（文/程文智）根據(jù)書(shū)本上的定義，兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，就構(gòu)成了一個(gè)電容。當(dāng)兩個(gè)極板之間加上電壓時(shí)，電容就回儲(chǔ)存電荷。

按制造材料的不同可以分為，瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，聚丙烯電容等等。在不久前的Elexcon國(guó)際電子展上，<電子發(fā)燒友網(wǎng)>小編發(fā)現(xiàn)了一款新的電容---硅電容。

根據(jù)村田展臺(tái)上的工作人員介紹，硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝，利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點(diǎn)是介電層使用的是硅材料。



工作人員對(duì)電子發(fā)燒友網(wǎng)表示，村田的高密度硅電容通過(guò)應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實(shí)現(xiàn)了三維化，大幅增加了電容的表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。具體來(lái)說(shuō)，使用的是干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù)，它可以讓通過(guò)SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過(guò)C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù)，從而實(shí)現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

根據(jù)村田官網(wǎng)的介紹，在硅的單晶基板上形成的3D結(jié)構(gòu)上形成單個(gè)MIM和多個(gè)MIM結(jié)構(gòu)（MIM結(jié)構(gòu)是金屬/電介質(zhì)/金屬的多層結(jié)構(gòu)）。

圖：村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)

硅電容的優(yōu)勢(shì)
與其他電容，比如說(shuō)MLCC相比，硅電容有不少好處。因?yàn)槭褂玫氖枪璨牧希璧姆€(wěn)定性能比較好，因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。

還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，硅電容可以做得更小更薄，標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。

還有值得注意的是硅電容是沒(méi)有極性的。



應(yīng)用場(chǎng)景
硅電容可以用在哪些地方呢？由于硅電容的高可靠性、高頻特性及可定制性，它可用于醫(yī)療、光通信、基站和車載市場(chǎng)。村田在本次展會(huì)上主要展示的是硅電容在激光雷達(dá)中的應(yīng)用。