通過(guò)使用液態(tài)釕前驅(qū)物“TRuST”的2段ALD工藝，實(shí)現(xiàn)了可防止基板氧化、質(zhì)量更高電阻更低的較薄薄膜

可期應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心及IoT等的要求技術(shù)革新的先進(jìn)技術(shù)

東京, 2022年6月23日 - (亞太商訊) - 田中貴金屬集團(tuán)旗下經(jīng)營(yíng)制造事業(yè)的田中貴金屬工業(yè)株式會(huì)社（總公司：東京都千代田區(qū)、執(zhí)行總裁： 田中 浩一朗）宣布確立了液態(tài)釕（Ru）前驅(qū)物"TRuST"的2段成膜工藝。"TRuST"是對(duì)氧和氫都有良好的反應(yīng)性，并具有能形成更高純度釕膜的特征的前驅(qū)物。本工藝是一種2段ALD成膜工藝（ALD＝Atomic Layer Deposition），先通過(guò)氫成膜形成較薄的防氧化膜，再通過(guò)氧成膜實(shí)現(xiàn)質(zhì)量更高的釕膜成膜。通過(guò)這種方法，可消除因氧造成基板氧化的顧慮，同時(shí)還能抑制因氫成膜引起的釕純度下降。

在本開發(fā)的過(guò)程中，成膜工藝的設(shè)想方案由韓國(guó)嶺南大學(xué)工科學(xué)院新材料工學(xué)部的SOO－HYUN, KIM教授提出，其成膜工藝的開發(fā)及評(píng)估由KIM教授和田中貴金屬工業(yè)共同實(shí)施。

由于通過(guò)本技術(shù)預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性，可期應(yīng)用于要求執(zhí)行更大容量數(shù)據(jù)處理的數(shù)據(jù)中心和智能手機(jī)，以及有助于要求更高水平技術(shù)革新的IoT和自動(dòng)駕駛等的先進(jìn)技術(shù)。

■利用氧和氫的2段成膜工藝

田中貴金屬工業(yè)正在以釕為中心開發(fā)面向下一代半導(dǎo)體的更高純度的貴金屬前驅(qū)物。在進(jìn)行成膜時(shí)，迄今為止的主流工藝是利用氧的1段成膜，此次成功地確立了利用氧和氫的2段成膜工藝。

通過(guò)這種2段成膜的工藝，可通過(guò)氫成膜降低底層的表面氧化風(fēng)險(xiǎn)，并通過(guò)氧成膜實(shí)現(xiàn)釕純度基本保持100%的更高純度成膜。而且先通過(guò)氫成膜形成底層，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行氧成膜所形成的釕膜也更平滑精密，可實(shí)現(xiàn)超越以往的更低電阻值。

通常，隨著膜厚的降低比電阻會(huì)增加，這是半導(dǎo)體成膜的一個(gè)課題。但是，此次確認(rèn)到特別是在10 nm以下的區(qū)域內(nèi)，通過(guò)在氧成膜的基礎(chǔ)上，利用氫實(shí)施2段成膜，可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更低電阻值。今后，隨著半導(dǎo)體尺寸進(jìn)一步縮小，預(yù)計(jì)對(duì)于釕膜也有更薄更低電阻成膜的需求，利用2段成膜將有可能解決這個(gè)課題。此外，本次宣布的由2段成膜形成的電阻更低純度更高的釕薄膜，無(wú)論在哪個(gè)階段都可以以相同原料、相同成膜溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)，所以可在相同的成膜設(shè)備內(nèi)進(jìn)行成膜，可降低設(shè)備投資成本。詳細(xì)內(nèi)容，我們將于6月28日在比利時(shí)根特市召開的ALD2022學(xué)會(huì)的AA2-TuA: ALD for BEOL部分中進(jìn)行發(fā)表。

■田中貴金屬工業(yè)的液態(tài)釕前驅(qū)物"TRuST"

