Vishay展示最新MOSFET、IC、無(wú)源元件和二極管技術(shù)

Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??宣布在APEC 2022上展出廣泛的電源管理解決方案，包括其最新的行業(yè)領(lǐng)先的電源IC、無(wú)源元件、二極管和MOSFET技術(shù)，這些解決方案正在為當(dāng)今增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)（包括電子產(chǎn)品）的創(chuàng)新鋪平道路。

Vishay 將重點(diǎn)介紹可為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和 5G 電信應(yīng)用中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換提供最大集成度和效率的電源 IC。亮點(diǎn)將包括符合 PMBus 1.3 標(biāo)準(zhǔn)的 microBUCK? DC /DC 穩(wěn)壓器；用于大電流多相轉(zhuǎn)換器的智能功率級(jí)；和用于 12 V 應(yīng)用的熱插拔 eFuse IC。

為提高汽車(chē)應(yīng)用的功率密度和效率，Vishay 將展示eSMP ?封裝系列中的二極管，包括符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 TMBS ?整流器；用于充電應(yīng)用的600 V FRED Pt ? Gen 5 Ultrafast 和 Hyperfast 整流器；和 650 V 碳化硅 （SiC） 肖特基二極管，采用合并 PIN 肖特基 （MPS） 設(shè)計(jì)。此外，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的業(yè)界首款表面貼裝 XClampR TM瞬態(tài)電壓抑制器 （TVS） 將以極低的鉗位電壓展出。展出的無(wú)源元件將包括種類(lèi)繁多的 Vishay 電容器、電阻器和電感器。精選的 Vishay 電容器將包括用于能量收集和電力線(xiàn)備用應(yīng)用的加固型雙電層儲(chǔ)能器件；符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的薄膜電容器，以應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)；和電力電容器，為牽引和工業(yè)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)等的發(fā)電應(yīng)用提供高可靠性。

驍龍8移動(dòng)平臺(tái)支持三星最新旗艦產(chǎn)品組合Galaxy S22和Galaxy Tab S8系列

高通技術(shù)公司宣布其全新一代驍龍?8旗艦移動(dòng)平臺(tái)正為三星電子最先進(jìn)的全新智能手機(jī)Galaxy S22系列的部分地區(qū)版本和Galaxy Tab S8系列提供支持。憑借先進(jìn)的5G、AI、游戲、影像和Wi-Fi與藍(lán)牙技術(shù)，全新一代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)正引領(lǐng)行業(yè)邁入頂級(jí)移動(dòng)技術(shù)新時(shí)代。

Galaxy S22系列采用了第2代高通3D Sonic屏下傳感器技術(shù)。該傳感器尺寸為8x8mm，旨在支持終端采集比前代方案更大面積的指紋圖像，從而提升用戶(hù)體驗(yàn)。與其他身份認(rèn)證解決方案不同，高通3D Sonic傳感器采用基于聲學(xué)的技術(shù)，可以獲取每位用戶(hù)獨(dú)特的指紋特征。

高通技術(shù)公司高級(jí)副總裁兼手機(jī)業(yè)務(wù)總經(jīng)理Christopher Patrick表示：“我們非常高興能夠延續(xù)與三星的長(zhǎng)期合作，打造消費(fèi)者期待的突破性移動(dòng)體驗(yàn)。作為我們的最新旗艦平臺(tái)，全新一代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)讓這一切成為可能。該平臺(tái)也正在為開(kāi)啟頂級(jí)移動(dòng)技術(shù)新時(shí)代鋪平道路，Galaxy S22系列和Galaxy Tab S8系列等終端就是絕佳的例證?！?/p>

綜合Vishay和高通官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