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一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件

鴻之微 ? 來(lái)源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-08-16 10:27 ? 次閱讀
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Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)程,是目前國(guó)內(nèi)唯一一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件??深A(yù)測(cè)材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。

迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal自旋器件1.1的內(nèi)容。

1. 自旋器件

1.1. 自旋極化原子鏈的透射譜

碳不具有天然磁性,但當(dāng)鏈中的原子間距足夠大且不過(guò)大時(shí),電子基態(tài)實(shí)際上是自旋極化的。該系統(tǒng)當(dāng)然是高度人為的,而且這種選擇也只是出于說(shuō)明方法的目的。本教程的模型結(jié)構(gòu)如下:

bbc18be0-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

1.1.1. Device Studio建立一維碳鏈模型

(1)雙擊圖標(biāo)DeviceStudio快捷方式”打開軟件;

(2)選擇Create a new ProjectOK文件名:C atomic chain,保存類型:ProjectFiles(*.hpf)→保存即可;

(3)點(diǎn)擊Build→Crystal,構(gòu)建晶格并添加C原子,其中a=b=12 ?.c=2.9 ?α=β=γ=90°,C原子位于晶格中心,點(diǎn)擊PreviewBuild,如圖:

bbdd7fda-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

構(gòu)建單個(gè)C原子晶胞圖形界面

Tip: 沿A和B方向采用周期性邊界條件,因此我們使用較大的a = 12?晶胞矢量來(lái)最大程度地減少沿著A和B的鏈重復(fù)圖像之間的靜電相互作用。

(4)點(diǎn)擊BuildRedefine Crystal,在c方向上擴(kuò)胞18倍,PreviewBuild

bc0223bc-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

擴(kuò)胞的圖形界面

(5)點(diǎn)擊按鈕Convert to Device,設(shè)置左右電極的長(zhǎng)度為-77,點(diǎn)擊PreviewBuild,得到1D碳原子鏈器件模型,如圖:

bc2269d8-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

晶體轉(zhuǎn)換為器件的圖形界面

(6)點(diǎn)擊SimulatorNanodcalSCF CalculationGeneratefile,設(shè)置參數(shù)并生成自洽計(jì)算所需的輸入文件。

1.1.2. 計(jì)算自旋平行透射譜

現(xiàn)在,利用Nanodcal對(duì)自旋平行態(tài)下的器件進(jìn)行NEGF-DFT計(jì)算,并為該自旋構(gòu)型計(jì)算電子透射譜。本節(jié)將以碳-碳-碳(C-C-C)體系為例, 講 Two-probe 體系電子自洽計(jì)算,分為以下三個(gè)步驟:(1)電極的自洽計(jì)算;(2)中心區(qū)的自洽計(jì);(3)電子透射譜的計(jì)算。

Notes: 碳-碳-碳體系采用完全相同的左、右電極,故只需對(duì)其中一個(gè)電極進(jìn)行自洽計(jì)算。

1.1.2.1. 電極自洽計(jì)算

(1) 準(zhǔn)備輸入文件 結(jié)構(gòu)文件、參數(shù)文件:scf.input;基組文件:C_LDA_DZP?.nad

%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 100calculation.realspacegrids.E_cutoff = 80 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = LDA_PZ81calculation.k_spacegrids.number = [ 1 1 100 ]'system.centralCellVectors = [[12 0 0]' [0 12 0]' [0 0 7]']system.spinType = CollinearSpin%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName={'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04,[],[],[],[],[]}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulaycalculation.SCF.mixRate = 0.1calculation.SCF.mixingMode = Hcalculation.SCF.startingMode = H%calculation.SCF.donatorObject = NanodcalObject.mat%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 3AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationC       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      7.25000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      4.35000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      1.45000000      0.5end

