三星2nm芯片最新消息
根據(jù)外媒的消息報道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應用于3 納米工藝，并且計劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺積電。
據(jù)了解，GAA 是下一代工藝技術(shù)，GAA 結(jié)構(gòu)可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流，相對于其5納米芯片，初代3納米芯片可減少45%的能耗，提升23%的性能并減少16%的面積，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù)，大幅提升了效能。
目前，三星電子公司已經(jīng)成為全球首家量產(chǎn)3納米芯片的半導體晶圓代工廠，3納米全環(huán)繞柵極制程工藝節(jié)點已經(jīng)開始量產(chǎn)首批芯片，這也意味著從現(xiàn)在到2025年這三年時間三星將獨享此種技術(shù)工藝，力爭在先進芯片制造領域趕超臺積電。
本文綜合整理自中關村在線 IT之家 比特網(wǎng)
審核編輯：彭靜
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