東芝推出新款I(lǐng)C芯片可為提升穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力開辟道路
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已向市場(chǎng)推出了“TCK12xBG系列”負(fù)載開關(guān)IC，其靜態(tài)電流[1]顯著降低，額定輸出電流為1A。這些新型IC采用小型WCSP4G封裝，將支持產(chǎn)品開發(fā)者研發(fā)創(chuàng)新功耗更低、續(xù)航更長(zhǎng)的新一代可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。產(chǎn)品今天開始批量出貨。
TCK12xBG系列采用新驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)了0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流[1]。這比東芝目前的產(chǎn)品“TCK107AG”降低了99.9%，效率大幅提升，可大大延長(zhǎng)由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
WCSP4G是專為此產(chǎn)品開發(fā)的新封裝，比TCK107AG小34%左右，僅有0.645×0.645毫米，可以安裝在小型電路板上。它的背面涂層可減少安裝過(guò)程中對(duì)如此微小芯片造成的損傷。
東芝為該系列產(chǎn)品準(zhǔn)備了三種IC：在高電平有效時(shí)開啟自動(dòng)放電的TCK127BG；在高電平有效時(shí)不開啟自動(dòng)放電的TCK126BG；在低電平有效時(shí)開啟自動(dòng)放電的TCK128BG。產(chǎn)品開發(fā)者和設(shè)計(jì)者可自由選擇最適合其設(shè)計(jì)要求的負(fù)載開關(guān)IC。
東芝將繼續(xù)加強(qiáng)低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品，為設(shè)備小型化和能耗降低以及可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。
應(yīng)用
可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、智能手機(jī)（傳感器電源開關(guān)等）
替代由MOSFET、晶體管等分立半導(dǎo)體組成的負(fù)載開關(guān)電路。
特性
超低靜態(tài)電流（導(dǎo)通狀態(tài)）[1]：IQ=0.08nA（典型值）。
低待機(jī)電流（關(guān)閉狀態(tài)）：IQ(OFF)+ISD(OFF)=13nA（典型值）
緊湊型WCSP4G封裝：0.645×0.645mm（典型值），厚度：0.465mm（最大值）
背面涂層可減少電路板安裝過(guò)程中的損壞
注釋：
[1] 在緊湊封裝尺寸為1mm2或更小、額定輸出電流為1A的負(fù)載開關(guān)IC中。東芝調(diào)研，截至2022年1月。
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主要規(guī)格 |
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|
（除非另有說(shuō)明，否則@ Ta=25°C） |
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部件編號(hào) |
TCK126BG |
TCK127BG |
TCK128BG |
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封裝 |
名稱 |
WCSP4G |
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|
尺寸典型值(mm) |
0.645x0.645,
厚度：0.465（最大） |
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|
絕對(duì)
最大
額定值 |
輸入電壓VIN(V) |
-0.3至6.0 |
|||
|
控制電壓VCT(V) |
-0.3至6.0 |
||||
|
輸出電流IOUT(A) |
直流 |
1.0 |
|||
|
脈沖 |
2.0 |
||||
|
功率耗散PD(W) |
1.0 |
||||
|
運(yùn)行
范圍
(@Ta_opr=
-40至85°C) |
輸入電壓VIN(V) |
1.0至5.5 |
|||
|
輸出電流IOUT最大值(A) |
1.0 |
||||
|
特性 |
靜態(tài)電流（導(dǎo)通狀態(tài)）
IQ典型值(nA) |
@ VIN=5.5V |
0.08 |
||
|
待機(jī)電流（關(guān)閉狀態(tài)）
IQ(OFF)+ ISD(OFF)典型值 (nA) |
@ VIN=5.5V |
13 |
|||
|
導(dǎo)通阻抗RON典型值(mΩ) |
@VIN=5.0V, IOUT= -0.5A |
46 |
|||
|
@VIN=3.3V, IOUT= -0.5A |
58 |
||||
|
@VIN=1.8V, IOUT= -0.5A |
106 |
||||
|
@VIN=1.2V, IOUT= -0.2A |
210 |
||||
|
@VIN=1.0V, IOUT= -0.05A |
343 |
||||
|
交流
特性 |
VOUT上升時(shí)間 tr典型值(μs) |
@VIN=3.3V |
363 |
363 |
363 |
|
VOUT下降時(shí)間 tf典型值(μs) |
125 |
32 |
32 |
||
|
導(dǎo)通延遲tON典型值(μs) |
324 |
324 |
324 |
||
|
關(guān)斷延遲tOFF典型值(μs) |
10 |
10 |
10 |
||
|
自動(dòng)放電功能 |
- |
內(nèi)置 |
內(nèi)置 |
||
|
高電平有效 |
高電平有效 |
低電平有效 |
|||
|
樣品測(cè)試和可用性 |
在線購(gòu)買 |
在線購(gòu)買 |
在線購(gòu)買 |
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