當(dāng)下，DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過(guò)，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。

日前在韓國(guó)水原舉辦的一場(chǎng)研討會(huì)上，三星測(cè)試與系統(tǒng)封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能的增長(zhǎng)，封裝技術(shù)必須不斷進(jìn)步。

會(huì)上，他明確，在DDR6內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝（Modified semi-additive process）。

資料顯示，MSAP起初應(yīng)用于IC載板高精密線路制作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，再通過(guò)圖形電鍍加成形成線路，最后去除干膜和底銅完成高精密布線，以實(shí)現(xiàn)提升PCB的高頻高速性能。

和當(dāng)前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。

Ko指出，DDR6的存儲(chǔ)容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數(shù)，對(duì)封裝技術(shù)來(lái)說(shuō)既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。

另外，Ko也坦言，友商（SK海力士）已經(jīng)先于自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術(shù)了。

事實(shí)上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術(shù)開(kāi)發(fā)上的確出現(xiàn)落后，拋開(kāi)上文的MSAP，1a DRAM芯片量產(chǎn)進(jìn)度也不及SK海力士和美光。

事實(shí)上，這不是三星第一次提到DDR6內(nèi)存，實(shí)際上去年底三星就公布了DDR6內(nèi)存的路線圖，相比DDR5內(nèi)存來(lái)說(shuō)會(huì)進(jìn)一步提升內(nèi)存頻率、容量。

具體來(lái)說(shuō)，三星之前提到DDR6會(huì)比DDR5頻率再次翻倍，達(dá)到了12.8GHz（或者12.8Gbps），超頻頻率則可以達(dá)到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。

不過(guò)這顯然不是極限，實(shí)際上現(xiàn)在的DDR5內(nèi)存頻率已經(jīng)沖到了12.6GHz，DDR6未來(lái)的頻率上限超過(guò)20GHz也不是沒(méi)可能。

除了頻率之外，DDR6的內(nèi)存容量也有大漲，每個(gè)內(nèi)存條內(nèi)的通道數(shù)翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會(huì)數(shù)倍提升DDR6的內(nèi)存容量，考慮到現(xiàn)在都可以制造出單條256GB的內(nèi)存，未來(lái)單條1TB的DDR6內(nèi)存不是夢(mèng)。

按照三星的計(jì)劃，DDR6預(yù)計(jì)會(huì)在2024年完成設(shè)計(jì)，不過(guò)2025年之前是不可能見(jiàn)到產(chǎn)品的，未來(lái)普及的話可能更遠(yuǎn)，畢竟DDR5現(xiàn)在也就是剛剛商用階段。