(2)自洽計(jì)算 在Device Studio的Project窗口中,右擊scf.input,RunRun即開始自洽計(jì)算

1.1.2.2. 中心區(qū)自洽計(jì)算

(1)準(zhǔn)備輸入文件:結(jié)構(gòu)文件、參數(shù)文件scf.input;基組文件C_LDA_DZP?.nad

%%What quantities should be calculatedcalculation.name = scf%Basic settingcalculation.occupationFunction.temperature = 100calculation.realspacegrids.E_cutoff = 80 Hartreecalculation.xcFunctional.Type = LDA_PZ81calculation.k_spacegrids.number = [ 1 1 1 ]'%Description of electrodesystem.numberOfLeads = 2system.typeOfLead1 = leftsystem.voltageOfLead1 = 0system.objectOfLead1 = ../LeftElectrode/NanodcalObject.matsystem.spinDirectionOfLead1 = [0 0 1]system.typeOfLead2 = rightsystem.voltageOfLead2 = 0system.spinDirectionOfLead2 = [0 0 1]system.objectOfLead2 = ../RightElectrode/NanodcalObject.mat%Contour integral%calculation.complexEcontour.lowestEnergyPoint = 1.5 Hartreecalculation.complexEcontour.numberOfPoints = 40calculation.realEcontour.interval = 0.0272114calculation.realEcontour.eta = 0.0272114system.centralCellVectors = [[12 0 0]' [0 12 0]' [0 0 34.8]']system.spinType = CollinearSpin%Iteration controlcalculation.SCF.monitoredVariableName={'rhoMatrix','hMatrix','totalEnergy','bandEnergy','gridCharge','orbitalCharge','spinPolar'}calculation.SCF.convergenceCriteria = {1e-04,1e-04,[],[],[],[],[]}calculation.SCF.maximumSteps = 200calculation.SCF.mixMethod = Pulaycalculation.SCF.mixRate = 0.05calculation.SCF.mixingMode = Hcalculation.SCF.startingMode = H%calculation.SCF.donatorObject = NanodcalObject.mat%Basic setsystem.neutralAtomDataDirectory = '../'system.atomBlock = 12AtomType OrbitalType X Y Z SpinPolarizationC       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      33.35000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      24.65000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      15.95000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      7.25000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      30.45000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      21.75000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      13.05000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      4.35000000      0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      27.55000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      185000000       0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      10.15000000     0.5C       LDA-DZP 6.00000000      6.00000000      1.45000000      0.5end

(2)自洽計(jì)算

在Device Studio的Project窗口中,右擊scf.input,RunRun即開始自洽計(jì)算會(huì)產(chǎn)生以下輸出文件:log.txtNanodcalObject.mat、TotalEnergy.matTemporarydata

自洽收斂后,我們就可以計(jì)算體系的各種物理性質(zhì)。

小貼士:做電極自洽時(shí),周期方向K點(diǎn)取多(10左右),輸運(yùn)方向K點(diǎn)取較多,真空方向K點(diǎn)取1;做中心區(qū)自洽時(shí),周期方向K點(diǎn)取多(10左右),輸運(yùn)和真空方向K點(diǎn)取1;做Transmission計(jì)算時(shí),周期方向K點(diǎn)取很多(100以上),輸運(yùn)和真空方向K點(diǎn)取1。

備注一:關(guān)于電極自洽輸運(yùn)方向取多

(1)當(dāng)電極是一維體系時(shí),此處K點(diǎn)建議取到100;

(2)當(dāng)電極是二維和三維材料時(shí),此處K點(diǎn)可取10左右。

初學(xué)者可以根據(jù) Nanodcal 自動(dòng)默認(rèn)的k-spacegrids.number值來(lái)進(jìn)行設(shè)置。做法是先將自洽計(jì)算輸入文件中calculation.k_spacegrids.number一行注釋掉, 再進(jìn)行自洽計(jì)算。計(jì)算結(jié)束后,讀取 Nanodcal 自動(dòng)給出的 k-space grid numbers 即可。

1.1.2.3. 電子透射譜計(jì)算
  • (1)在中心區(qū)自洽計(jì)算的基礎(chǔ)上,準(zhǔn)備輸入文件Transmission.input操作如下:

  • 點(diǎn)擊SimulatorNanodcalAnalysisTransmission→->→Generatefiles

system.object = NanodcalObject.mat
calculation.name = transmission
calculation.transmission.kSpaceGridNumber = [ 1 1 1 ]'
calculation.transmission.energyPoints = -66     表示能量點(diǎn)的選取范圍是:-2到2 eV,間隔為 0.01 eV。
calculation.transmission.plot = true
calculation.control.xml = true

(2)在Device Studio的Project窗口中,右擊Transmission.input,RunRun即開始透射譜計(jì)算;

計(jì)算結(jié)束后,會(huì)產(chǎn)生以下輸出文件:Transmission.mat、Transmission.xml、Transmission.fig、CalculatedResults.mat和log.txt。

(3)輸出文件Transmission.xml在Device Studio中可視化分析,如圖:

bc4d2934-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋平行態(tài)下的透射譜

上圖繪制了自旋向上(藍(lán)色)和自旋向下(紅色)的透射譜,并且它們之間存在顯著差異:在費(fèi)米能級(jí)處,自旋向下的透射率為零,自旋向上的透射率是3。

1.1.3. 計(jì)算自旋反平行透射譜

現(xiàn)在,進(jìn)行自旋反平行態(tài)下的計(jì)算,并將透射譜與自旋平行情況進(jìn)行比較。已計(jì)算的自旋平行態(tài)將用作反平行態(tài)計(jì)算的初始猜想。

