二氧化硅層在芯片中有何作用
二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料，屬于光波導，不屬于半導體也不屬于導體，導體就是我們通常所說的電導體。其二氧化硅膜可以制作成一種集成電路器件。
二氧化硅在晶體管和集成電路中主要作雜質(zhì)擴散的掩蔽膜和保護層。二氧化硅在集成電路制作的過程中，可以阻止雜質(zhì)擴散。
二氧化硅主要的作用是隔離（ isolation），例如在mos和mos之間，metal和metal之間的隔離就需要二氧化硅。
另外就是IC生產(chǎn)過程中的imp blocking.
本文綜合整理自xpw432、yeumgixun、sedic
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52471瀏覽量
440394 -
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5423文章
12041瀏覽量
368313 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10018瀏覽量
141561
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負極沒有？
為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會出現(xiàn)電流
晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴格控制每個工藝參數(shù)，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
VirtualLab Fusion應用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數(shù)，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
發(fā)表于 06-05 08:46
呼氣末二氧化碳監(jiān)測中的傳感器應用
01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳（ETCO2）是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳壓（PETCO2）或二氧化碳濃度(CETCO2），已經(jīng)被認為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動
二氧化碳光聲傳感技術(shù)
室內(nèi)CO2濃度高通常是人類存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳，如果環(huán)境通風不暢，二氧化碳會在室內(nèi)積聚。而且，現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導致二氧化碳的增加。例如，減少消耗和加熱或
芯片制造中的二氧化硅介紹
二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用
Low-K材料在芯片中的作用
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標是通過降低金屬互連線間的寄生電容，解決RC延遲（電阻-電容延遲）和信號串擾問題，從而提升
VirtualLab Fusion應用：氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜（VASE）分析
VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅（SiO2）涂層上的使用。對于系統(tǒng)的參數(shù)，我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）概述。I.
發(fā)表于 02-05 09:35
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真
轉(zhuǎn)換器。[2]
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器
發(fā)表于 01-08 08:51
紅外 CO2（二氧化碳） 氣體傳感器和分析模組
隨著科技的進步，人們對于生活以及身體健康關(guān)注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分，與人類生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2（二氧化碳）氣體，監(jiān)測CO2（二氧化碳）氣體至關(guān)重要。CO2（二
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真
轉(zhuǎn)換器。[2]
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器
發(fā)表于 12-11 11:27
偏硼酸鋰熔融－電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測定有色金屬礦中二氧化硅
存在，且金屬元素含量高、種類多，具有較高的研究價值。除了需要對有色金屬礦石中的多種元素進行研究外，作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合，也是影響礦石價格的主要參考指標之一，因此，研究有色金屬礦中二氧化硅的測定方法對礦產(chǎn)勘查有著重要影響及指導意義
基于51單片機的二氧化碳濃度檢測調(diào)節(jié)系統(tǒng)仿真
顯示，第一行顯示測得的濃度值，第二行顯示報警閾值；（2）可通過按鍵設(shè)置二氧化碳報警閾值；（3）測得的二氧化碳濃度在正常范圍時，綠燈閃爍，超過報警閾值時，紅燈閃爍，蜂鳴器響，開始聲光報警
二氧化硅薄膜實現(xiàn)增透的原因
二氧化硅薄膜實現(xiàn)增透的原因主要涉及以下幾個方面： 1. 折射率匹配 折射率特性 ：二氧化硅（SiO?）的折射率相對較低，這使得它能夠作為一層有效的增透膜（或稱為減反射膜）。當光線從一種介質(zhì)進入另一種
鍍膜使用二氧化硅的作用
1. 引言 鍍膜技術(shù)是一種在基材表面形成薄膜的技術(shù)，廣泛應用于光學、電子、機械、建筑等領(lǐng)域。二氧化硅作為一種常見的無機材料，因其良好的光學性能、化學穩(wěn)定性和機械強度，在鍍膜技術(shù)中得到了廣泛應用
工商網(wǎng)監(jiān)
評論