允許兩個晶體管容納在一個晶體管的面積內(nèi),同時提升性能并降低功耗。然而,CFET 的生產(chǎn)難度極高,因此像 Imec 這樣的
發(fā)表于 06-20 10:40
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個
發(fā)表于 05-22 16:06
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當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管
發(fā)表于 05-16 17:32
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內(nèi)建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷,如圖:
該晶體管由兩個PN結(jié)組成,第一個晶體管PN結(jié)在外加電場下正向偏置,減小了內(nèi)建電場,當(dāng)通入的電
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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達林頓晶體管(Darlington Transistor),或稱達林頓對(Darlington Pair),是電子學(xué)中一種由兩個(甚至多個)雙極性晶體管(或其他類似的
發(fā)表于 09-29 15:42
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PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。其飽和狀態(tài)是PMOS晶體管操作中
發(fā)表于 09-14 17:04
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晶體管的極性,是一個在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性,我們需要從其定義、分類、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實際應(yīng)用中的意義等多個方面進行深入探討。
發(fā)表于 09-14 15:39
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CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計領(lǐng)域,它涉及到多個方面的考量,包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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一個晶體管的spice模型,可以導(dǎo)入TINA嗎?謝謝
發(fā)表于 08-26 06:30
C類放大器晶體管耐壓多少,這個問題涉及到晶體管的工作原理、C類放大器的工作原理、晶體管的參數(shù)以及C類放大器晶體管的選型等多個方面。 晶體管的
發(fā)表于 08-01 14:45
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晶體管和場效應(yīng)管是兩種非常重要的電子控制器件,它們在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 一、晶體管 晶體管的工作原理
發(fā)表于 08-01 09:14
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