Q1:
關(guān)于IC類(lèi)的可靠性測(cè)試,對(duì)于電性數(shù)據(jù)的測(cè)試項(xiàng)目,有沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)定義呢?那對(duì)于量產(chǎn)測(cè)試項(xiàng)目,有標(biāo)準(zhǔn)定義嗎?datasheet 中的測(cè)試項(xiàng)目又是來(lái)自哪里呢,經(jīng)驗(yàn)/客戶(hù)要求…,這個(gè)地方是否有標(biāo)準(zhǔn)定義呢?
Answer:
通常用量產(chǎn)測(cè)試的FT程序??煽啃詼y(cè)試后的FT程序,通常是QA程序。對(duì)于NAND來(lái)講,可能還要包含高低溫的測(cè)試。車(chē)規(guī)電子需要高低溫測(cè)試,消費(fèi)類(lèi)不需要。
根據(jù)datasheet來(lái),測(cè)試項(xiàng)盡量全部cover,不能cover的要知道原因。具體產(chǎn)品具體分析,比如LDO,它的一些關(guān)鍵參數(shù)必須要測(cè)的:PSRR、load regulation、line regulation、IQ等等。再比如RF產(chǎn)品、LNA類(lèi),量產(chǎn)只測(cè)一些S參數(shù)。它的Noise Figure這些就不會(huì)加入量產(chǎn),因?yàn)榄h(huán)境干擾影響比較大經(jīng)常測(cè)不準(zhǔn)。
Q2:
哪位有車(chē)規(guī)芯片的可靠性要求相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),中英文都行,自己公司執(zhí)行的部分章節(jié)也可以?
Answer:
可以參考AEC-Q100 FAILURE MECHANISM BASED STRESS TEST QUALIFICATION FOR INTEGRATED CIRCUITS。網(wǎng)址:http://www.aecouncil.com./AECDocuments.html。
Q3:
請(qǐng)問(wèn)有什么辦法可以對(duì)芯片開(kāi)路點(diǎn)進(jìn)行定位嗎?
Answer:
簡(jiǎn)單封裝可以逐級(jí)剝離,測(cè)量。逐個(gè)排除法,從封裝到die,針對(duì)分析,問(wèn)題本身就是開(kāi)放性問(wèn)題,一般是從封裝開(kāi)始尋找,樣品多可以封裝和die probe一起開(kāi)始分析,確認(rèn)是die還是封裝的問(wèn)題。如果是die表現(xiàn)出open,一般封測(cè)廠是無(wú)從下手的,這個(gè)只能退回fab來(lái)檢查。
Q4:
做SAT發(fā)現(xiàn)芯片有分層了,不管分層多少是不是都屬于不良品,封裝有問(wèn)題了?芯片是已經(jīng)過(guò)SMT焊到PCB上了,成品到客戶(hù)后,上電半小時(shí)后故障,對(duì)芯片做SAT發(fā)現(xiàn)有分層。但是芯片本身還沒(méi)有完全壞。
Answer:
MSL等級(jí)認(rèn)證并非不容許分層。大致標(biāo)準(zhǔn)為:分層總面積不超過(guò)封裝體面積的10%,且在關(guān)鍵打線(xiàn)區(qū)域沒(méi)有分層。至于soaking時(shí)間、precon工藝不對(duì)等,另作別論。
這是有jedec考核標(biāo)準(zhǔn)的,條件判據(jù)都是公認(rèn)的。問(wèn)原廠要pkg-qual報(bào)告,沒(méi)必要過(guò)多猜測(cè)。懷疑就重做。并非當(dāng)初考核批過(guò)了,生產(chǎn)就無(wú)異常?;蛘吣靡蓡?wèn)批到第三方實(shí)驗(yàn)室吧,比如季豐電子。
Q5:
單顆芯片疊加做ESD試驗(yàn),500v后測(cè)試通過(guò),1000v后測(cè)試通過(guò),1500v后測(cè)試fail。請(qǐng)問(wèn)做完500v和1000v后對(duì)1500v的試驗(yàn)結(jié)果有影響嗎?
Answer:
有越打越強(qiáng)壯的現(xiàn)象,建議每個(gè)電壓?jiǎn)为?dú)打。個(gè)人理解:ESD連續(xù)實(shí)驗(yàn),是要考驗(yàn)產(chǎn)品esd能力還是通過(guò)esd等級(jí):如果摸底考驗(yàn)?zāi)芰?,連續(xù)打可以,如果是為了過(guò)等級(jí),需要參照標(biāo)準(zhǔn)來(lái)執(zhí)行不然會(huì)吃虧;不太會(huì)是像 anneal那樣,越打越強(qiáng)壯吧?每次打esd你判斷是否能通過(guò)只是用iv不是功能測(cè)試,這種情況下有可能產(chǎn)品早就有一些潛在的問(wèn)題,最后實(shí)在扛不住了,達(dá)到iv能夠測(cè)試出來(lái)的能力了;另外有些產(chǎn)品會(huì)有ESD window ,舉例來(lái)說(shuō)過(guò)了1000結(jié)果沒(méi)過(guò)500。
Q6:
有什么國(guó)產(chǎn)的硅片分選機(jī)推薦?指8寸晶圓,可以在線(xiàn)分選,主要就是外觀瑕疵,電阻率,厚度、TTV,BOW,particle等?
