現(xiàn)代生活圍繞著數(shù)據(jù)展開，已經(jīng)離不開數(shù)字信息，這意味著我們需要新的、快速且節(jié)能的方法來讀取和寫入存儲設備上的數(shù)據(jù)。隨著磁性材料的全光開關（AOS）發(fā)展，使用激光脈沖而不是磁鐵來寫入數(shù)據(jù)基于光學的方法，在過去的十年中受到了相當大的關注。雖然AOS速度快、能效高，但在精確度方面存在問題?，F(xiàn)在埃因霍溫理工大學科學家設計了一種新方法：

利用激光脈沖將數(shù)據(jù)準確地寫入鈷-釓（Co/Gd）層，使用鐵磁材料作為參考，以幫助寫入過程，其研究成果發(fā)表在《自然通訊》期刊上。硬盤驅(qū)動器和其他設備中的磁性材料將數(shù)據(jù)存儲為計算機比特，即0和1，在向上或向下定向的磁自旋中。傳統(tǒng)上，通過在材料上移動一個小磁鐵來從硬盤驅(qū)動器讀取數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫入硬盤驅(qū)動器。然而，隨著對數(shù)據(jù)生產(chǎn)、消費、訪問和存儲的需求不斷增加，對訪問、存儲和記錄數(shù)據(jù)的更快、更節(jié)能的方法有相當大的需求。

對確定性的單脈沖需求

磁性材料的全光開關（AOS）在速度和能源效率方面是一種很有前途的方法。AOS使用飛秒激光脈沖在皮秒尺度上切換磁自旋的方向?？梢允褂脙煞N機制來寫入數(shù)據(jù)：多脈沖開關和單脈沖開關。在多脈沖切換中，自旋的最終方向（即向上或向下）是確定的，這意味著它可以預先由光的偏振來確定。但是，這種機制通常需要多個激光器，這會降低寫入速度和效率。另一方面，用于寫入的單脈沖會快得多，但對單脈沖AOS的研究表明，切換是一個觸發(fā)過程。

這意味著要改變特定磁比特的狀態(tài)，需要該比特的先驗知識。換句話說，必須先讀取位的狀態(tài)，然后才能覆蓋它，這會將讀取階段引入寫入過程，從而限制速度。更好的方法將是確定性單脈沖AOS方法，其中位的最終方向僅取決于用于設置和重置位的過程?，F(xiàn)在，來自埃因霍溫理工大學應用物理系納米結構物理小組展示了一種新的方法，可以在磁存儲材料中實現(xiàn)確定性的單脈沖寫入，使寫入過程更加精確。 參考層和間隔層的重要性

在實驗中，研究人員設計了一種由三層組成的寫入系統(tǒng)，由于鈷和鎳的制成或防止自由層中自旋轉(zhuǎn)換的鐵磁參考層，導電銅（Cu）間隔層或GaP層，以及可光學開關的Co/Gd自由層，結合層的厚度小于15 nm。一旦被飛秒激光激發(fā)，參考層就會在不到一皮秒的時間內(nèi)退磁。然后，與參考層中自旋相關的一些丟失角動量被轉(zhuǎn)換成由電子攜帶的自旋電流，當前中的自旋與參考層中的自旋方向?qū)R。

然后，該自旋電流從參考層通過Cu間隔層移動到自由層，在自由層中它可以幫助或阻止自由層中的自旋轉(zhuǎn)換，這取決于參考層和自由層的相對旋轉(zhuǎn)方向。改變激光能量會導致兩種狀態(tài)：第一，在一個閾值以上，自由層中的最終自旋取向完全由參考層確定，第二，在較高閾值以上，觀察到翻轉(zhuǎn)切換。研究已經(jīng)證明，這兩個區(qū)域一起可以用于在寫入過程中精確寫入自由層中的自旋態(tài)，而無需考慮其初始狀態(tài)，這一發(fā)現(xiàn)為增強未來數(shù)據(jù)存儲設備邁進了重要一步。：

審核編輯 ：李倩