在半導(dǎo)體的薄膜及線路材料中，迄今為止主要使用銅及鎢、鈷，但是面向半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化，對(duì)電阻更低、持久性更高的貴金屬釕的期待也在增加。因此，田中貴金屬工業(yè)開發(fā)了實(shí)現(xiàn)世界級(jí)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)蒸汽壓力數(shù)值的CVD/ALD用液態(tài)釕前驅(qū)物"TRuST"，并從2020年開始提供樣品。

該前驅(qū)物與原有的前驅(qū)物相比，通過(guò)將蒸汽壓力提高約100倍以上達(dá)到世界級(jí)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，提高成膜室內(nèi)的前驅(qū)物濃度及在基板表面的前驅(qū)物分子的吸附密度，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋性和成膜速度的提高。

■半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所處的狀況和背景

由于IoT/AI/5G/元宇宙等各種先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)中心及以智能手機(jī)為首的電子設(shè)備中使用的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)量迅速增加。隨之而來(lái)，在半導(dǎo)體開發(fā)中，為了實(shí)現(xiàn)性能更高且省電的器件，前所未有地要求半導(dǎo)體的微細(xì)化。此外，在持久性方面，因底層氧化造成的劣化在半導(dǎo)體開發(fā)中也是重大的課題。而且，在汽車產(chǎn)業(yè)中也一樣，隨著電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車的開發(fā)，在車載半導(dǎo)體等微細(xì)化的同時(shí)，希望進(jìn)一步提高持久性。

田中貴金屬工業(yè)在今后追求進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，在以期通過(guò)提高液態(tài)釕前驅(qū)物的成膜速度來(lái)降低成本和實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的同時(shí)，為半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性作出貢獻(xiàn)，并為開發(fā)半導(dǎo)體開辟的新型先進(jìn)技術(shù)作出貢獻(xiàn)。

■關(guān)于田中貴金屬集團(tuán)

田中貴金屬集團(tuán)自1885年（明治18年）創(chuàng)業(yè)以來(lái)，營(yíng)業(yè)范圍以貴金屬為中心，并以此展開廣泛活動(dòng)。在日本國(guó)內(nèi)，以高水準(zhǔn)的貴金屬交易量為傲，長(zhǎng)年以來(lái)不遺余力地進(jìn)行產(chǎn)業(yè)用貴金屬制品的制造和銷售，以及提供作為寶石飾品及資產(chǎn)的貴金屬商品。并且，作為貴金屬相關(guān)的專家集團(tuán)，國(guó)內(nèi)外的各集團(tuán)公司進(jìn)行制造、銷售以及技術(shù)一體化，攜手合作提供產(chǎn)品及服務(wù)。

2020年度(2021年3月期)的連結(jié)營(yíng)業(yè)額為1兆4,256億日元，擁有5,193名員工。

近期會(huì)議

2022年7月5日，由ACT雅時(shí)國(guó)際商訊主辦，《半導(dǎo)體芯科技》&CHIP China晶芯研討會(huì)將在蘇州·洲際酒店隆重舉行!屆時(shí)業(yè)內(nèi)專家將齊聚蘇州，與您共探半導(dǎo)體制造業(yè)，如何促進(jìn)先進(jìn)制造與封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。大會(huì)現(xiàn)已啟動(dòng)預(yù)約登記，報(bào)名請(qǐng)點(diǎn)擊：http://w.lwc.cn/s/AzeQr2

2022年7月28日 The12th CHIP China Webinar，誠(chéng)邀您與業(yè)內(nèi)專家學(xué)者共探半導(dǎo)體器件檢測(cè)面臨的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)、工藝缺陷故障、光學(xué)檢測(cè)特性分析與挑戰(zhàn)、先進(jìn)封裝半導(dǎo)體檢測(cè)難點(diǎn)及應(yīng)用等熱門話題，解鎖現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇！報(bào)名請(qǐng)點(diǎn)擊：http://w.lwc.cn/s/maymIv

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審核編輯：符乾江