電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為芯片制造過程中的核心設(shè)備,光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵,但目前EUV
發(fā)表于 10-17 00:13
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電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步,對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機(jī)的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān),電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長,而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
【2025年光刻機(jī)市場的規(guī)模預(yù)計(jì)為252億美元】 光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造過程中價(jià)值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一,其在半導(dǎo)體制造中的重要性不言而喻。 目前,全球市場對光刻機(jī)的需求持續(xù)增長,尤其是在先
發(fā)表于 04-07 09:24
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? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來看,沒有EUV光刻,業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)
發(fā)表于 02-18 09:31
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在芯片制造的復(fù)雜流程中,光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。簡單來說,它就像建造摩天大樓
發(fā)表于 02-17 14:09
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光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
發(fā)表于 02-06 09:38
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本文介紹了如何提高光刻機(jī)的NA值。 為什么光刻機(jī)希望有更好的NA值?怎樣提高? ? 什么是NA值? ? 如上圖是某型號的光刻機(jī)配置,每代光刻機(jī)的NA值會比上一代更大一些。NA,又名
發(fā)表于 01-20 09:44
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本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
發(fā)表于 01-16 09:29
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納米級別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟,負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源,但隨著技術(shù)的進(jìn)步,目前多采用深紫外(DUV)或極紫外(
發(fā)表于 01-07 10:02
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據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報(bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個階段進(jìn)行安裝,設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
發(fā)表于 12-20 13:48
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? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造:光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個多世紀(jì),摩爾定律一直推動著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長卡在193nm,芯片制程縮小至6
發(fā)表于 11-24 11:04
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? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位,并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī):芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機(jī)在芯片制造中占據(jù)著至關(guān)重要的地位,被譽(yù)為芯片制
發(fā)表于 11-24 09:16
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,光刻機(jī)作為IC制造裝備中最核心、技術(shù)難度最大的設(shè)備,其重要性日益凸顯。本文將從光刻機(jī)的發(fā)展歷程、結(jié)構(gòu)組成、關(guān)鍵性能參數(shù)以及雙工件臺技術(shù)展開介紹。 一、光刻機(jī)發(fā)展歷程 光刻機(jī)的發(fā)展歷程
發(fā)表于 11-22 09:09
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1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機(jī)設(shè)備,這標(biāo)
發(fā)表于 10-31 10:56
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近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的
發(fā)表于 08-03 12:45
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