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拉電流和灌電流電路原理以及構成

電路之光 ? 來源:電路之光 ? 作者:電路之光 ? 2022-04-28 15:24 ? 次閱讀

相信拉電流和灌電流這兩個名詞我們聽了很多,源電流和灌電流一般在集成電路中使用,例如MCU、數(shù)字信號控制器、數(shù)字信號處理器等,今天我們就詳細說說拉電流和灌電流電路原理以及構成。

MCU GPIO? Sink current & Source current ?? :: OSHW Alchemist

1.拉電流

所謂拉電流就是提供給外部電路的電流能力,目前最新的MCU和DSP的輸出引腳一般具有 4mA 至 16mA 的輸出電流能力,在某些集成IC中,輸出電流能力是可配置的,可以根據需要設置 4mA、9mA 等拉電流。

下圖顯示了拉電流的方向,拉電流具有向外輸出的方向。該電流通過內部電路流向電阻器R1和晶體管Q1等外部電路,兩個晶體管Q2和Q3的公共基極加高電平時,PNP晶體管Q3將截止,只有NPN晶體管Q2飽和導通,電流將流出端口向外輸出。

圖。1

比較重要的是不要超過IC可以輸出的最大電流,以免損壞IC端口。有些剛接觸拉電流的新手可能會誤認為拉電流是恒定電流源輸出,認為拉電流是器件的唯一輸出電流值,并且不能變化,假設指定的拉電流為 4mA,設備只會將電流鉗制在這個水平,這是錯誤的理解,根據上圖,Q2晶體管將飽和,然后電流將僅受電阻R1的值限制。因此,必須仔細選擇 R1 的大小,以免超過規(guī)格書規(guī)定的拉電流,實際工作時拉電流計算如下:

Isource=\frac{Vcc-VCEsat-VBE_Q1}{R1}

由于Q2晶體管飽和,VCEsat 的值被忽略,公式將推導為:

Isource=\frac{Vcc-VBE_Q1}{R1}

為了提高設計的可靠性,Isource 的值必須小于規(guī)格書指定的拉電流,最好使最大輸出電流應力不超過規(guī)定值的80%。

Isource\leq 80%Isource_rating

2.灌電流

灌電流其實就是輸入電流,下圖展示了灌電流的方向。當 Q2 和 Q3 上施加的基極電壓較低時,上部晶體管將截止,下部晶體管將飽和導通。PNP 晶體管Q3將飽和導通,電流 Isink 將從 Vcc 流向 R2,然后流向 IC 引腳。Isink 的計算值必須小于規(guī)格書中的規(guī)定值,以防止端口過流損壞。

Isink=\frac{Vcc-VCEsat}{R2}

忽略 VCEsat,公式變?yōu)椋?/p> Isink=\frac{Vcc}{R2}

同樣為了提高設計的可靠性,最好使最大灌入電流應力不超過規(guī)定值的80%。

Isink\leq80%Isink_rating圖2

在上圖中,IC 引腳的配置是漏極開路,這就是需要電阻 R2 的原因,如果引腳配置為推挽式,則不需要 R2。對于上圖,當使用推挽時,灌電流不是問題,因為沒有來自外部的電流路徑,流過 PNP 晶體管的電流只是來自上 NPN 晶體管的漏電流。

審核編輯:湯梓紅

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