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SI24R2F大功率2.4G射頻芯片的詳細(xì)介紹

h1654156079.3603 ? 來源:HDN13544288622 ? 作者:h1654156079.3603 ? 2022-03-31 12:04 ? 次閱讀
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目前全國有很多電動車因充電時電池溫度過高,而導(dǎo)致爆炸引起火災(zāi)的情況。作為國內(nèi)RFID行業(yè)的推動者,動能世紀(jì)聯(lián)合中科微向IOT應(yīng)用領(lǐng)域推出新款大功率2.4G射頻芯片,并針對電動車防盜、電動車充電樁市場推出SI24R2F,為電動車標(biāo)簽在防盜的基礎(chǔ)上增加溫度檢測、安全報警等功能,能有效防止電動車被盜及因電池而引起的火災(zāi)發(fā)生。SI24R2F可兼容之前的SI24R2E,且在性能上大大提升。

Si24R2F是一顆工作在2.45GHz ISM頻段,專為低功耗有源RFID應(yīng)用場合設(shè)計(jì),集成嵌入式2.45GHz無線射頻發(fā)射器模塊、64次可編程NVM存儲器模塊以及自動發(fā)射控制器模塊等。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz,共有126個1MHz 帶寬的信道。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源,保證-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

Si24R2F采用GFSK數(shù)字調(diào)制與解調(diào)技術(shù)。數(shù)據(jù)傳輸速率可配置,支持2Mbps、1Mbps和250Kbps 三種數(shù)據(jù)速率。高的數(shù)據(jù)速率可以在更短的時間完成同樣的數(shù)據(jù)收發(fā),因此可以具有更低的功耗。芯片輸出功率可調(diào)節(jié),根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場合配置相應(yīng)適合的輸出功率,節(jié)省系統(tǒng)的功耗。

Si24R2F針對低功耗應(yīng)用場合進(jìn)行了特別優(yōu)化,在關(guān)斷模式下,所有寄存器值與FIFO值保持不變,關(guān)斷電流500nA;在待機(jī)模式下,時鐘保持工作,工作電流為20uA,并且可以在最長130uS時間內(nèi)開始數(shù)據(jù)的發(fā)射。

Si24R2F開啟自動發(fā)射功能,內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC時鐘工作,內(nèi)部TImer計(jì)時器開始計(jì)時,芯片工作在睡眠狀態(tài)下,此時待機(jī)電流僅為500nA。當(dāng)內(nèi)部TImer計(jì)時器計(jì)滿,自動發(fā)射控制器自動完成數(shù)據(jù)從NVM存儲器的裝載與發(fā)射,數(shù)據(jù)發(fā)射完成后,芯片立即進(jìn)入睡眠態(tài)。Si24R2F 的平均功耗非常低,特別適合紐扣電池供電的應(yīng)用系統(tǒng)。操作方便,不需要外部MCU,即可以自動完成數(shù)據(jù)的裝載與發(fā)射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容,掉電后不會丟失,數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下,無需外部高壓,外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程,芯片最大可編程次數(shù)為64次,芯片支持NMV加鎖,防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀,保證用戶數(shù)據(jù)安全。

Si24R2F具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本,不需要外部MCU,僅少量外圍無源器件即可以組成一個有源RFID無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。

典型應(yīng)用原理圖:

SI24R2F大功率2.4G射頻芯片的詳細(xì)介紹

審核編輯:湯梓紅

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