我們都知道電容電壓不能突變，電感電流不能突變，理論依據(jù)是什么呢？

以RC一階低通濾波器舉例。

Vin通過(guò)R1電阻對(duì)電容C1進(jìn)行充電，Vin的電勢(shì)加在電容C的兩個(gè)金屬極板上，正負(fù)電荷在電勢(shì)差作用下分別向電容的兩個(gè)極板聚集而形成電場(chǎng)，這是對(duì)電容的充電過(guò)程。

對(duì)電容進(jìn)行充電

衡量電容充電的電荷數(shù)是Q，Q=CV，C是常量，所以電荷數(shù)和電壓呈正比。

從公式可以看出：電容上的電流和電壓的變化量是呈正比的，或者說(shuō)電容上電壓的變化量和電流是呈正比的。

假設(shè)電容的電壓能夠突變，即需要無(wú)窮大的電流，實(shí)際中并不存在無(wú)窮大的電流，即電壓電壓不能突變。

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電感線圈各匝交鏈的磁通的總和稱為磁鏈Ψ，衡量電感線圈充磁的多少。

磁鏈與電流成正比，電流越大，電感線圈被充磁鏈就越多，即Ψ=L*I，對(duì)指定電感線圈，L是常量。

從公式可以看出：電感電壓和電流的變化率是成正比的，或者說(shuō)電流的變化率和電感電壓是成正比的。

假設(shè)電感的電流能突變，即需要無(wú)窮大的電壓，在實(shí)際中也是不存在的，即電感電流不能突變。


審核編輯：劉清