江蘇長晶科技有限公司是一家以自主研發(fā)、銷售服務(wù)為主體的半導(dǎo)體公司。主營二極管、晶體管、MOSFET、IC產(chǎn)品、復(fù)合管、可控硅等產(chǎn)品。

現(xiàn)在來談?wù)勯L晶的MOSFET。它是一種可以常使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單、輻射強，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路。確定MOSFET的主要特性是其漏源電壓VDS，或“漏源擊穿電壓”，這是在柵很短路到源極，漏極電流在250μA情況下，MOSFET所能承受的確保不損壞的高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕 對 高電壓”，但是定要記住，這個絕 對電壓與溫度有關(guān)，而且數(shù)據(jù)表里通常有一個“VDS溫度系數(shù)”。在高溫下，溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。對正確選擇MOSFET同樣重要的是理解在導(dǎo)通過程中柵源電壓VGS的作用。

總的來說：

1、MOSFET串聯(lián)等效的柵極和源極電阻的分壓作用和柵極電容的影響，造成晶胞單元的VGS的電壓不一致，從而導(dǎo)致各個晶胞單元電流不一致，在開通和關(guān)斷的過程中形成局部過熱損壞。

2、快開通和關(guān)斷MOSFET，可以減小局部能量的聚集，防晶胞單元局部的過熱而損壞。開通速度太慢，距離柵極管腳較近的區(qū)域局部容易產(chǎn)生局部過熱損壞，關(guān)斷速度太慢，距離柵極管腳較遠的區(qū)域容易產(chǎn)生局部過熱損壞。

3、MOSFET在開通的過程中，RDS（ON）從負溫度系數(shù)區(qū)域向正溫度系數(shù)區(qū)域轉(zhuǎn)化；在其關(guān)斷的過程中，RDS（ON）從正溫度系數(shù)區(qū)域向負溫度系數(shù)區(qū)域過渡。

長晶采用先 進的溝槽技 術(shù)和設(shè)計為很好的RDS（on）提供低棚極電荷。其具有高 效率和電流處理能力、負荷開關(guān)、 低RDS（on）的高密度單元設(shè)計和獲得無鉛產(chǎn)品的特點，用途很廣。

審核編輯：符乾江