STM32F3xx系列是高集成和易于開發(fā)的32位MCU，整合了帶有DSP與FPU指令、工作頻率為72MHz的32位ARM Cortex-M4內(nèi)核、高級模擬外設(shè)以及嵌入式Flash和SRAM存儲器。由于實時功能、數(shù)字信號處理、低功耗與低電壓操作特性，STM32F3xx能有效處理三相電機控制器、生化和工業(yè)傳感器以及音頻濾波器等電路的混合信號，可廣泛用于消費、醫(yī)療、便攜式健身、系統(tǒng)監(jiān)控與測量的實際應(yīng)用。

時鐘方面，STM32F3xx使用兩個時鐘源：LSE采用的X1是一個32.768kHz晶振，用于嵌入式RTC；HSE采用的X2為8MHz晶振，用于STM32F3xx MCU運行。每個時鐘源在未使用時，都可單獨打開或者關(guān)閉，以降低功耗。

1. HSE時鐘

高速外部時鐘信號（HSE）OSC時鐘有2個時鐘源：HSE外部晶振 / 陶瓷諧振器，HSE用戶外部時鐘。

PCB布線時，諧振器和負(fù)載電容必須盡可能地靠近振蕩器的引腳，以盡量減小輸出失真和起振穩(wěn)定時間。負(fù)載電容值必須根據(jù)所選振蕩器的不同做適當(dāng)調(diào)整。

（1）外部晶振/陶瓷諧振器（HSE晶振）

4-32MHz外部振蕩器的優(yōu)點是精度非常高。時鐘控制寄存器中的HSERDY標(biāo)志（RCC_CR）指示了HSE振蕩器是否穩(wěn)定。在啟動時，硬件將此位置1后，此時鐘才可以使用。如在時鐘中斷寄存器（RCC_CIR）中使能中斷，則可產(chǎn)生中斷。

HSE晶振可通過時鐘控制寄存器（RCC_CR）中的HSEON位打開或關(guān)閉。

（2）外部源（HSE旁路）

在此模式下，必須提供外部時鐘源，最高頻率不超過32MHz。此模式通過將時鐘控制寄存器（RCC_CR）中的HSEBYP和HSEON位置1進行選擇。必須使用占空比為40-60%的外部時鐘信號（方波、正弦波或三角波）來驅(qū)動OSC_IN引腳，具體取決于頻率，同時OSC_OUT引腳可用作GPIO。

2. LSE時鐘

LSE晶振是32.768kHz低速外部晶振或陶瓷諧振器，可作為實時時鐘（RTC）的時鐘源來提供時鐘 / 日歷或其它定時功能，具有功耗低且精度高的優(yōu)點。

LSE晶振通過備份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的LSEON位打開和關(guān)閉。使用備份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的LSEDRV[1:0]位，可在運行時更改晶振驅(qū)動強度，以實現(xiàn)穩(wěn)健性、短啟動時間和低功耗之間的最佳平衡。

備份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的LSERDY標(biāo)志指示了LSE晶振是否穩(wěn)定。在啟動時，硬件將此位置1后，LSE晶振輸出時鐘信號才可以使用。如在時鐘中斷寄存器（RCC_CIR）中使能中斷，則可產(chǎn)生中斷。

在此模式下，必須提供外部時鐘源，最高頻率不超過1MHz。此模式通過將備份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的LSEBYP和LSEON位置1進行選擇。必須使用占空比約為50%的外部時鐘信號（方波、正弦波或三角波）來驅(qū)動OSC32_IN引腳，同時OSC32_OUT引腳可用作GPIO。

3. HSI時鐘

HSI時鐘信號由內(nèi)部8MHz RC振蕩器生成，可直接用作系統(tǒng)時鐘（SYSCLK），或者用作PLL輸入。HSI RC振蕩器的優(yōu)點是成本較低（無需使用外部元件）。此外，其啟動速度也要比HSE晶振塊，但即使校準(zhǔn)后，其頻率精度也不及外部晶振或陶瓷諧振器。

因為生產(chǎn)工藝不同，不同芯片的RC振蕩器頻率也不同，ST對每個器件進行出廠校準(zhǔn)，達到TA= 25 ℃時1%的精度。此外，可將HSI時鐘接至MCO復(fù)用器。時鐘可連接至F30x中定時器16的輸入及F37x中定時器14的輸入，以允許用戶校準(zhǔn)振蕩器。

4. LSI時鐘

低速內(nèi)部RC時鐘（LSI RC）頻率約為40kHz（30kHz到60kHz之間）。LSI時鐘可作為低功耗時鐘源在停機和待機模式下保持運行，用于驅(qū)動獨立看門狗（IWDG）和RTC，也可選擇提供給RTC用于停機 / 待機模式下的自動喚醒。

5. 外圍元器件參考

根據(jù)意法半導(dǎo)體提供的STM32F303VCT/358VCT6、STM32F373VCT6/378VCT6外圍元器件參考數(shù)據(jù)，前三項為必備項，其他為備選元器件。

BOM表中，32kHz石英晶振用于LSE，頻點為32.768kHz，兩個匹配電容選擇10pF的MLCC電容器，無需匹配電阻。8MHz石英晶振用于HSE，兩個匹配電容C14、C15選擇20pF的MLCC電容器，匹配電阻R4選擇390Ω，具體應(yīng)以晶振參數(shù)和涉及要求為準(zhǔn)。

審核編輯：湯梓紅