,有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因為通過調(diào)控晶體管內(nèi)建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場,通過外加電場來增大或減小
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
(iD),因此是電壓控制器件。 晶體管 : 既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。 利用基極電流(iB)或射極電流(iE)來控制集電極電流(iC),因此是電流控制器件。 二、性能參數(shù) 輸入電阻 : 場效應管的
發(fā)表于 12-09 15:55
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如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管的
發(fā)表于 12-03 09:52
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晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 :
發(fā)表于 12-03 09:46
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通過改變溝道中的電場來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對較低,因為基極需要電流來控制。 場效應管 :輸入阻抗非
發(fā)表于 12-03 09:42
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晶體管反相器是一種常見的電子電路元件,在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用。它通過利用晶體管的放大特性和反相特性,實現(xiàn)了輸入信號和輸出信號的反相。本文將詳細探討晶體管反相器的工作原理、特
發(fā)表于 10-08 16:03
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晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括
發(fā)表于 09-24 17:59
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晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對于理解其工作原理和應用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸入
發(fā)表于 09-13 16:40
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管
發(fā)表于 08-15 11:16
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在探討晶體管的漏極(Drain)與源極(Source)的區(qū)別時,我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管,尤其是場效應晶體管(FET),是一種通過控制
發(fā)表于 08-13 17:16
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晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設(shè)備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
發(fā)表于 07-18 18:15
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NPN晶體管是一種常用的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。 NPN晶體管的基本原理 NPN晶體管是一種雙極型晶體管,由N型半導體和P型半導體交替排列而成。它有三個引腳:基極(B)、集電
發(fā)表于 07-18 15:39
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