電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì)，2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1,267億美元，其中DRAM和NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模較大，占比分別為53%和44%，NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模25億美元，占比為2%。

當(dāng)然，我們國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的參與感尤其強(qiáng)烈。

把內(nèi)存條價(jià)格拉下馬

自2020年合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM顆粒上市后，一些國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條廠商以其高性價(jià)比打入市場(chǎng)。

比如早幾年，8GB DDR4 2400MHz內(nèi)存條，采用國(guó)外DRAM顆粒，單條的價(jià)格都要600元。

而查閱最近的內(nèi)存條價(jià)格，可以看到8G DDR4 2666MHz采用長(zhǎng)鑫顆粒的內(nèi)存條低至150元以下。

與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品廠商包括了光威、朗科、金泰克、金百達(dá)、七彩虹等等。

雖然說(shuō)DRAM芯片的價(jià)格隨行就市，不過(guò)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)若要快速打進(jìn)市場(chǎng)，以同性能產(chǎn)品但更低價(jià)格的策略，是必不可少的。

這也就能夠直接拉低內(nèi)存條的價(jià)格，讓用戶得到實(shí)惠。

國(guó)產(chǎn)閃存芯片進(jìn)“果鏈”

最近長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND打入蘋果供應(yīng)鏈的消息被媒體廣泛報(bào)道。

消息稱，長(zhǎng)存的3D NAND預(yù)計(jì)最早將于5月開始少量出貨。將應(yīng)用在iPhone SE上面，同時(shí)，蘋果今年秋季將推出的iPhone 14系列也有望采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存芯片。

蘋果供應(yīng)鏈的采用，無(wú)疑是對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND產(chǎn)品最有力的認(rèn)可。

其實(shí)之前，兆易創(chuàng)新的NOR Flash就率先進(jìn)入了蘋果的供應(yīng)鏈，成為蘋果AirPods唯一的NOR Flash供應(yīng)商。

的確，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片從無(wú)到有，已經(jīng)是市場(chǎng)上不可忽視的一股力量。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)地位并不低

據(jù)此前報(bào)道，在2021年上半年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的全球市占已經(jīng)來(lái)到1%，排名第五，長(zhǎng)江存儲(chǔ)全球市占在2020年下半年達(dá)2%。DRAM、NAND Flash市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)的占比還非常小，但已經(jīng)取得突破。

而在Nor Flash方面，國(guó)產(chǎn)芯片的市場(chǎng)情況更好一些。兆易創(chuàng)新在2020年全球NOR Flash市場(chǎng)中市占率達(dá)到15.6%，排名第三，僅次于華邦和旺宏。恒爍半導(dǎo)體2020年NOR Flash 收入占市場(chǎng)規(guī)模比例為1.50%。

在NOR Flash市場(chǎng)，不僅有國(guó)內(nèi)排名第一的兆易創(chuàng)新，還有東芯股份、普冉半導(dǎo)體、恒爍、芯天下、武漢新芯等廠商。

如果看最近上市比較積極的存儲(chǔ)芯片廠商，有不少都是以NOR Flash為主營(yíng)業(yè)務(wù)的。比如，普冉半導(dǎo)體NOR占比達(dá)71%，恒爍NOR占比達(dá)86.56%，此外東芯NOR業(yè)務(wù)有18.8%的占比。

另外，北京君正表示，2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash產(chǎn)品收入在全球市場(chǎng)中分別位居第二位、第七位、第六位。

EEPROM方面，2020年聚辰股份EEPROM產(chǎn)品份額為國(guó)內(nèi)第一、全球第三的供應(yīng)商。國(guó)內(nèi)EEPROM供應(yīng)商還有上海貝嶺、航順等等。EEPROM的市場(chǎng)規(guī)模雖不大，但是國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高。

