芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
發(fā)表于 07-07 15:53
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我只用了cusb2.0線路,usb3.0相關(guān)引腳都懸空。同樣程序下載到開(kāi)發(fā)板芯片溫度正常。請(qǐng)問(wèn)什么原因會(huì)導(dǎo)致芯片發(fā)燙?
發(fā)表于 05-21 06:41
HDMI接口芯片 失效原因分析和改善措施 ? ? HDMI,全稱 High Definition Multimedia Interface, 即高清多媒體接口。自問(wèn)世以來(lái),HDMI 歷經(jīng)了多次版本
發(fā)表于 05-09 11:16
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芯片底部填充膠(Underfill)在封裝工藝中若出現(xiàn)填充不飽滿或滲透困難的問(wèn)題,可能導(dǎo)致芯片可靠性下降(如熱應(yīng)力失效、焊點(diǎn)開(kāi)裂等)。以下是系統(tǒng)性原因分析與解決方案:一、原因分析1.材
發(fā)表于 04-03 16:11
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最近和某行業(yè)大佬聊天的時(shí)候聊到芯片流片失敗這件事,我覺(jué)得這是一個(gè)蠻有意思的話題,遂在網(wǎng)上搜集了一些芯片流片失敗的原因,放在這里和大家一起分享。1.Design的版本拿錯(cuò),這個(gè)問(wèn)題比較要命,如果ROM
發(fā)表于 03-28 10:03
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2.5D封裝領(lǐng)域,英特爾的EMIB和臺(tái)積電的CoWoS是兩大明星技術(shù)。眾所周知,臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能緊缺嚴(yán)重制約了AI芯片的發(fā)展,這正是英特爾EMIB技術(shù)可以彌補(bǔ)的地方。本文我們將以英特爾EMIB為例,深入解析2.5D封裝之所以能成為AI
發(fā)表于 03-27 18:12
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了解HX1117穩(wěn)壓器芯片的發(fā)熱原因,并學(xué)習(xí)如何通過(guò)合理的散熱策略來(lái)保持其穩(wěn)定工作。
發(fā)表于 03-05 17:01
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不知道什么原因,外擴(kuò)AD芯片一直燒TMS320F28335芯片。
想問(wèn)下,IOVDD接3.3v電壓,out的輸出口不接50歐姆電阻(實(shí)際電路板都沒(méi)接50歐電阻),其輸出電壓以及電流會(huì)不會(huì)超過(guò)TMS320F28335的I/
發(fā)表于 02-12 07:47
失效原因提供了關(guān)鍵線索。 ? 窺探芯片電學(xué)特性的窗口 IV 測(cè)試,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是通過(guò)對(duì)芯片施加不同的電壓,并測(cè)量相應(yīng)的電流變化,從而繪制出芯片的電流-電壓特性曲線。這條曲線就像是
發(fā)表于 11-21 17:13
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的常見(jiàn)原因 1. 硬件故障 1.1 物理?yè)p壞 ROM芯片可能因?yàn)槲锢頉_擊、高溫、濕度、腐蝕等因素而損壞。這些因素可能導(dǎo)致芯片內(nèi)部電路斷裂或短路,從而造成數(shù)據(jù)丟失。 1.2 老化 隨著時(shí)間的推移,ROM
發(fā)表于 11-04 10:29
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請(qǐng)教TI的各位FAE,我現(xiàn)在用兩顆TAS5711做2.1,開(kāi)機(jī)后,在不播放音樂(lè)的情況下,5711芯片溫度迅速升高,如果播放音樂(lè)一段時(shí)間,溫度更是燙的離譜,達(dá)到80多度,開(kāi)始懷疑是輸出網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)沒(méi)有
發(fā)表于 10-21 07:37
采用貴司TPA3116功放芯片,播音會(huì)有異音,通過(guò)抓取波形圖形如下:
將其中有尖峰的部分放大之后的波形如下:
可以確定輸入到功放的信號(hào)是沒(méi)有問(wèn)題的,有時(shí)會(huì)出1處波形異常,也有時(shí)會(huì)現(xiàn)2處波形異常
發(fā)表于 10-11 08:01
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的電子設(shè)備尤為重要。低功耗特性能夠延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命
發(fā)表于 09-18 09:20
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接地,一端接Rsense其中一側(cè)RS+/RS-),電壓有效值為10.7V,最大值為14V。
請(qǐng)問(wèn)是什么原因導(dǎo)致芯片出現(xiàn)這種現(xiàn)象的呢?有其他解決方法嗎?
發(fā)表于 09-09 07:23
12V.單電源供電。從內(nèi)部電路分析看因是Q4三極管短路才會(huì)引起LM358短路。不知什么原因引起LM358芯片內(nèi)部電路短路,即Q4三極管短路?
發(fā)表于 08-16 11:53
評(píng)論