一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器（帶集成MOSFET）的便利性，取而代之使用一個涉及控制器（帶外部MOSFET）的更復雜的解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。

直到最近，需要電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSFET的控制器。轉(zhuǎn)換器盡管設計簡易，布局簡單，物料清單(BOM)中部件更少，具有高可靠性的更高密度解決方案，但通常只能提供有限的電量。

諸如網(wǎng)絡路由器、開關、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應用的耗電量越來越高，需要20A、30A、40A或更多電量，以用于它們的POL設計。然而，這些應用對空間要求極為嚴格，很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于，在一個需要大電流的應用中，您如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器呢？

答案首先考慮最近在MOSFET和封裝技術(shù)方面取得的進展。在一個特定的硅面積內(nèi)，新一代MOSFET（諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET）具有較低的電阻率（Rdson），可提高電流能力。PowerStack?封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET，多層疊加，類似于一個市區(qū)建筑，可在特點的空間內(nèi)放入更多東西。

圖1：控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨特組合與其它并列安放 MOSFET 的解決方案相比，可實現(xiàn)一個尺寸更小、熱性能更佳、電流能力更強、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案。

隨著MOSFET和封裝技術(shù)的最新發(fā)展，德州儀器現(xiàn)在可提供帶集成FET轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品，用于高功率、高密度POL應用。TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器系列，可提供高達40A的連續(xù)電流，并采用40管腳、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。訪問DC/DC端口可了解更多德州儀器產(chǎn)品。那些不得不搬到郊區(qū)的人現(xiàn)在可考慮搬回市區(qū)了！

審核編輯：何安