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SiT3808:1-80MHz任意頻率單端壓控晶振|單端壓控振蕩器 |VCXO

SiTime樣品中心 ? 2021-11-23 11:04 ? 次閱讀

關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。

SiT3808壓控晶振是在市場上靈活、兼容LVCMOS/ LVTTL的壓控振蕩器(VCXO)。SiT3808支持1-80MHz范圍內的任意頻率,牽引范圍從±25ppm到±1600ppmm和封裝形式從2520、3225,5032到7050,與石英壓控OSC管腳兼容。(需要注意的是3225/2520是 4-pin管腳;7050/5032是6-pin管腳)。

SiT3808提供了低于1ps的抖動性能、以及在牽引范圍及線性特性方面10倍優(yōu)于傳統(tǒng)石英VCXO的特性,從而簡化PLL和時鐘同步設計。SIT3808可透過編程改變驅動能力協(xié)助工作人員降低EMI,卓越的斜率(Kv)一致性,能將導因系統(tǒng)PLL效能所造成的差異性達到極小。SiT3808與傳統(tǒng)的石英器件封裝和控制電壓是100%兼容,因此可直接取代VCXO石英振蕩器,無需做任何設計變更。

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SiT3808選型參數(shù)

振蕩器類型:壓控晶振或壓控振蕩器VCXO

頻率:1 - 80MHz之間任意頻率,可精確到小數(shù)點后6位

頻率穩(wěn)定性:±25ppm、±50ppm

相位抖動(rms):0.5ps(典型值)

工作溫度范圍:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +85℃

牽引范圍:±25ppm、±50ppm、±100ppm、±200ppm、±400ppm、±800ppm、±1600ppm

電源電壓:1.8V、2.5V、2.8V、3.3V

封裝類型:2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

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SiT3808特點

電源電壓 1.8 V 2.5V 2.8V 3.3V

頻率穩(wěn)定性從 ±25 ppm 至 ±50 ppm

牽引范圍從 ±50 ppm 至 ±200 ppm

定制規(guī)格以獲得最佳系統(tǒng)性能

在操作范圍內具有任何規(guī)格的現(xiàn)成產(chǎn)品

<1% 牽引范圍線性度

軟件控制的 PLL 中更簡單的環(huán)路控制

在工作范圍內更一致的 PLL 帶寬

更快的校準和鎖定時間

減少調制諧波

更嚴格的 PLL 帶寬和更簡單的系統(tǒng)設計

100% 替換石英 VCXO,無需任何設計更改


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關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。


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