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NEC微控制器的片上EMC措施——片上電容

嵌入式應(yīng)用開發(fā) ? 來(lái)源:嵌入式應(yīng)用開發(fā) ? 作者:嵌入式應(yīng)用開發(fā) ? 2022-08-16 09:12 ? 次閱讀
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多年來(lái),NEC CMOS 微控制器集成了各種 EMC 技術(shù),雖然片上電容和倍頻時(shí)鐘發(fā)生器是有效的,但對(duì)PCB 的設(shè)計(jì)方面卻沒有任何措施,這里是首次闡述。進(jìn)一步講,應(yīng)用筆記僅著重于 PCB 設(shè)計(jì)技術(shù),只有少數(shù) NEC EMC 的片上措施在這里列出,但這些都是有效 EMC 措施,并且都應(yīng)該在選擇階段考慮的。

EME 優(yōu)化退耦目標(biāo)是通過一個(gè)或更多的去耦電容提供一個(gè)最高所需高頻電流。高頻電流存放在片上的開關(guān)電路中環(huán)路越多和電容越低對(duì)其它供電電路影響較大。為優(yōu)化連接線路的阻抗,通常電容盡可能接近微控制器的供電引腳。 為減少電流環(huán)路輻射,應(yīng)當(dāng)減少環(huán)路面積。僅用 PCB 設(shè)計(jì)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)最大程度的改善。因此,我們的一貫對(duì)策是將部分去耦電容放到芯片內(nèi)部從而減少連接阻抗,并且適當(dāng)?shù)目紤]電流回路面積,這些片上電容太小以至不能提供整個(gè)芯片去耦,所以 PCB 上的電容仍是必要的,然而,對(duì)于較高的頻率范圍,它們可以很好地減少輻射。

測(cè)量結(jié)果如圖 4-1,對(duì)"同一"微控制器有無(wú)片上電容的結(jié)果作一下對(duì)比。紅色曲線呈現(xiàn)無(wú)電容情況下的輻射效果,而藍(lán)色曲線是帶有片上電容情況下的輻射效果,有電容時(shí),在很寬的頻率范圍內(nèi)改善了約 15dB,不僅沒有增加芯片尺寸,而且也沒有增加額外的費(fèi)用。

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審核編輯:湯梓紅

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