臺積電在2022年北美技術(shù)論壇上，表示3納米預計于今年下半年量產(chǎn)，并將搭配TSMC FINFLEX架構(gòu)。其中，TSMC FINFLEX架構(gòu)提供多樣化的標準組件選擇，包括3-2鰭結(jié)構(gòu)支持超高效能、2-1鰭結(jié)構(gòu)支持最佳功耗效率與晶體管密度、2-2鰭結(jié)構(gòu)則是支持平衡兩者的高效效能，能協(xié)助客戶完成符合其需求的系統(tǒng)單芯片設計，各功能區(qū)塊采用最優(yōu)化的鰭結(jié)構(gòu)，支持所需的效能、功耗與面積，同時整合至相同的芯片上。

同時，臺積電還正式發(fā)表2納米工藝將采用納米片晶體管架構(gòu)，全面提升效能及功耗效率。

據(jù)臺積電分享的數(shù)據(jù)，2納米采用納米片晶體管架構(gòu)，在相同功耗下指令周期增加10到15%；若相同速度下，功耗亦可降低25到30%；預計2025年開始量產(chǎn)。臺積電宣稱，這將使效能及功耗效率提升一個時代，通過協(xié)助客戶實現(xiàn)下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新，除了移動運算的基本版本，2納米技術(shù)平臺也會涵蓋高效能版本及完備的小芯片整合解決方案。

當工藝縮小，空間越來越小，鰭的數(shù)量也會隨之減少，持續(xù)提升驅(qū)動電流會更困難；而納米片架構(gòu)，就是其中一個被提出討論的解方。納米片架構(gòu)將垂直的鰭轉(zhuǎn)為水平，透過垂直堆棧納米片，實現(xiàn)更大的有效導電通道寬度；再者，柵極360度接觸信道的結(jié)構(gòu)，讓導電信道被高介電系數(shù)的金屬柵極圍繞，可實現(xiàn)更佳的柵極信道控制，并縮短信道長度。

本文整合自：電子工程專輯、巨亨網(wǎng)

責任編輯：符乾江