其實早在一個月前，英特爾的Intel4工藝的情報就被陸續(xù)爆料出來了，只不過近日在VLSI22論壇上，其詳細情報終于解禁，我們也得以看看英特爾版的7nm（Intel4），是否能夠?qū)伺_積電的4nm，還是說像英特爾官方宣稱的那樣，2024年以后才會奪回半導體制造霸主的地位？

英特爾版的7nm水平如何？

我們先來看看PPA上的表現(xiàn)，英特爾給出了Intel7與Intel4在高性能單元庫上的物理參數(shù)（見下圖）對比，以英特爾慣用的密度計算方式來看，也就是標準單元高度乘以CPP，Intel4相較Intel7實現(xiàn)了兩倍的提升。
同時在頻率上，相較用于AlderLake的Intel7工藝，Intel4提供8VT的選項（4N+4P），在同等功耗下，芯片頻率可以做到高出20%以上。當然了，這個頻率提升范圍是在2GHz到3GHz的低頻范圍內(nèi)，3GHz以上的頻率提升大約在10%左右，這也是為何Intel4主要用于Meteor Lake-P這一筆記本CPU平臺，至于桌面平臺的高頻CPU多半不會使用這一工藝。

英特爾從去年開始就在大量采購來自ASML的EUV光刻機，其采購頻率和規(guī)模差不多與臺積電相近了。我們都知道EUV光刻機是當下突破摩爾定律的最大功臣之一，但EUV光刻機也為晶圓廠帶來了一些額外的福利，比如英特爾就表示，通過使用EUV光刻機，Intel4簡化了工序。
每一代工藝突破，比如從16nm到10nm，從10nm到7nm，掩模數(shù)量都是在增加的。以臺積電為例，14nm和16nm的掩模數(shù)量大約為60個，10nm大約為78個，7nm就到了87個，這個趨勢下去，5nm的掩模數(shù)量肯定會破百，但臺積電的5nm在EUV光刻機的幫助下，通過單個EUV掩模替換為多個光學掩模，將掩模數(shù)量做到了81個。而英特爾這邊得到的結(jié)果更加喜人，在首次引入EUV光刻機后，Intel4的掩模數(shù)量相較Intel7減少了20%，如此一來也將總工序減少了5%。除此之外，Intel4也與現(xiàn)有的先進封裝技術(shù)兼容，比如EMIB和FOVEROS。

只是Intel3的過渡？

目前已知享受Intel4工藝的似乎只有Meteor Lake這一移動CPU平臺，而原定為Intel4的GraniteRapids被移去了Intel3，Sierra Forest也將維持使用Intel3工藝。以此來看，雖然通過EUV光刻機的在制造工藝內(nèi)的大量使用，為Intel4提供了不錯的PPA表現(xiàn)，但其本身還是一個過渡工藝。

雖然有了高性能庫，但卻缺少了高密度的單元。比如臺積電的7nm節(jié)點，就根據(jù)單元高度的不同，提供HD和HP這兩個高密度和高性能的版本。高密度往往意味著更低的功耗，這也是手機SoC和高能效服務(wù)器處理器主要選擇的單元庫。

這是因為英特爾并沒有在這一工藝節(jié)點上提供完全的庫或IP，在Meteor Lake上，英特爾只要提供高性能的小芯片CPU即可，而圖形GFX部分有可能來自臺積電，SoC和IO部分則不會使用Intel4這一工藝節(jié)點。

所以Intel4沒有全棧I/O，也沒有SoC，這也就是為何第六代Xeon處理器GraniteRapids選擇了等待Intel3的原因，因為這類處理器需要高密度單元和更優(yōu)異的I/O。在介紹Intel4時，英特爾不斷強調(diào)了EUV光刻機應用帶來的優(yōu)勢，然而這還是只是英特爾全面EUV的初期，Intel3才是滿血的EUV工藝節(jié)點，同時也將成為IFS代工服務(wù)的首個高性能節(jié)點。

結(jié)語

英特爾的半導體工藝在更名前，向來都是隔代對標競品的，在更名后Intel4自然對標的也成了臺積電和三星的4nm工藝。從已知的參數(shù)來看，三星4nm低于150MTr/mm2的晶體管密度自然是比不了英特爾和臺積電的，而Intel4只有高性能庫，所以單純對比晶體管密度的話會有些吃虧，大概在160MTr/mm2左右，還是不如臺積電4nm的178MTr/mm2。

所以只有未來的Intel3或許能夠達到與臺積電N3持平的地步，要談超越的話，就得等到Intel20A工藝了。這倒不是說Intel4這個過渡工藝毫無可圈可點之處，至少在性能和能耗比上有著可觀的提升，目前移動端處理器明顯才是英特爾CCG業(yè)務(wù)的銷售量大頭，所以Intel4明顯是用來走量的，Intel3才是用來和別家打的。