芯片制作的過程大體包括沙子原料的提純、拉晶(硅錠)、切片(晶圓)、光刻,蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試等諸多步驟,而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過程。
在一個(gè)芯片中,需要分別制作出n型MOS晶體管與p型MOS晶體管。在各自的晶體管制作區(qū)域,以適當(dāng)?shù)臐舛鹊淖⑷敫鱾€(gè)晶體管所需的雜質(zhì)(n型MOS: p井,n溝道; p型MOS: n井,p溝道)。 另外,可通過追加摻入不同的雜質(zhì)及不同濃度的劑量來分別制作不同電壓/特征的晶體管。由于閘形成的尺寸也會(huì)對(duì)晶體管的性能產(chǎn)生重要影響,因此有必要對(duì)光刻膠形成以及柵極蝕刻進(jìn)行嚴(yán)格的尺寸管理。 并且,利用CVD法來沉積多晶硅可形成柵電極。
晶體管級(jí)別,六個(gè)晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑,但事實(shí)上可能包含20多層復(fù)雜的電路,放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò),形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。
經(jīng)過一道道工藝之后,晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的,組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過程,這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。
本文整合自:半導(dǎo)體行業(yè)觀察、雪球網(wǎng)
審核編輯:符乾江
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