(1)自旋反平行態(tài)下的電極自洽計(jì)算與自旋平行態(tài)下的所有輸入文件一致;

(2)中心區(qū)自洽輸入文件scf.input與平行態(tài)下的區(qū)別在于以下參數(shù),其他參數(shù)一致

%Description of electrodesystem.numberOfLeads = 2system.typeOfLead1 = leftsystem.voltageOfLead1 = 0system.objectOfLead1 = ../LeftElectrode/NanodcalObject.matsystem.spinDirectionOfLead1 = [0 0 1]      %電極1的自旋方向system.typeOfLead2 = rightsystem.voltageOfLead2 = 0system.spinDirectionOfLead2 = [0 0 -1]      %電極2的自旋方向system.objectOfLead2 = ../RightElectrode/NanodcalObject.mat

(3)在中心區(qū)自洽計(jì)算的基礎(chǔ)上,進(jìn)行透射譜計(jì)算,方法與1.2.3小節(jié)相同。計(jì)算結(jié)束后,輸出文件Transmission.xml在Device Studio中可視化分析,如圖:

bc65e046-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋反平行態(tài)下的透射譜

在這種情況下,正如器件的對(duì)稱性可預(yù)期的那樣,兩個(gè)自旋分量具有相同的透射譜。

(4)最后,處理數(shù)據(jù)得到自旋平行和反平行態(tài)下總的透射譜,如圖:

bc840544-1cf6-11ed-ba43-dac502259ad0.png

自旋平行和反平行態(tài)下總的透射譜

由圖可知,在費(fèi)米能級(jí)附近,自旋平行態(tài)(藍(lán)色)的透射明顯大于反平行態(tài)(紅色)的透射。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal自旋器件(自旋極化原子鏈的透射譜)

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    近日北京市知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了2024年擬認(rèn)定北京市知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)單位名單,中科馭數(shù)憑借在DPU芯片領(lǐng)域積累的知識(shí)產(chǎn)權(quán)成果以及在知識(shí)產(chǎn)權(quán)創(chuàng)造、運(yùn)用、保護(hù)和管理等方面的優(yōu)勢(shì),被認(rèn)定為北京市
    的頭像 發(fā)表于 12-31 10:35 ?547次閱讀

    脈沖全閉環(huán)的EtherCAT運(yùn)動(dòng)控制器程序的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)

    多種加密方式保護(hù)客戶知識(shí)產(chǎn)權(quán)
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:01 ?467次閱讀
    脈沖全閉環(huán)的EtherCAT運(yùn)動(dòng)控制器程序的<b class='flag-5'>知識(shí)產(chǎn)權(quán)</b>保護(hù)

    維智獲上海市首批數(shù)據(jù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)登記證書

    《上海市數(shù)據(jù)產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)登記存證暫行辦法》正式起航,經(jīng)過(guò)多輪高標(biāo)準(zhǔn)實(shí)質(zhì)審查,維智科技成功躋身首批數(shù)據(jù)產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)登記成功企業(yè)之列,獲得國(guó)家數(shù)據(jù)局對(duì)合法數(shù)據(jù)資源進(jìn)行深度加工和創(chuàng)新后形成的智力成果
    的頭像 發(fā)表于 12-28 16:05 ?850次閱讀

    凌科獲授基于ISO56005的《創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理能力》證書

    近日,凌科電氣獲授基于ISO56005的《創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理能力》級(jí)證書。這表明凌科在建立健全創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理體系,構(gòu)建創(chuàng)新與知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理能力方面邁上了
    的頭像 發(fā)表于 11-30 01:03 ?416次閱讀
    凌科獲授基于ISO56005的《創(chuàng)新與<b class='flag-5'>知識(shí)產(chǎn)權(quán)</b>管理能力》證書

    中汽中心再添國(guó)家級(jí)知識(shí)產(chǎn)權(quán)平臺(tái)

    近日,中汽中心成功獲批設(shè)立“海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛應(yīng)對(duì)指導(dǎo)汽車產(chǎn)業(yè)分中心”,這是中汽中心進(jìn)步推進(jìn)和提升海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警和糾紛應(yīng)對(duì)能力的重要舉措,也是中汽中心繼“中國(guó)汽車知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)用促進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:30 ?865次閱讀

    淺談PUF技術(shù)如何保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)

    知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù),PUF技術(shù)擁有天然獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),能夠提供周全完善的防盜版解決方案,在保護(hù)電子產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 接下來(lái),讓我們起看看PUF技術(shù)是如何保護(hù)
    發(fā)表于 07-24 09:43