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探秘半導(dǎo)體制造中單片式清洗設(shè)備

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-08-15 17:01 ? 次閱讀
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隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求,單片式設(shè)備可以利用很少的藥液達(dá)到槽式工藝不能達(dá)到的水準(zhǔn),因此單片式刻蝕、清洗設(shè)備開始在半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮越來越大的作用。

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在全自動(dòng)單片清洗設(shè)備中,由于大而薄的硅片對(duì)夾緊力較為敏感,再加上硅片的翹曲率不同,因此對(duì)于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。華林科納研發(fā)的全自動(dòng)單片式清洗設(shè)備采用伯努利非接觸式抓取,不接觸wafer,做到有效的傳送,確保不破片。

什么是“伯努利原理”?

丹尼爾·伯努利,是瑞士物理學(xué)家、數(shù)學(xué)家、醫(yī)學(xué)家,他是伯努利這個(gè)數(shù)學(xué)家族中最杰出的代表。伯努利成功的領(lǐng)域很廣,除流體動(dòng)力學(xué)這一主要領(lǐng)域外,還有天文測(cè)量、引力、行星的不規(guī)則軌道、磁學(xué)、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出:“在水流或氣流里,如果速度小,壓強(qiáng)就大;如果速度大,壓強(qiáng)就小”。我們稱之為“伯努利原理”。

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小時(shí)候的課堂上,做過這樣的小實(shí)驗(yàn)。我們拿著兩張紙,往兩張紙中間吹氣,會(huì)發(fā)現(xiàn)紙不但不會(huì)向外飄去,反而會(huì)被一種力擠壓在了一起。因?yàn)閮蓮埣堉虚g的空氣被我們吹得流動(dòng)的速度快,壓力就小,而兩張紙外面的空氣沒有流動(dòng),壓力就大,所以外面力量大的空氣就把兩張紙“壓”在了一起。這就是“伯努利原理”原理的簡單示范。

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Chuck的設(shè)計(jì):伯努利非接觸式抓取

在單片式清洗設(shè)備里,雖然使用的是伯努利吸盤,但其卻是利用吹真空并非吸真空來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)壓縮空氣(CDA)進(jìn)入工件吹向硅片,由圓盤中心沿徑向迅速擴(kuò)散從而使得硅片上部的氣流遠(yuǎn)高于其下部,硅片同時(shí)被吸住。根據(jù)伯努利推論即流速增加,壓強(qiáng)降低,此時(shí)硅片底部氣壓大于其上部的氣壓,因而吸盤無需擠壓到硅片便可進(jìn)行吸附,達(dá)到抓取的目的。壓縮氣體是通過工件與吸盤之間留有的間隙排出,即使硅片表面存在凸起的柵線也不能擺脫被吸附,若使用真空吸盤則無法做到這一點(diǎn)(柵線處易漏氣)。

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總結(jié)下單片式清洗設(shè)備使用伯努利抓取的優(yōu)點(diǎn):

1、無接觸式抓取,不會(huì)對(duì)wafer造成損傷

2、接觸面積大受力均勻,降低碎片率

3、薄型wafer抓取=100μm——700μm

4、背面也可做清洗,達(dá)到雙面清洗效果(雙面蝕刻機(jī)構(gòu)開發(fā)中)

5、精簡化的設(shè)計(jì),有效減低成本與人工維修的當(dāng)機(jī)率

6、使用壽命長

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