一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SVT20240NTN溝道增強(qiáng)型MOS管的特征及參數(shù)

h1654155149.2390 ? 來源:驪微芯朋代理 ? 作者:h1654155149.2390 ? 2022-06-29 17:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOSFET作為功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域,長期以來一直被國外廠商占據(jù)著大部分市場份額,受益于龐大的終端消費(fèi)需求,國內(nèi)終端廠商推進(jìn)進(jìn)口替代,驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強(qiáng)型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應(yīng)管。

IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT參數(shù)

irfb4227場效應(yīng)管替代料SVT20240NT特征

■72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V

■開關(guān)速度快

■低柵極電荷

■低反向傳輸電容

■提升了dv/dt能力

IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT參數(shù)

200v低壓mos管SVT20240NT采用士蘭微LVMOS工藝,具有優(yōu)越的開關(guān)性能、很高的雪崩擊穿耐量及較低的導(dǎo)通電阻,SVT20240NT極性、封裝、導(dǎo)通電阻及耐壓和IRFB4227PBFTO-220基本一致,IRFB4227國產(chǎn)替代料可用SVT20240NT代換。

irfb4227代替型號SVT20240NT關(guān)鍵參數(shù)

IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT參數(shù)

SVT20240NT是72A、200VN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管,采用TO-220-3L封裝,漏極電壓VDS=200V,漏極電流Tc=25℃ID=72A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V,是IRFB4227國產(chǎn)替代料,廣泛應(yīng)用于功放市場、UPS電源通信電源等不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理,更多進(jìn)口替代料產(chǎn)品手冊及參數(shù),請向士蘭微MOS代理驪微電子申請。

審核編輯:符乾江

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場效應(yīng)管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    47

    文章

    1185

    瀏覽量

    66292
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    109

    文章

    2623

    瀏覽量

    70569
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    增強(qiáng)型和耗盡MOS的應(yīng)用特性和選型方案

    、可靠性強(qiáng)的增強(qiáng)型NMOS,可應(yīng)用在電源管理、電機(jī)控制等應(yīng)用。選擇高效MOS,幫助電子工程師設(shè)計(jì)更穩(wěn)定高效的電路。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:38 ?248次閱讀
    <b class='flag-5'>增強(qiáng)型</b>和耗盡<b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的應(yīng)用特性和選型方案

    LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-25 18:04 ?0次下載

    LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-07 11:33 ?1次下載

    LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-05 17:29 ?0次下載

    LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-04 18:05 ?0次下載

    LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-04 18:02 ?0次下載

    LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-04 16:32 ?0次下載

    P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)

    P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱P-MOSFET)是一種基于
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:08 ?1670次閱讀

    簡單認(rèn)識P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)

    P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng),簡稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:08 ?2902次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件,具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和一定的局限性。以下是
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:06 ?1723次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)作為半導(dǎo)體器件的重要組成部分,其工作電極及其工作原理在電子技術(shù)領(lǐng)域具有廣
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:48 ?4170次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)是什么

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET(N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作為一種重要
    的頭像 發(fā)表于 08-23 14:02 ?1558次閱讀

    增強(qiáng)型MOS的結(jié)構(gòu)解析

    增強(qiáng)型MOS(Enhancement MOSFET)是一種重要的場效應(yīng)晶體,具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:51 ?2796次閱讀

    mos怎么區(qū)分增強(qiáng)型和耗盡

    MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強(qiáng)型(Enhancement Mode)和耗盡(Depletion
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:35 ?3981次閱讀

    mos增強(qiáng)型與耗盡的區(qū)別是什么

    MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強(qiáng)型和耗盡
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:32 ?6475次閱讀