保護(hù)電路是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的無(wú)名英雄。無(wú)論是何種應(yīng)用，從交流線路到數(shù)字負(fù)載的長(zhǎng)電鏈都穿插著各種尺寸和形狀的保險(xiǎn)絲和瞬態(tài)電壓抑制器。沿著電氣路徑，電氣壓力源（例如存儲(chǔ)電容器引起的浪涌電流、接線錯(cuò)誤或斷電引起的反向電流、感應(yīng)負(fù)載開關(guān)或閃電引起的過(guò)壓和欠壓）可能會(huì)損壞寶貴的電子負(fù)載。對(duì)于采用脆弱的亞微米和低壓技術(shù)構(gòu)建的微處理器和存儲(chǔ)器而言，情況就是如此。就像士兵建造堡壘墻一樣，有必要在負(fù)載周圍建立一個(gè)保護(hù)周邊，以處理這些潛在的災(zāi)難性事件。

保護(hù)電子設(shè)備必須在其電壓和電流額定值范圍內(nèi)處理過(guò)壓/欠壓、過(guò)流和反向電流等故障條件。如果預(yù)期電壓浪涌超過(guò)此處討論的保護(hù)電子設(shè)備額定值，則可以添加額外的保護(hù)層，以濾波器和瞬態(tài)電壓抑制 （TVS） 設(shè)備的形式。

圖 2顯示了圍繞智能負(fù)載（例如微處理器）的典型系統(tǒng)保護(hù)方案。DC-DC 轉(zhuǎn)換器——配有控制 （IC 2 ）、同步整流 MOSFET （T 3、T 4 ） 和相關(guān)的本征二極管 （D 3、D 4 ），以及輸入和輸出濾波電容器 （C IN ， C OUT ）—為微處理器或 PLC 供電。來(lái)自 24V 電源總線 （V BUS ） 的電壓浪涌，如果直接連接到 V IN，將對(duì) DC-DC 轉(zhuǎn)換器及其負(fù)載造成災(zāi)難性后果（圖 3）。出于這個(gè)原因，前端電子保護(hù)是必要的。在這里，保護(hù)是通過(guò)一個(gè)控制器 （IC 1 ） 實(shí)現(xiàn)的，該控制器驅(qū)動(dòng)兩個(gè)分立的 MOSFET，T 1和 T 2。

圖 2. 典型電子系統(tǒng)和保護(hù)

過(guò)壓保護(hù)

根據(jù) DC-DC 轉(zhuǎn)換器的最大工作電壓（圖 2 中的 CONTROL IC 2），保護(hù)器 IC 本質(zhì)上由一個(gè) MOSFET 開關(guān) （T 2 ） 組成，該開關(guān)在此工作范圍內(nèi)接近而在其之上打開。相關(guān)的本征二極管 D 2在過(guò)壓的情況下被反向偏置并且不起任何作用。在這種情況下，T 1 /D 1的存在也無(wú)關(guān)緊要，T 1完全“開啟”。

過(guò)流保護(hù)

即使輸入電壓被限制在允許的工作范圍內(nèi)，問(wèn)題仍然存在。向上的電壓波動(dòng)會(huì)產(chǎn)生高 CdV/dt 浪涌電流，可能會(huì)燒斷保險(xiǎn)絲（圖 4）、燒毀 PCB 走線或使系統(tǒng)過(guò)熱，從而降低其可靠性。因此，保護(hù)IC必須配備限流機(jī)制。

反向電流保護(hù)

MOSFET 在漏極和源極之間的本征二極管在 MOSFET “導(dǎo)通”時(shí)反向偏置，而在 MOSFET 電壓極性反轉(zhuǎn)時(shí)正向偏置。由此可見，T 2本身不能阻擋負(fù)輸入電壓。這些可能會(huì)意外發(fā)生，例如，在負(fù)瞬態(tài)或斷電期間，當(dāng)輸入電壓（圖 2 中的V BUS ）低或不存在時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器輸入電容器（C IN）通過(guò)本征二極管 D 2。為了阻止反向電流，有必要將晶體管 T 1與其固有二極管 D 1放置在一起反對(duì)負(fù)電流。然而，結(jié)果是成本高昂的兩個(gè) MOSFET 的背靠背配置，其固有二極管反向偏置。

