環(huán)境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時，隨著電力需求持續(xù)升高，對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導體扮演著極為重要的角色。

功率半導體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能，將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換器功能，還具有改變交流電頻率的變頻器功能，是幫助各類器件實現(xiàn)節(jié)能的重要器件。

相比于傳統(tǒng)的硅（Si）MOSFET和IGBT產(chǎn)品，基于全新碳化硅（SiC）材料的功率MOSFET具有耐高壓，高速開關(guān)，低導通電阻性能。除減少產(chǎn)品尺寸外，該類產(chǎn)品可極大降低功率損耗，從而大幅提升系統(tǒng)的能源效率。SiC MOSFET適用于大功率且高效的各類應用，包括工業(yè)電源、太陽能逆變器和UPS等。

東芝SiC MOSFET參考設計為您的設計添磚加瓦

電動汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設計

3相AC 400V輸入PFC轉(zhuǎn)換器

隨著電動汽車的日益普及，對于高效、緊湊型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求不斷提高?；跂|芝TW070J120B的3相400V交流輸入功率因數(shù)校正（PFC）電路的參考設計實現(xiàn)了97％的功率轉(zhuǎn)換效率，功率因數(shù)可達0.99或更高。該參考設計為諸如電動汽車（EV）充電站等大功率轉(zhuǎn)換器的PFC（柵極驅(qū)動電路、傳感器電路、輸出功率開關(guān)）的提供了一個很好的起點，它可用作原型設計和開發(fā)應用程序的基礎，有助于發(fā)揮全部潛能。

特點：

具有3相圖騰柱配置的無橋配置，可直接切換每一相。

通過將SiC MOSFET用于功率開關(guān)，實現(xiàn)了高功率轉(zhuǎn)換效率。

可以通過調(diào)整柵極驅(qū)動電路的開關(guān)速度來優(yōu)化權(quán)衡效率和EMI。

規(guī)格：

輸入電壓：3相AC 312V至528V

輸出電壓：DC 750V

輸出功率：4.0kW

電動汽車充電站及太陽能發(fā)電機逆變器參考設計

5kW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器

基于東芝TW070J120B的5KW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設計采用雙有源橋（DAB）法，是此類大功率轉(zhuǎn)換器的最受歡迎拓撲之一。DAB拓撲的兩側(cè)均有全橋，以便通過調(diào)節(jié)左右側(cè)橋電路之間的相位差來控制功率方向和大小。這種高度通用的參考設計是開發(fā)諸如電動汽車充電站和太陽能發(fā)電機逆變器等大功率轉(zhuǎn)換應用及原型設計的起點。

特點：

通過DAB方法實現(xiàn)雙向大功率轉(zhuǎn)換。

在高壓側(cè)使用SiC MOSFET實現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。

包括低壓側(cè)MOSFET（TK49N65W5）和柵極驅(qū)動IC（TLP5214A）的整體解決方案。

規(guī)格：

高壓側(cè)：DC 732V至768V

低壓側(cè)：DC 396V至404V

額定功率：5.0kW

東芝TW070J120B—適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET—

TW070J120B采用第2代芯片設計（內(nèi)嵌SiC SBD），具有高耐壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵極電壓閥值閾電壓等特性。在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。

TW070J120B可提供-10V至25V的高柵極電壓閥值（Vth），可預防故障；-10V至25V的柵極-源極電壓（VGSS），支持更簡單的柵極驅(qū)動設計。

隨著東芝在功率半導體器件的研發(fā)不斷深入，未來將有更多優(yōu)質(zhì)的電子器件推向市場，助力電子產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。

編輯：jq