Vishay 新款高能液鉭電容器

器件可直接取代同類(lèi)解決方案或用作高容量電容

減少元件數(shù)量

降低設(shè)計(jì)成本

為滿(mǎn)足國(guó)防和航空航天應(yīng)用需求，Vishay 推出新款高能液鉭電容器，器件每款電壓等級(jí)和外形尺寸的容量均為業(yè)界先進(jìn)。EP2有 B 和 C 兩種封裝，提供徑向插件端接，可選螺桿固定，可用來(lái)直接取代同類(lèi)器件，或用作等效機(jī)械封裝的高容量電容，減少元件數(shù)量、節(jié)省空間、降低設(shè)計(jì)成本。

日前發(fā)布的器件采用 Vishay 成熟的 SuperTan技術(shù)，B 封裝和 C 封裝器件超高容量分別達(dá)到 2,700 μF~48,000 μF 和 3,600 μF~72,000 μF。電容器額定電壓為 25VDC至 125VDC。EP2 容值指標(biāo)居業(yè)界先進(jìn)水平，其中 C 封裝器件 80V 條件下的容值達(dá)到 9,000 μF，35V 條件下達(dá)到 58,000 μF，這些容值分別比緊隨其后的競(jìng)品高 50 % 和 21 %。電容器標(biāo)準(zhǔn)容值公差為 ± 20 %，同時(shí)提供公差為 ± 10 % 的產(chǎn)品。EP2采用全鉭密封外殼提高可靠性，適于激光制導(dǎo)、雷達(dá)和航電系統(tǒng)脈沖電源和能量保持應(yīng)用。電容器機(jī)械性能牢固，提高了抗振動(dòng)（高頻：20 g；隨機(jī)：19.64 g）和抗機(jī)械沖擊（50 g）的能力。 電容器工作溫度 -55 °C 至 +85 °C，當(dāng)電壓降額使用時(shí)最高可達(dá)到 +125 °C，1 kHz 和 +25 °C下，最大 ESR 低至 0.017 Ω。電容器有錫/鉛（Sn / Pb）端接和符合 RoHS 的 100% 純錫端接不同類(lèi)型。 編輯：黃飛

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