Answer:
這些項(xiàng)目應(yīng)該是做wafer substrate的廠商的出廠檢驗(yàn)OQC的項(xiàng)目,國(guó)產(chǎn)wafer substrate的廠商有滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)半導(dǎo)體等,可以打聽(tīng)一下。
Q7:
precon 做哪些測(cè)試?
Answer:
實(shí)驗(yàn)順序:SAT,Bake,Soak,Reflow,SAT。其中Reflow的溫度大小要根據(jù)測(cè)試樣品的封裝大小來(lái)定。溫度的峰值持續(xù)時(shí)間參考JEDEC標(biāo)準(zhǔn),J-STD-020E。
precondition就是模擬產(chǎn)品上班前所能經(jīng)歷的環(huán)境測(cè)試,從庫(kù)房保存(溫濕度)開(kāi)始,經(jīng)過(guò)運(yùn)輸(溫度循環(huán)), 吸收濕氣(MSL),然后上板(過(guò)回流焊)。前后都用超聲來(lái)檢測(cè)是否有分層。
Q8:
芯片框架表C掃分層,有很多黑色的,是什么原因?
Answer:
可能是塑封體表面沾污的雜質(zhì)或者檢查一下SAT機(jī)臺(tái)的鏡頭有無(wú)沾污。還有這個(gè)是sonoscan的機(jī)臺(tái)做的SAT,請(qǐng)調(diào)節(jié)下trigger,這個(gè)黑點(diǎn)可能與這個(gè)參數(shù)有關(guān)。
Q9:
ESD測(cè)試后,發(fā)現(xiàn)Drain to Poly這里有損傷,請(qǐng)教此處損傷機(jī)理是什么?HBM,Gate和Drain端壓差太大嗎?
Answer:
靜電擊穿了。如果這個(gè)現(xiàn)象可以復(fù)現(xiàn),可以再測(cè)試1顆,若還是同樣的管腳失效,那么可以找設(shè)計(jì)部門(mén)一起看下,看看這個(gè)管腳的ESD保護(hù)電路機(jī)制,有沒(méi)有什么缺陷?;蛘咦鱿耇LP,看下這個(gè)管腳的實(shí)際耐壓值。
Q10:
經(jīng)常聽(tīng)說(shuō)分層delamination , 這里怎么理解分層,物理現(xiàn)象是啥?是物理?yè)p傷嗎?
Answer:
物理現(xiàn)象就是分層,在芯片process中會(huì)有很多層film,層間分層,有可能是stress引起,或者其他原因。
Q11:
Leadframe是封裝廠定制吧?
Answer:
FC基本是定制的,除非剛好有一些可以套上去的芯片pad layout。
Q12:
EOS包含哪些可能的方面?過(guò)壓,過(guò)流,大信號(hào)輸入?FA里最常見(jiàn)的就是unknown EOS。EOS的說(shuō)法掩蓋了設(shè)計(jì)、封裝、材料、工藝的問(wèn)題,感覺(jué)是行業(yè)里的規(guī)則。
Answer:
這個(gè)主要是從系統(tǒng)級(jí)引申出來(lái)的,表現(xiàn)在芯片上就是燒壞了。芯片自身設(shè)計(jì)問(wèn)題也會(huì)引起EOS,比如系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)芯片沒(méi)有poe復(fù)位,啟動(dòng)階段芯片會(huì)有短時(shí)間處于時(shí)序不受控狀態(tài),也會(huì)造成EOS。但大部分會(huì)系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)和應(yīng)用以及使用環(huán)境相關(guān)。EOS的介紹,可以參考JEDEC上的魚(yú)骨圖,直接去JEDEC官網(wǎng)搜索EOS就可以找到,或者參考下圖。
Q13:
球做完reflow變成了這樣,會(huì)是什么原因?球表面并沒(méi)有compound,目前切片沒(méi)發(fā)現(xiàn)void。
Answer:
Solder bump的話(huà),有可能風(fēng)大了,也有可能速度快了。
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原文標(biāo)題:季豐電子IC運(yùn)營(yíng)工程技術(shù)知乎 – 21W27
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