除了存儲(chǔ)芯片企業(yè)在上市，我們也看到存儲(chǔ)模組廠商的上市進(jìn)度在加快，江波龍、佰維存儲(chǔ)都已準(zhǔn)備上市，江波龍已在創(chuàng)業(yè)板上會(huì)通過(guò)，佰維存儲(chǔ)科創(chuàng)板上市已受理，據(jù)悉時(shí)創(chuàng)意也有上市計(jì)劃。這些存儲(chǔ)模組廠商在國(guó)內(nèi)都是比較靠前的廠商，并且競(jìng)爭(zhēng)力也不容小覷。

與國(guó)際技術(shù)水平逐漸接近

放眼全球的競(jìng)爭(zhēng)，在NOR Flash方面，此前行業(yè)內(nèi)主流NOR Flash產(chǎn)品的工藝節(jié)點(diǎn)為65nm，旺宏48nm量產(chǎn)、華邦46nm量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新也從65nm往55nm切換。2020年以來(lái)東芯、武漢新芯、恒爍、博雅等都實(shí)現(xiàn)了50nm/48nm的NOR Flash量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)技術(shù)水平與國(guó)際廠商差距不大，進(jìn)入50nm時(shí)代國(guó)產(chǎn)NOR Flash的市場(chǎng)機(jī)會(huì)更大。

3D NAND方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，在量產(chǎn)進(jìn)度上晚于三星、美光兩年。美光在2022年1月宣布開始批量出貨業(yè)界首款176層QLC NAND SSD。鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流制造工藝。

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的下一代3D NAND據(jù)稱是192層。當(dāng)初從2018年到2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的技術(shù)躍進(jìn)，也就是說(shuō)跳過(guò)了96層，這樣就很快縮短了與國(guó)際廠商之間的技術(shù)代差。如今長(zhǎng)存128層3D NAND量產(chǎn)大量出貨，在192層3D NAND研發(fā)上與國(guó)際大廠的距離更接近。

那么長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)逐漸同步的時(shí)候，同樣重要的就是更快速地?cái)U(kuò)大市場(chǎng)份額。

國(guó)產(chǎn)DRAM沒有EUV***之痛

根據(jù)臺(tái)媒的報(bào)道，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片。目前合肥長(zhǎng)鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于2018年研發(fā)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能目標(biāo)。2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月，與2021年相比實(shí)現(xiàn)翻倍。未來(lái)的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬(wàn)片晶圓/月。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)未來(lái)規(guī)劃將推出10nm制程的產(chǎn)品。

值得注意的是，現(xiàn)在，在DRAM芯片的生產(chǎn)上，一些存儲(chǔ)芯片大廠陸續(xù)啟用EUV***。

例如，2021年7月SK海力士宣布，公司第一代使用EUV***生產(chǎn)的DRAM正式量產(chǎn)。

據(jù)介紹，公司旗下第四代 10 納米級(jí)(1a)制程8Gb LPDDR4 移動(dòng)設(shè)備專用DRAM已經(jīng)量產(chǎn)。作為SK海力士旗下首款采用EUV生產(chǎn)的DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可以將使相同尺寸晶圓生產(chǎn)的 DRAM 芯片數(shù)量增加25%，并能將功耗降低20%。

2021年10月12日全球最大存儲(chǔ)芯片制造商三星電子宣布,該公司開始使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。

此外，美光計(jì)劃EUV***設(shè)備要到2024 年才會(huì)投入生產(chǎn)線，首發(fā)將會(huì)用于1γ 的10 納米級(jí)制程內(nèi)存上。

也就是說(shuō)，在DRAM芯片的角逐中EUV***同樣非常重要，對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片而言，沒有EUV***是一大硬傷。

小結(jié)

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片缺的可能不是技術(shù)，而是產(chǎn)品在市場(chǎng)中反復(fù)驗(yàn)證，快速規(guī)?；@得更多市場(chǎng)，從而在與國(guó)際的競(jìng)爭(zhēng)中拿到更多的話語(yǔ)權(quán)，定價(jià)權(quán)，同時(shí)還起到平衡供應(yīng)鏈的穩(wěn)定與彈性的作用。

原文標(biāo)題：國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片發(fā)威!內(nèi)存條價(jià)格殺瘋了!果鏈啟用國(guó)產(chǎn)3D NAND!

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審核編輯：湯梓紅