臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

2 納米節(jié)點(diǎn)的時(shí)間表上，魏哲家表示：“我們的 N2 開發(fā)正在進(jìn)行中。我們有信心，N2將繼續(xù)保持我們的技術(shù)領(lǐng)先地位，支持客戶的增長。而且我們?nèi)匀挥?jì)劃在2025年投產(chǎn)。預(yù)生產(chǎn)將在 2024 年開始”。也就是說臺(tái)積電2nm芯片將于2025年量產(chǎn)。

同時(shí)，臺(tái)積電（TSMC）曾對外公開表示，該公司在3nm工藝開發(fā)上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產(chǎn)3nm制程的N3E，比預(yù)計(jì)提前了半年。

N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，推出的時(shí)候?qū)⒊蔀闃I(yè)界最先進(jìn)的PPA和晶體管技術(shù)，同時(shí)也會(huì)是臺(tái)積電另一個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)且持久的制程節(jié)點(diǎn)。

據(jù)悉，在 N2 上臺(tái)積電首次使用 GAA FET（全環(huán)繞柵極晶體管），逐漸取代 finFET （鰭式場效應(yīng)晶體管）。三星已經(jīng)開始使用他們版本的GAA，英特爾計(jì)劃在2024年實(shí)施他們的版本。

文章綜合 cnBeta.COM、CNMO手機(jī)中國

編輯：黃飛