ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”

新產(chǎn)品采用了融入ROHM高耐壓工藝技術(shù)和模擬設(shè)計(jì)技術(shù)的控制電路（X電容*5放電功能），即使取消以往必須的既是損耗源又具有防觸電功能的放電電阻，也可以滿足安全標(biāo)準(zhǔn)“IEC 62368”的安全要求。此外，利用自有的低待機(jī)功耗控制技術(shù)（優(yōu)化控制功率半導(dǎo)體的開關(guān)次數(shù)和流經(jīng)隔離變壓器的電流），進(jìn)一步降低了應(yīng)用待機(jī)時(shí)的IC功耗，系統(tǒng)待機(jī)功耗與普通產(chǎn)品相比降低了90%以上，成功地將待機(jī)功耗抑制到17mW（AC輸入230V、輸出功率0W時(shí)）。

新產(chǎn)品是將ROHM的低損耗功率半導(dǎo)體（Super Junction MOSFET， 簡稱“SJ-MOSFET”）和控制電路等一體化封裝的IC，使交流輸入85V～264V、輸出功率到45W的AC/DC轉(zhuǎn)換器的開發(fā)變得更容易。新產(chǎn)品采用表貼型封裝，實(shí)現(xiàn)了過去很難的電路板自動(dòng)安裝；而且還采用特別開發(fā)的控制電路，可以在取消電源輸入端的放電電阻器（待機(jī)時(shí)的損耗源）的情況下也符合“IEC 62368*4”標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)，利用ROHM自有的低待機(jī)功耗控制技術(shù)，使待機(jī)功耗顯著降低。不僅如此，最高的工作電源電壓（VCC）可達(dá)60V，無需降壓用的外部電源電路。與同等性能的普通產(chǎn)品相比，支持自動(dòng)安裝將有助于降低工廠的安裝成本，同時(shí)還將待機(jī)功耗降低90%以上，并減少4個(gè)電源電路器件，從而有助于提高節(jié)能性和可靠性。

高通升級(jí)產(chǎn)品路線圖，在驍龍7系、6系和4系移動(dòng)平臺(tái)中提供更多的功能

高通技術(shù)公司四款移動(dòng)平臺(tái)——驍龍?778G Plus 5G移動(dòng)平臺(tái)、驍龍695 5G移動(dòng)平臺(tái)、驍龍480 Plus 5G移動(dòng)平臺(tái)和驍龍680 4G移動(dòng)平臺(tái)，為高端、中端和入門級(jí)產(chǎn)品帶來更強(qiáng)勁的性能和更多功能，也將為OEM廠商提供更多選擇以滿足當(dāng)前市場(chǎng)需求。

高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān)Deepu John表示：“中端智能手機(jī)預(yù)計(jì)將成為加速5G終端普及的主要驅(qū)動(dòng)力，特別是在新興市場(chǎng)。驍龍產(chǎn)品路線圖中新增的四款移動(dòng)平臺(tái)將為OEM廠商創(chuàng)造絕佳機(jī)遇并提供更多選擇，以持續(xù)滿足客戶對(duì)驍龍5G和4G移動(dòng)平臺(tái)日益增長的需求。”

驍龍移動(dòng)平臺(tái)各個(gè)層級(jí)都呈現(xiàn)出強(qiáng)勁勢(shì)頭。通過將驍龍8系的先進(jìn)特性引入驍龍7系、6系和4系移動(dòng)平臺(tái)中，促進(jìn)了市場(chǎng)對(duì)各個(gè)層級(jí)驍龍移動(dòng)平臺(tái)需求的持續(xù)增長。由于市場(chǎng)對(duì)高端智能手機(jī)的強(qiáng)大需求，僅過去一年，采用驍龍7系移動(dòng)平臺(tái)的終端款數(shù)就增長了44%（包括已經(jīng)發(fā)布和正在設(shè)計(jì)中的終端款數(shù)）。針對(duì)驍龍6系移動(dòng)平臺(tái)，消費(fèi)趨勢(shì)顯示中端智能手機(jī)將成為5G普及的主要驅(qū)動(dòng)力，尤其是在新興市場(chǎng)。此外，在不到一年的時(shí)間里，已經(jīng)有超過85款基于驍龍480的終端發(fā)布或正在開發(fā)中。

綜合羅姆和高通官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