一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性

東芝半導(dǎo)體 ? 來源:東芝半導(dǎo)體 ? 作者:東芝半導(dǎo)體 ? 2022-04-26 14:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z產(chǎn)品,它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。這四款產(chǎn)品進(jìn)一步完善了上一代產(chǎn)品在封裝、漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷方面的設(shè)計。

與上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的品質(zhì)因數(shù)降低約40%[1],開關(guān)電源效率提高約0.36%[2]。未來,順應(yīng)市場需求,東芝將繼續(xù)拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線,為提高電源效率增添“芯”助力。

應(yīng)用:

工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源:

數(shù)據(jù)中心(服務(wù)器電源等)

光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器

不間斷電源系統(tǒng)

特性:

“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的值降低約40%[1],有助于提高開關(guān)電源的效率

直插式TO-220封裝

主要規(guī)格:

(@Ta=25℃)

3fbec8d4-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

內(nèi)部電路

3fd0cce6-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

應(yīng)用電路示例

3fe4a996-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

注:

[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月,東芝測量的數(shù)值(采用輸出功率為2500W的PFC電路時,TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列

關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過7,110億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。

原文標(biāo)題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

文章出處:【微信公眾號:東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8620

    瀏覽量

    220564
  • 電源效率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    51

    瀏覽量

    10352
  • 東芝半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    108

    瀏覽量

    14924

原文標(biāo)題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFE
    發(fā)表于 07-12 16:18

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型,并闡述了各類重要功率
    發(fā)表于 07-11 14:49

    東芝TMPM4K系列MCU的功能特性分析

    在當(dāng)今智能設(shè)備和工業(yè)自動化領(lǐng)域,電機控制扮演著至關(guān)重要的角色。無論是家電產(chǎn)品、工業(yè)機器人,還是新能源汽車,高效、精確的電機控制系統(tǒng)都是實現(xiàn)其高性能和節(jié)能的關(guān)鍵。東芝半導(dǎo)體推出的TMPM4K系列MCU
    的頭像 發(fā)表于 06-10 13:41 ?1658次閱讀
    <b class='flag-5'>東芝</b>TMPM4K<b class='flag-5'>系列</b>MCU的功能<b class='flag-5'>特性</b>分析

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?222次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff <b class='flag-5'>特性</b>及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

    在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(3
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:04 ?368次閱讀
    MDD辰達(dá)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新SGT<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?295次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)<b class='flag-5'>特性</b>的應(yīng)用優(yōu)勢

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
    發(fā)表于 03-25 13:43

    MOSFET在AI中的應(yīng)用 #MOSFET #半導(dǎo)體 #電子 #人工智能

    半導(dǎo)體
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年03月21日 17:32:06

    東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上,并將于2
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:08 ?721次閱讀

    SiC MOSFET的參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?1274次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?3854次閱讀

    中國半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    了日本產(chǎn)業(yè)的繁榮。前面大家有印象,日本安排全日本最強大的工業(yè)集團去攻關(guān)半導(dǎo)體行業(yè),所以大家可以看到,東芝、三菱、松下、NEC,這些全部是百年老店,在19世紀(jì)或者20世紀(jì)初就已經(jīng)是日本很有名的企業(yè)。這些企業(yè)
    發(fā)表于 11-04 12:00

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理和主要特性

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容,對于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對半導(dǎo)體PN結(jié)形成原理和
    的頭像 發(fā)表于 09-24 18:01 ?4792次閱讀

    結(jié)構(gòu)創(chuàng)新帶來功率器件性能突破,東芝半導(dǎo)體賦能新能源應(yīng)用

    管理展會PCIM Asia2024上,眾多海內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商都展示出最新的技術(shù)和產(chǎn)品。在本次展會上,電子發(fā)燒友網(wǎng)探訪了東芝半導(dǎo)體的展臺,了解到東芝在大功率器件以及第三代
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:56 ?4826次閱讀
    結(jié)構(gòu)創(chuàng)新帶來功率器件性能突破,<b class='flag-5'>東芝</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>賦能新能源應(yīng)用