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DRAM面臨庫(kù)存積壓,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

西西 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2022-04-11 11:28 ? 次閱讀
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在各種不利因素尚未紓解前,DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)商仍面臨庫(kù)存積壓?jiǎn)栴},月底到貨亦顯著影響價(jià)格走勢(shì),工廠端補(bǔ)貨態(tài)度普遍并不積極,即便議價(jià)空間擴(kuò)大,此策略仍無(wú)法彰顯任何效力,整體交易情況持續(xù)衰退。

NAND Flash市場(chǎng)整體動(dòng)能停滯,買(mǎi)氣蕭條,多方因素造成供需雙方態(tài)度保守觀望,供應(yīng)端資金鏈緊縮,紛紛主動(dòng)釋出低價(jià)以求套現(xiàn),工廠端則因終端需求不甚明朗,并未積極備貨,顆粒賣(mài)壓逐漸浮現(xiàn),除了Kioxia/Micron特定高容量規(guī)格,仍受SSD需求拉抬,詢(xún)單表現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定,但也仍持續(xù)受限于交期及價(jià)格偏高,雙方交集有限,而其余顆粒價(jià)格表現(xiàn)皆不理想,呈現(xiàn)疲軟滑落姿態(tài)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天推出了新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000,該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking2.0)架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片,支持PCI-E 3.0 x4接口、NVMe 1.3協(xié)議,連續(xù)讀取速度高達(dá)3500 MB/s,最大容量能到2TB,大容量足容設(shè)計(jì)、持久的寫(xiě)入壽命,給消費(fèi)者帶來(lái)更多存儲(chǔ)選擇。

致態(tài)TiPlus5000有512GB、1TB、2TB三個(gè)容量可選,采用DRAMless設(shè)計(jì),支持HMB、SLC Cache、智能溫控等技術(shù),所有容量的連續(xù)讀取速度均可達(dá)到3500MB/s,寫(xiě)入速度512GB是為2700MB/s,1TB的是3100MB/s,2TB的是3200MB/s,隨機(jī)性能方面,三個(gè)容量是4K隨機(jī)讀寫(xiě)IOPS分別為235K/380K、465K/390K、550K/400K,耐久度則是每512GB 300TBW,質(zhì)保期5年。

翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地

4月8日,編號(hào)為G28-2021-0095的中山翠亨新區(qū)國(guó)有建設(shè)用地正式摘牌,莊嚴(yán)科技(廣東)有限公司以11.75億元,成功競(jìng)得該商業(yè)項(xiàng)目用地。這是2022年翠亨新區(qū)推出的首宗公開(kāi)出讓重大招商項(xiàng)目地塊,也是全市首個(gè)以產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)加經(jīng)濟(jì)、科技指標(biāo)約束的商業(yè)用地項(xiàng)目。

莊嚴(yán)控股表示,競(jìng)得用地后,集團(tuán)將依托其自身在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì)和能力,引進(jìn)和培育集成電路研發(fā)、設(shè)計(jì)及其上下游“專(zhuān)精特新”的科技企業(yè),在翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地。

從招標(biāo)公告來(lái)看,該用地項(xiàng)目定位為“灣區(qū)芯城”

DDR5的五大技術(shù)升級(jí)

新一代內(nèi)存DDR5已經(jīng)問(wèn)世,DDR5內(nèi)存主要有以下五大技術(shù)升級(jí)

1、跑得快。從原來(lái)的“2133MHz”跨越式增長(zhǎng)至“4800MHz”,最高可達(dá)到6400MHz,未來(lái)6400MHz也許將成為主流配置水平。

2、DRAM容量提升——容量更大

DDR5時(shí)代,單顆Die的容量上到64Gb的高度。可以這么說(shuō),DDR4時(shí)代容量上最高可達(dá)到32GB,這算是內(nèi)存中的王者級(jí)別了,但是DDR5時(shí)代卻不一樣。

3、工作電壓更低——功耗更低、超頻更強(qiáng):DDR5內(nèi)存工作電壓值最低可以到1.1伏,實(shí)現(xiàn)了20%左右的降低。

4、On-die ECC下放——糾錯(cuò)能力更強(qiáng)、運(yùn)行更穩(wěn)定。

5、雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

文章綜合全球半導(dǎo)體觀察、IT科技發(fā)燒友、超能網(wǎng)、中山網(wǎng)

編輯:黃飛

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