摘要

近兩年的壓電應(yīng)用越來(lái)越廣（消費(fèi)電子和健康醫(yī)療應(yīng)用），被動(dòng)器件壓電片得以優(yōu)化和提升，所以壓電驅(qū)動(dòng)IC的需求也越來(lái)越多。這篇文章主要基于DRV2667EVM（集成RAM，支持I2C、PWM/analog 輸入）來(lái)指導(dǎo)如何快速方便協(xié)助客戶開展相關(guān)評(píng)估和驗(yàn)證。

1. DRV2667EVM 測(cè)試臺(tái)搭建

Figure 1. DRV2667EVM 連接圖

1.1 I2C通信連接（工具：USB2ANY）

Figure 2. USB2ANY

將 DRV2667 連接到計(jì)算機(jī)需要 USB2ANY。即將 USB2ANY 的SDA、SCL 和 GND連接到DVR2667EVM上對(duì)應(yīng)的3個(gè)引腳上。USB2ANY 連接到 DRV2667EVM 和PC計(jì)算機(jī)，用戶必須按HCC 界面 “Connect”開始，再通過(guò) GUI 控制他們的設(shè)備。

對(duì)于GUI HCC（Haptic Control Console）軟件調(diào)試， USB2ANY默認(rèn)的code是不能連接HCC的，如果之前沒(méi)有更新Firmware，需要根據(jù)如下鏈接的6.1節(jié)指導(dǎo)來(lái)更新Firmware：https://www.ti.com/lit/ug/slou502a/slou502a.pdf

1.2 EVM配置

1.2.2 BOOST電壓配置

對(duì)應(yīng)容性負(fù)載應(yīng)用（如Piezo），如果需要比較高的BOOST輸出電壓，可以把EVM的對(duì)應(yīng)BOOST電壓配置上去，避免出現(xiàn)削波和嘯叫問(wèn)題。如下是對(duì)應(yīng)增益和模擬電壓輸出關(guān)系:

8 dB, 50 Vpp

8 dB, 100 Vpp

4 dB, 150 Vpp

7 dB, 200 Vpp

以200Vpp輸出為例，具體EVM操作如下：

1)長(zhǎng)按(+) 按鍵，直到所有LEDs 閃爍

2)重復(fù)第一步

3)不斷按壓 (+) ，直到M0, M1, M2三個(gè)LEDs燈常亮，注意此處不是長(zhǎng)按

4) 按壓 B4 （這里需要注意的是，B4將電壓提高以后會(huì)導(dǎo)致板子靜態(tài)電容noise變大，可以通過(guò)寄存器配置，讓器件在靜態(tài)下進(jìn)入standby模式即可降低噪聲）

此時(shí)，EVM的處于最大BOOST輸出電壓為105V 和40 dB 增益狀態(tài)，可以再通過(guò)調(diào)節(jié)增益來(lái)控制輸出的Vpp 大小.

Figure 3. 淺藍(lán)色為BOOST電壓（105V）,紅色為Vpp, (約8nF電容負(fù)載)

1.3 HCC配置

DRV2667共有3個(gè)工作模式可供選擇：內(nèi)部觸發(fā)（Internal Trigger）、外部模擬（External Analog Input）和 FIFO Playback。在外部模擬模式下，波形必須輸入到設(shè)備，EVM可以通過(guò)3.5mm音頻線從外部設(shè)配提供信號(hào)輸入（如Figure 1.）。

Figure 4. DRV2667的Front-End Interface

在 FIFO playback模式下，用戶可以通過(guò)調(diào)整設(shè)置來(lái)控制設(shè)備，相對(duì)簡(jiǎn)單。 為了操作內(nèi)部觸發(fā) RAM 模式，用戶必須使用 RAM 管理器上傳波形，這里介紹一下internal trigger的操作方式：

1）如下Figure 5，在Console界面選擇“Internal Trigger” ;然后再在工具欄Tools 里選擇“RAM Manager”=>“Advanced” =>“WaveSynthesizer”

Figure 5. DRV2667EVM 連接圖

2）Waveform波形編輯和RAM 存儲(chǔ)

如Figure 6的“1”~“7”，我們可以編輯對(duì)應(yīng)所需要的波形和振動(dòng)時(shí)間（頻率、幅值、單次振動(dòng)時(shí)長(zhǎng)、重復(fù)振動(dòng)次數(shù)）。

Figure 6. RAM波形制作

審核編輯：湯梓紅