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采用HT74153同步降壓轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)壓電路設(shè)計

芯情觀察猿 ? 來源:芯情觀察猿 ? 作者:芯情觀察猿 ? 2022-06-28 10:59 ? 次閱讀
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電流輸出能力對小電機(jī)驅(qū)動等單節(jié)鋰電池應(yīng)用非常重要,本方案采用HT74153同步降壓轉(zhuǎn)換器,可在PWM/PFM自動切換模式下驅(qū)動高達(dá)2A的負(fù)載電流,并在空載條件時降低其待機(jī)電流。方案輸入電壓范圍寬2.5~6.0V,輸出電壓范圍0.6~VDD,100%占空比操作,切換頻率達(dá)1.2MHz,能驅(qū)動低壓直流電機(jī)及激光二極管等大電流負(fù)載的應(yīng)用,適用于攜帶式產(chǎn)品如按摩器、玩具及激光投線儀等。

方案特點(diǎn)

方案采用高效率的同步降壓轉(zhuǎn)換器HT74153,可在2.5V~6.0V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,并集成了100mΩ低導(dǎo)通電阻和整流開關(guān),以降低傳導(dǎo)損耗,同時允許在應(yīng)用中使用較小的電感和電容。

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在PFM遲滯模式下,HT74153通過在系統(tǒng)待機(jī)期間減少靜態(tài)電流來延長電池壽命。在關(guān)機(jī)模式下,HT74153將關(guān)閉操作且只需消耗0.1μA的輸入電流。

HT74153還可提供100%的占空比操作。當(dāng)輸入電源電壓下降至目標(biāo)輸出電壓時,High-Side MOSFET將始終開啟且輸出電壓接近于輸入電壓,延長電池壽命。

HT74153可根據(jù)輸出電流實現(xiàn)三種工作模式:PWM模式、PFM模式和關(guān)機(jī)模式。輕載時該芯片工作在PFM模式,可減少輸入電流損耗并提高效率。在較重的負(fù)載電流時,可驅(qū)動該芯片自動進(jìn)入PWM模式,以保持高效率和較好的瞬態(tài)響應(yīng)。在關(guān)機(jī)模式下,HT74153將關(guān)斷所有設(shè)備并將輸入電流損耗降低至0.1μA。

當(dāng)輸入電源電壓降低至目標(biāo)輸出電壓時,占空比增加到100% 以延長電池壽命。減小穿過內(nèi)部High-Side MOSFET和電感的電壓降,輸出電壓會接近于輸入電壓。在此情況下,由于VOUT下降到95%,使PG信號被拉低。

在上電啟動過程中,通過控制內(nèi)部的軟啟動電容充電,可實現(xiàn)0.7ms的軟啟動功能,從而使輸出電壓平穩(wěn)和防止輸入浪涌電流過大。當(dāng)VIN≥2.1V(VUVLO+)后,EN腳由低到高變化時軟啟動功能才有效。在軟啟動過程中,可忽略O(shè)SP檢測。啟動時間取決于啟動時的輸出電容和負(fù)載電流。

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方案具有過流保護(hù)(OCP)、輸出短路保護(hù)(OSP)、過壓保護(hù)(OVP)、過熱關(guān)機(jī)(OTP)功能:

(1)欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)。當(dāng)輸入電壓超過VUVLO+ 時,轉(zhuǎn)換器開始工作。相反,當(dāng)輸入電壓低于VUVLO-時,轉(zhuǎn)換器輸出將關(guān)閉。

(2)過流保護(hù)(OCP)。HT74153提供3.2A(IOCP)峰值電流,用于監(jiān)測內(nèi)部High-Side開關(guān)(P型MOSFET)。當(dāng)檢測到OCP閾值時,內(nèi)部High-Side開關(guān)關(guān)斷,內(nèi)部Low-Side開關(guān)(N型MOSFET)開啟,直到下一個周期到來。IOCP可用于保護(hù)外部功率電感超過其飽和電流。當(dāng)發(fā)生OCP保護(hù)功能時,輸入峰值電流將受到限制且輸出電壓降低。

(3)輸出短路保護(hù)(OSP)。當(dāng)反饋電壓下降至低于300mV時,該芯片將進(jìn)入輸出短路保護(hù)模式。在輸出短路保護(hù)模式下,該芯片進(jìn)入打嗝模式,此模式下將除能High/Low-Side MOSFET并使內(nèi)部軟啟動電容放電。經(jīng)過TOSP時間避免熱積聚后,HT74153響應(yīng)軟啟動程序,直到輸出短路現(xiàn)象停止。

(4)過壓保護(hù)(OVP)。當(dāng)反饋電壓VFB超過660mV(VFB_OVP)時,HT74153將進(jìn)入過壓保護(hù)。當(dāng)進(jìn)入過壓保護(hù)功能時,High/Low-Side MOSFET將被除能。直到下一個周期的VFB低于VFB_OVP時,HT74153才退出過壓保護(hù)且功率MOSFET開始工作。

(5)過熱關(guān)機(jī)(OTP)。如果結(jié)溫超過內(nèi)部極限閾值TSHD,芯片將關(guān)閉所有功率MOSFET,直到溫度下降至恢復(fù)溫度THYS以下。

芯齊齊BOM分析

本方案基于HT74153同步降壓轉(zhuǎn)換器,允許在應(yīng)用中使用較小的電感和電容,內(nèi)置肖特基二極管及1μH/2.2μH小型電感的優(yōu)點(diǎn)可有效減少布局面積。

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穩(wěn)壓IC HT74153來自Holtek,可在2.5V~6.0V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。HT74153提供8-pin SOP-EP及5-pin SOT23兩種封裝。8-pin SOP-EP封裝將系統(tǒng)電源及IC電源獨(dú)立分開,用于系統(tǒng)電源噪聲較大的產(chǎn)品,如帶電機(jī)負(fù)載的按摩器及玩具等。對于有布局空間要求的攜帶式產(chǎn)品,可使用5-pin SOT23封裝。

反饋電阻R1和內(nèi)部補(bǔ)償電容一起設(shè)置反饋環(huán)路帶寬,方案增加47pF的電容將改善發(fā)生負(fù)載瞬態(tài)時的輸出電壓降。

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PCB布線時,如果在應(yīng)用環(huán)境中有外界干擾或PCB噪聲過高,從而造成輸出電壓過高,可將FB引腳電阻設(shè)置為建議值表的1/10,并使用大接地面PCB板,以改善PCB噪聲和提高長期可靠性。同時,C3、R1、R2應(yīng)盡可能靠近芯片。其他PCB布線注意事項還有:

1. 輸入/ 輸出電容和電感應(yīng)盡可能靠近IC電路。

2. 確保所有的反饋連接短而直。反饋電阻和補(bǔ)償元件應(yīng)盡可能靠近FB引腳,但不應(yīng)靠近SW節(jié)點(diǎn),以避免噪聲干擾。

3. L1 應(yīng)放置在盡可能靠近IC的地方,以減小來自切換節(jié)點(diǎn)的噪聲。

4. 主電流通道采用短而寬的走線,以減少寄生電感和電阻。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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