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LED芯片失效的原因分析

金鑒邵工 ? 來源:金鑒實(shí)驗(yàn)室失效分析 ? 作者:金鑒實(shí)驗(yàn)室失效分 ? 2022-05-12 17:44 ? 次閱讀
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LED芯片作為LED光源最核心的部件,其質(zhì)量決定著產(chǎn)品的性能及可靠性。芯片制造工藝多達(dá)數(shù)十道甚至上百道,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,尺寸微?。ㄎ⒚准墸魏我坏拦に嚮蚪Y(jié)構(gòu)異常都會導(dǎo)致芯片失效。同時芯片較為脆弱,任何不當(dāng)使用都可能會損傷芯片,使得芯片在使用過程中出現(xiàn)失效。芯片失效涉及的分析非常復(fù)雜、需要的技術(shù)方法較多。

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金鑒實(shí)驗(yàn)室擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的LED失效分析技術(shù)團(tuán)隊(duì),針對LED芯片失效分析,金鑒實(shí)驗(yàn)室首先會明確分析對象的背景,確認(rèn)失效現(xiàn)象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機(jī)理,最后提出后續(xù)預(yù)防與改進(jìn)措施。

金鑒實(shí)驗(yàn)室綜合數(shù)千個失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類:

1.封裝工藝影響

LED封裝主要用于保護(hù)LED芯片,封裝的質(zhì)量直接影響著芯片的使用。針對封裝工藝異常引起的芯片失效,金鑒實(shí)驗(yàn)室會對固晶工藝、引線鍵合工藝、燈珠氣密性等進(jìn)行全面評估,從宏觀和微觀分析出失效原因及失效機(jī)理,并為客戶提出改善方向。

2.過電應(yīng)力

LED芯片對電較為敏感,超電流使用、靜電、雷擊、電網(wǎng)波動、LED電源不良等都會產(chǎn)生過電應(yīng)力損傷芯片,導(dǎo)致芯片出現(xiàn)失效現(xiàn)象。針對過電應(yīng)力引起的芯片失效,金鑒實(shí)驗(yàn)室會找到過電應(yīng)力來源,并進(jìn)行失效現(xiàn)象重現(xiàn),同時會為客戶提出改進(jìn)方向。

3.外環(huán)境影響

LED芯片較為脆弱,環(huán)境中的水汽、腐蝕性氣體會使芯片出現(xiàn)漏電、電極腐蝕等問題,芯片出現(xiàn)失效現(xiàn)象。LED芯片必須經(jīng)過封裝后才能使用,當(dāng)處于異常惡劣的外環(huán)境中時,一般的封裝體也無法對芯片形成有效的保護(hù)。金鑒實(shí)驗(yàn)室的芯片失效分析會充分評估光源的使用環(huán)境,針對外環(huán)境引起的芯片失效,金鑒會模擬外環(huán)境進(jìn)行失效現(xiàn)象重現(xiàn),同時會為客戶提出改善方向。金鑒實(shí)驗(yàn)室后續(xù)還能為客戶提供相關(guān)的可靠性測試,幫助客戶提高產(chǎn)品質(zhì)量以及制定產(chǎn)品的市場定位。

4.LED燈具散熱不良

LED芯片對溫度非常敏感,甚至有觀點(diǎn)表示“溫度升高10℃,LED芯片壽命縮短一半”。LED燈具散熱不良,LED芯片作為熱源,其溫度將會急劇增大,壽命大大縮短,甚至?xí)霈F(xiàn)芯片過熱燒毀。針對散熱不良導(dǎo)致的芯片失效(可見LED芯片紅外熱像熱分布案例),金鑒實(shí)驗(yàn)室會從燈珠、燈板、外殼等各方面對LED光源散熱系統(tǒng)進(jìn)行全面評估,找到散熱不良的原因,并為客戶提出改善方向。

5.芯片工藝異常

芯片結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,其制造工藝步驟多達(dá)數(shù)十道甚至上百道,工藝參數(shù)的不穩(wěn)定會造成工藝異常(如鈍化層刻蝕不凈或過刻、鋁層包覆不良、光刻膠清洗不凈等),可能會影響芯片可靠性,在后續(xù)使用中芯片出現(xiàn)失效。金鑒實(shí)驗(yàn)室有著豐富的芯片失效分析經(jīng)驗(yàn),總結(jié)有不同的工藝異常所表現(xiàn)出的失效現(xiàn)象。金鑒工程師依據(jù)失效現(xiàn)象,通過SEM、FIB、氬離子拋光等微觀分析手段,對芯片微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,尋找失效原因及工藝異常點(diǎn),并依據(jù)經(jīng)驗(yàn)對造成工藝異常的可能原因進(jìn)行推測,幫助客戶進(jìn)行工藝優(yōu)化。

6.芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理

芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理,將會出現(xiàn)電流密度分布不均,光轉(zhuǎn)化效率低,整體發(fā)熱量大,局部電流擁擠等現(xiàn)象。芯片正常使用時,電流擁擠區(qū)域發(fā)熱嚴(yán)重,溫度較高,芯片老化迅速,壽命大大降低;當(dāng)存在EOS沖擊時,電流擁擠區(qū)域的電流密度將會急劇增大,最先出現(xiàn)擊穿失效現(xiàn)象。金鑒實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)了顯微光分布測試系統(tǒng)和顯微紅外熱分布測試系統(tǒng),可清晰觀察芯片的光熱分布,判斷芯片是否存在電流擁擠、局部過熱現(xiàn)象。金鑒實(shí)驗(yàn)室還能為客戶提供芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化方案,幫助提高芯片性能。

7.芯片外延質(zhì)量問題

LED芯片工作的核心是外延層,LED芯片外延層質(zhì)量的好壞關(guān)系著芯片的壽命、抗靜電能力及抗過電應(yīng)力能力等。針對芯片失效分析,金鑒工程師會對LED芯片外延分析,進(jìn)行耐壓測試、抗靜電能力測試、芯片外觀形貌觀察(是否存在外延層孔洞)等,綜合判斷芯片外延層質(zhì)量。

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審核編輯:符乾江

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