集成背靠背 MOSFET

如果使用分立 MOSFET（如圖 2 所示），則背靠背配置的需求是顯而易見的，而如果保護(hù)是單片的，即當(dāng)控制電路和 MOSFET 集成在單個(gè) IC 中時(shí)，則不太明顯。許多配備反向電流保護(hù)的集成保護(hù) IC 使用單個(gè) MOSFET，并額外注意將器件體二極管切換到反向偏置，無(wú)論 MOSFET 極化如何。這種實(shí)施方式適用于 5V MOSFET，其源極和漏極具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)。源體和漏體最大工作電壓相同。在我們的例子中，高壓 MOSFET 不是對(duì)稱的，只有漏極被設(shè)計(jì)成能承受相對(duì)于體的高壓。高壓 MOSFET 的布局更為關(guān)鍵，具有優(yōu)化 R 的 HV MOSFETDS（ON）僅在源與身體短路的情況下提供。歸根結(jié)底，高壓 （》 5V） 集成解決方案也必須采用背靠背配置。

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中，直流電機(jī)電流由 MOSFET 橋驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行 PWM 控制。在 PWM 控制周期的關(guān)斷部分，電流再循環(huán)回輸入電容，有效地實(shí)現(xiàn)了能量回收方案。在這種情況下，不需要反向電流保護(hù)。

傳統(tǒng)離散解決方案

圖 5說(shuō)明了在 PC 板面積和材料清單 （BOM） 方面，使用類似于圖 2 中的分立實(shí)現(xiàn)的高成本（24V IN，-60V 至 +60V 保護(hù)）。PCB 面積高達(dá) 70 平方毫米。

圖 5. 具有更大 PCB 面積 （70mm 2 ）的傳統(tǒng)分立式保護(hù)

綜合解決方案

圖 6顯示了將控制和功率 MOSFET 集成在同一 IC 中的優(yōu)勢(shì)，該 IC 采用 3mm x 3mm TDFN-EP 封裝。在這種情況下，PCB 面積占用減少到分立解決方案的大約 40% （28mm 2 ）。

圖 6. 減少 PCB 面積 （28mm 2 ）的集成保護(hù)

綜合保護(hù)系列

MAX17608 –MAX17610系列可調(diào)節(jié)過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)器件提供了這種集成解決方案的示例。它具有一個(gè)低 210mΩ 導(dǎo)通電阻集成 FET 對(duì)，如圖 7所示。

圖 7. MAX17608/MAX17609 過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)器件框圖

這些器件可保護(hù)下游電路免受高達(dá) ±60V 的正負(fù)輸入電壓故障的影響。過(guò)壓鎖定閾值 （OVLO） 可通過(guò)可選的外部電阻器調(diào)節(jié)至 5.5V 至 60V 之間的任何電壓（圖 8）。它們具有高達(dá) 1A 的可編程限流保護(hù)。MAX17608和MAX17610阻止電流反向流動(dòng)，而MAX17609允許電流反向流動(dòng)。這些器件還具有針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱的熱關(guān)斷保護(hù)功能。它們采用小型 12 引腳 （3mm x 3mm） TDFN-EP 封裝。這些器件在 -40°C 至 +125°C 擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。

除了理想的集成特性外，該解決方案還具有 ±3% 的精確電流感應(yīng)，而分立解決方案的典型電流為 ±40%。IC 還報(bào)告 SETI 引腳上的負(fù)載瞬時(shí)電流值（圖 8）。這是一個(gè)很棒的功能，可以幫助系統(tǒng)監(jiān)控每個(gè)電路板的電流消耗。

可以對(duì)器件進(jìn)行編程，使其在限流條件下以三種不同的方式運(yùn)行：自動(dòng)重試、連續(xù)或閉鎖模式。這是系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員決定如何管理負(fù)載瞬態(tài)以最小化系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間和服務(wù)成本的好方法。

圖 8. MAX17608/MAX17609 應(yīng)用框圖

結(jié)論

電子負(fù)載需要保護(hù)免受斷電和波動(dòng)、感應(yīng)負(fù)載開關(guān)和閃電的影響。我們回顧了一個(gè)典型的保護(hù)解決方案，其集成度低，不僅導(dǎo)致 PC 板空間效率低下和 BOM 高，而且容差大，并帶來(lái)電路認(rèn)證挑戰(zhàn)。我們展示了一系列高度集成、高度靈活、低 R DS（ON）保護(hù) IC，可提供直接和反向電壓和電流保護(hù)。它們非常易于使用，并以最少的 BOM 和 PC 板空間占用提供必要的功能。使用這些 IC，您可以在系統(tǒng)周圍設(shè)計(jì)一個(gè)嚴(yán)密的保護(hù)范圍，以提高安全性和可靠性。