電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日，有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤的D輪融資，成功入股泰科天潤。SK集團本身具備SiC晶圓廠，但這是SK海力士在中國第一次投資SiC相關項目。

泰科天潤是國內較早入局SiC功率半導體的IDM企業(yè)，在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸SiC晶圓產線。其中，位于湖南瀏陽的廠區(qū)在2019年開始建設，項目一期投資5億元，可實現(xiàn)年產6萬片6英寸SiC晶圓。而在今年7月，泰科天潤宣布6英寸產線已通線，目前規(guī)模線順利投產。


投資不斷，大廠抱團提升SiC產能

數(shù)據(jù)顯示，目前全球SiC晶圓年產能僅在40-60萬片，考慮到目前SiC晶圓的尺寸普遍還處于6英寸，甚至4英寸。所以單片晶圓能夠制造的芯片數(shù)量并不多，這也導致了供應缺口。

對于SiC需求量巨大的新能源汽車行業(yè)來說，以特斯拉Model 3為例，其中的主逆變器需要24個電源模塊，每個電源模塊需要2個SiC MOSFET裸片，即每輛汽車需要有48個SiC MOSFET裸片。

未來平均2輛Model 3就消耗一片6英寸SiC晶圓。按照電動汽車的增長趨勢，全球SiC晶圓產能將遠遠跟不上需求。

SK集團此前預測，到2025年，電動汽車用SiC半導體的使用率將從目前的30%上升到60%以上，SiC晶圓市場規(guī)模將從2021年的2.18億美元擴大到8.11億美元。

而據(jù)TrendForce預測，全球SiC功率市場規(guī)模至2025年將達33.9億美元，年復合成長率達38%。所以，SK集團此前也計劃到2025年，SiC晶圓產能從今年的3萬片增長至60萬片，并將自己的全球市占率從5%提升至26%。他們預計，2021年自家SiC晶圓業(yè)務的銷售額將達到300億韓元（約1.6億人民幣），并計劃到2025年將銷售額提高到5000億韓元（約27億人民幣）。

所以SK集團在近兩年一直在大力投資SiC晶圓。早在去年2月29日，SK集團宣布完成以4.5億美元的價格收購杜邦SiC晶圓事業(yè)部的交易；今年一月，SK集團向韓國SiC功率半導體企業(yè)Yes Power echnologies投資268億韓元；今年9月，SK集團的控股子公司表示，到2025年，將在尖端材料領域投資5.1萬韓元（約合276億人民幣），其中有7000億韓元（約合合37.9億人民幣）用于SiC晶圓；在11月12日，在SK集團向美國商務部提交的數(shù)據(jù)中顯示，SK集團決定未來五年在美國投資超6億美元建設晶圓廠。

除了SK之外，同樣在近日， 全球最大的汽車零部件供應商博世也發(fā)布公告，表示將聯(lián)合歐洲七個國家的34家公司、大學、機構等，其中包括從材料、基板到逆變器和轉換器的供應商，在歐洲打造一條從晶圓到電子設備的完整SiC供應鏈。該項目預算超過1.4億美元，這或許是歐洲建立本土半導體供應鏈的一次嘗試。

而其他大廠近幾年也一直在大力投資增加SiC晶圓、襯底產線，還有通過收購、入股等延伸SiC領域的版圖。

今年8月，安森美宣布以4.12億美元現(xiàn)金收購SiC生產商GT Advanced Technologies，并計劃其原有的產線，推進6英寸和8英寸SiC晶體生長技術量產。

今年5月，英飛凌與昭和電工簽訂了為期兩年的供應合同，內容包括SiC外延片在內的多種SiC材料，英飛凌還對年度最低購買量作出了承諾，這為未來雙方的繼續(xù)合作留下了伏筆。在與英飛凌簽訂合同之后，8月，昭和電工就宣布將投資58億日元用于增加SiC晶片和鋰離子電池組件的生產，增產工程預計于2023年12月完工；9月，昭和電工又宣布與羅姆簽訂了功率半導體用SiC外延片的多年長期合作合同。

而全球最大的SiC供應商Wolfspeed在近期確認，其位于美國紐約州的全球最大SiC晶圓工廠有望將會在2022年初投產，并聚焦于車規(guī)級產品，這也是SiC目前需求最大的細分市場。

有意思的是，剛剛產出首批8英寸SiC晶圓的ST，也在今年8月與Wolfspeed擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅晶圓供應協(xié)議。修訂后的協(xié)議要求Wolfspeed在未來幾年向 ST 提供8英寸SiC裸片和外延片，價值超過 8 億美元。

目前的市場狀況就是，Wolfspeed作為全球最大SiC襯底供應商，為英飛凌、ST等SiC器件廠商供應襯底的同時，又與他們在SiC器件市場上直接競爭。這或許是在SiC產業(yè)發(fā)展階段，大廠相互抱團，希望共同推動SiC器件加速進入市場。

新能源車擁抱SiC，國內產業(yè)加速追趕國際步伐

今年下半年，吉利、蔚來、小鵬都發(fā)布了自己在SiC器件應用方面的計劃。9月蔚來子公司蔚然動力公開了自研SiC功率模塊工藝實驗線的計劃，同時蔚來在明年年初交付的ET7車型也確定使用SiC模塊電控平臺；10月小鵬汽車表示將推出800V SiC平臺，大幅提高充電速度和電驅效率；同月吉利汽車也宣布自研自產的碳化硅功率芯片將于2023年量產。

國內SiC產能在近年在高速擴張，除了SK海力士入股的泰科天潤外，今年9月在科創(chuàng)板IPO成功過會的山東天岳也是國內比較領先的SiC襯底供應商。Yole統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示，2019年以及2020年，山東天岳在全球SiC襯底市場占有率中，僅次于Wolfspeed以及 II-VI排名第三。

不過，山東天岳目前的產品主要是4英寸，6英寸預計到2023年量產，與國際大廠差距較大。

另外，國內LED芯片巨頭三安光電投資160億元的國內首條SiC垂直整合生產線在今年6月正式投產，可月產3萬片6英寸SiC晶圓；晶盛機電在10月發(fā)布公告稱預計募資超過33億元投入到建設6英寸SiC襯底項目，計劃年產40萬片6英寸及以上尺寸的導電型和半絕緣型SiC襯底。

小結：

隨著SiC功率半導體的應用在新能源汽車上逐漸推廣開，未來10年將會是SiC產業(yè)爆發(fā)增長的時期。但相比與硅基半導體，SiC不僅在技術上，在市場、應用方面都需要產業(yè)鏈的共同推進，在競爭中合作，大概會是未來SiC產業(yè)的主旋律。