電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）2月17日，據(jù)供應鏈消息，美光將NANDFlash合約價格上調(diào)25%，而幾日前，西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NANDFlash的漲價通知。

同時三星正在面臨罷工威脅，芯片產(chǎn)線存在停產(chǎn)風險，種種因素可能造成全球存儲芯片產(chǎn)能下降，這樣看來，新年里存儲芯片第一波漲價潮已經(jīng)是箭在弦上。

三星罷工威脅，美光、西數(shù)漲價

2月9日，因為用于生產(chǎn)NAND芯片的材料受到污染，西數(shù)和鎧俠位于日本四日市和北上的兩座合資工廠停產(chǎn)，大量晶圓報廢，預計最快需要到3月中才能恢復生產(chǎn)。

隨后2月14日，西部數(shù)據(jù)便發(fā)布漲價通知，該公司稱，受此影響，公司的成本在短期內(nèi)顯著增加，因此將立即提高所有NANDFlash的產(chǎn)品價格。不過西部數(shù)據(jù)并未透露漲價幅度。

這次事件使得西部數(shù)據(jù)3D NAND閃存的產(chǎn)量至少減少6.5EB，市場調(diào)查機構(gòu)TrendForce指出，考慮到鎧俠可能也有6.5EB的損失，預計此次事件導致NAND總損失達到13EB，相當于全球一季市場消費量約10%，影響相當大。

或許受到該事件的推動，2月17日，據(jù)供應鏈透露，美光也發(fā)布漲價通知，該公司NAND芯片合約、現(xiàn)貨價格雙雙上漲，合約價格上漲17%至18%，現(xiàn)貨價格上漲25%。

業(yè)界人士認為，該事件將會帶動NAND Flash價格大漲。

與此同時，全球最大的NAND供應商三星，也面臨產(chǎn)線停產(chǎn)風險。2022年2月4日，據(jù)外媒報道，三星電子工會與公司管理層未能就2021年工資達成協(xié)議，工會將向韓國國家勞動關(guān)系委員會申請調(diào)解。

然而2月14日晚，有消息稱，韓國國家勞動關(guān)系委員會決定停止調(diào)解三星電子管理層和工會之間的工資談判。雙方未達成調(diào)解，這意味著三星可能面臨53年來首次大罷工的威脅。

在本周三，工會代表在三星總部附近舉行集會，工會抗議者表示，他們將努力挽救與管理層的工資談判，罷工將是他們的最后手段。

雖然一位工會官員稱“我們不希望在芯片生產(chǎn)線上發(fā)生罷工”，不過一旦真的難以達成協(xié)議，發(fā)生罷工的話，芯片生產(chǎn)線停產(chǎn)的可能性很大。

多起事件疊加，NAND芯片市場或許即將迎來漲價潮，而且或許還包括DRAM，三星也是DRAM的龍頭企業(yè)，數(shù)據(jù)顯示，三星和SK海力士、美光三大廠商一起占據(jù)全球DRAM 94%的市場。

中國市場或受影響最大

從市場需求來看，中國是對NAND Flash需求最大的市場，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年中國NAND閃存市場銷售額占全球37%，其次是美國的31%。

然而從目前的情況來看，國內(nèi)存儲芯片廠商的自主供應能力還比較弱，巨大的市場，絕大部分由美國、日本、韓國的廠商供應。

從全球供應來看，NAND市場方面，三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾六家公司占據(jù)市場的96%，鎧俠、西數(shù)兩家產(chǎn)能占比達32%。

另外，SK海力士正在對英特爾NAND閃存業(yè)務進行收購，第一階段已經(jīng)完成，收購完成后，整個市場供貨格局將會發(fā)生改變，SK海力士的市場占比將會躍居第二，不過整體來看，三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光依然是NAND市場的主導。

這就導致一個問題，中國市場對于這些國際大廠商的依賴嚴重，一旦這些廠商集體漲價，中國企業(yè)也毫無辦法，因為在很多產(chǎn)品上，還沒有形成替代，只能接受高價，而這就使得企業(yè)成本增加，下游產(chǎn)品的售價也將隨之增加。

