光芯片的研發(fā)和量產，是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產高功率半導體激光芯片的公司，基于高能芯片成熟的平臺，2018年2月，長光華芯專項成立了VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）事業(yè)部，并在短短6個月不到的時間內就攻克了材料外延生長的精確控制、穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題，并提前布局擁有自主知識產權的完整工藝平臺和6英寸VCSEL生產線。

目前，長光華芯的VCSEL已經推出距離傳感器、結構光（SL）、飛行時間（ToF）三大類產品，標準產品的波長包含808 nm、850 nm、940 nm等。這些產品可廣泛應用于距離傳感、人臉識別、手機3D傳感、機器人、汽車激光雷達、光通訊、原子鐘、安防照明等領域?；谥苯语w行時間（dToF）技術更是將器件光電轉換效率超過了50%。

長光華芯目前已建成從芯片設計、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產高功率半導體激光器芯片的公司，整個工藝平臺擁有完全自主知識產權。這也為華為打造國產化產業(yè)鏈奠定了基礎。

哈勃投資定增入股，華工科技間接持股

作為華為旗下主要的投資機構，哈勃投資自成立兩年以來陸續(xù)投資了超過30家公司，涉及范圍涵蓋芯片、原材料、電池技術，以及新能源汽車功率半導體等多個領域，其中超過半數(shù)與半導體芯片相關，投資標的包括杰華特微電子、東微半導體、縱慧芯片、裕太微電子、山東天岳等公司。

招股書（申報稿）顯示，2020年11月，長光華芯整體變更為股份有限公司，隨即在12月28日召開股東大會，同意公司向哈勃投資定向增發(fā)股份506.5004萬股，增資價格為15.0049元/股，增資金額為7600萬元。定增完成后，哈勃投資持有長光華芯4.98%股份，躋身公司前十大股東。如果按照半年前財務投資者增資價格13.982元/股計算，哈勃投資參與定增時長光華芯的估值增加7.32%。

編輯：jq