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      NP60P02G 20V p通道增強模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-07 16:03 ? 次閱讀
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      描述

      NP60P02G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      提供卓越的RDS(ON)

      一般特征

      較低的門

      電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。

      ?VDS = -20v id

      R

      = -60

      DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS

      R

      = -4.5 v

      DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS

      ?為超低R設(shè)計的高密度電池

      = -2.5 v

      ?充分描述雪崩電壓和電流

      DS(上)

      ?穩(wěn)定性好，均勻性好，E值高

      ?優(yōu)秀的包裝，良好的散熱

      作為

      應(yīng)用程序

      ?負(fù)荷開關(guān)

      包

      ?- 252 - 2 - l

      poYBAGLGksSAafN2AADNozdJc_Q645.png

      訂購信息

      poYBAGLGkt-AF7DIAAA0asWrTc0552.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      poYBAGLGkveAIdrfAADEoh5A8gI608.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      poYBAGLGkxCAeICTAAJs_mVKN4k247.png

      注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。

      2:設(shè)計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗。
      熱特性

      poYBAGLGkzKAddedAABFpybGoHk141.png


      審核編輯 黃昊宇

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