如果這些大廠因為產(chǎn)能不足，不能供貨，或者交期拉長，而國內(nèi)企業(yè)在國產(chǎn)存儲芯片廠商處又不能采購到合適的產(chǎn)品，將會影響后續(xù)的產(chǎn)品交付，乃至公司的整體運營。

國產(chǎn)廠商能否挑大梁

近幾年，在國家大力發(fā)展芯片的背景下，國產(chǎn)存儲芯片廠商發(fā)展迅速，比如NAND市場的長江存儲、兆易創(chuàng)新、東芯半導體、北京君正等。

其中最有代表性的就是長江存儲，在3D NAND上幾乎追上國際大廠的技術(shù)水平。該公司短短幾年時間就實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。

長江存儲2019年相繼量產(chǎn)了32層、64層3DNAND，隨后在2020年初推出128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品，技術(shù)達到世界先進水平，128層3D TLC NAND也在2020年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

長江存儲在產(chǎn)能提升上也在不斷推進，根據(jù)規(guī)劃2025年達到月產(chǎn)能30萬片，2019年實現(xiàn)月產(chǎn)能2萬片，2021年底達到月產(chǎn)能10萬片，目前長江存儲的市場份額已經(jīng)提升到了2%。

兆易創(chuàng)新也在不斷推動NAND產(chǎn)品進程，據(jù)介紹該公司目前SLCNAND成熟工藝節(jié)點為38nm，24nm工藝節(jié)點已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在向19nm工藝節(jié)點推進，產(chǎn)品覆蓋從1Gb至8Gb主流容量，電壓涵蓋1.8V和3.3V，提供傳統(tǒng)并行接口和新型SPI接口兩個產(chǎn)品系列。

東芯半導體近幾年的發(fā)展也是相當迅速，該公司聚焦中小容量NAND、NOR閃存芯片、DRAM內(nèi)存以及MCP產(chǎn)品，在中小容量閃存芯片市場，與全球同行業(yè)知名公司直接競爭，成為突破海外技術(shù)壟斷的公司之一。

然而國產(chǎn)存儲芯片廠商能否挑起大梁呢？可以說，經(jīng)過過去幾年的技術(shù)攻關(guān)，目前國產(chǎn)存儲芯片廠商可以完成一些替代，在這些產(chǎn)品上，即使美日韓廠商不供應，國內(nèi)企業(yè)也可以采用國產(chǎn)存儲芯片廠商的產(chǎn)品。

然而還是有很多產(chǎn)品類型，目前國內(nèi)廠商還無法供應，以致于即使國際大廠漲價，也只能高價采購，另外國產(chǎn)存儲芯片在產(chǎn)能上還在爬坡，也就是說在產(chǎn)量供應上也存在問題。

整體來看，雖然近幾年國產(chǎn)存儲芯片成長迅速，但在面對美日韓等大廠產(chǎn)能不足、集體漲價的情況下，還是只能束手無策。

存儲芯片的市場很大，尤其隨著汽車電子、5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴等新興領(lǐng)域的不斷發(fā)展，存儲芯片在整個產(chǎn)業(yè)鏈中的重要性越來越明顯。

根據(jù)ICInsights預測，2021-2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅為22.5%、16.2%和21.7%。而據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會預計，2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達6492億元。

面對大規(guī)模的未來市場，國產(chǎn)存儲芯片還需要不斷攻克技術(shù)，在產(chǎn)品和產(chǎn)能上一步步實現(xiàn)突破。而國際大廠頻繁漲價，也讓國內(nèi)企業(yè)認識到更多采用國產(chǎn)存儲產(chǎn)品的安全性，這也有利于國產(chǎn)存儲芯片獲得更多市場實踐的機會。

總結(jié)

市場需求大，而自我供應能力不足，讓中國在存儲市場方面較為被動，而近些年國產(chǎn)存儲芯片廠商迅速發(fā)展，讓美光等企業(yè)也有所擔心，未來在各方的努力下，相信國產(chǎn)存儲芯片自主供應能力將會越來越強，這或許會削弱美日韓等企業(yè)頻繁漲價的念頭，不過路還長。