1?外延的命令epitaxy，參數(shù)及其說明如下：

1.1外延的例子

1.3光刻仿真

?OPTOLITH模塊可對(duì)成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進(jìn)行精確定義

??OPTOLITH提供光阻的庫及其光學(xué)性質(zhì)和顯影時(shí)的特性（這些可根據(jù)需要修改）

??主要的小工藝步驟有：

mask，illumination，projection，filter，layout，Image，bake，expose和develop

go athena

set lay_left=-0.5

set lay_right=0.5

illuminationg.line

illum.filterclear.fil circle sigma=0.38

projectionna=.54

pupil.filterclear.fil circle

layoutlay.clearx.lo=-2 z.lo=-3 x.hi=$lay_left z.hi=3

layout x.lo=$lay_right z.lo=-3 x.hi=2 z.hi=3

imageclear win.x.lo=-1 win.z.lo=-0.5win.x.hi=1

win.z.hi=0.5 dx=0.05 one.d

structureoutfile=mask.strintensity mask

tonyplotmask.str

linex loc=-2 spac=0.05

linex loc=0 spac=0.05

linex loc=2 spac=0.05

liney loc=0 spac=0.05

liney loc=2 spac=0.2

initsilicon orient=100 c.boron=1e15two.d

depositnitride thick=0.035 div=5

depositname.resist=AZ1350Jthick=.8 divisions=30

rate.devname.resist=AZ1350Ji.linec.dill=0.018

structureoutfile=preoptolith.str

tonyplot preoptolith.str

expose dose=240.0 num.refl=10

baketime=30 temp=100

developkimtime=60 steps=6 substeps=24

structureoutfile=optolith.str

tonyplot optolith.str

審核編輯：郭婷