第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代表共同深入研討，為行業(yè)發(fā)展群策群力。

主題演講

氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

郭世平

中微公司副總裁兼MOCVD

產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理

報(bào)告闡述了氮化鎵材料的性能及其應(yīng)用，介紹了中微公司MOCVD設(shè)備技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程及主要產(chǎn)品的性能，并對(duì)Micro-LED用MOCVD新技術(shù)，12"硅基氮化鎵MOCVD技術(shù)及氮化鎵基紅光LED技術(shù)國內(nèi)外研發(fā)進(jìn)展及未來發(fā)展方向做了分享。

專題討論

中微公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平主持了26日下午的會(huì)議報(bào)告及第一環(huán)節(jié)專題討論。專題討論圍繞生長腔的溫度如何控制、如何實(shí)現(xiàn)高效率和高良率切割、如何實(shí)現(xiàn)高精度拋光、如何做好缺陷檢測(cè)等內(nèi)容展開，眾多知名企業(yè)專家代表共同參與，就行業(yè)熱點(diǎn)話題展開了深入探討。

本次會(huì)議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，與第七屆中國先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)同期(8月25日-27日)舉行，并在博覽會(huì)上特別安排了先進(jìn)半導(dǎo)體材料與裝備展覽，眾多高端裝備材料和先進(jìn)材料相關(guān)企業(yè)參展交流。

第三代半導(dǎo)體在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有特別突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，是支撐下一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和關(guān)鍵電子元器件。

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。

審核編輯：湯梓紅