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DDR5發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力

倩倩 ? 來(lái)源:Rambus 藍(lán)鉑世科技 ? 作者:Rambus 藍(lán)鉑世科技 ? 2022-09-21 09:56 ? 次閱讀
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前言

在各種技術(shù)趨勢(shì)的推動(dòng)下,全球數(shù)據(jù)流量正在以幾乎指數(shù)級(jí)的速度增長(zhǎng)。例如,5G網(wǎng)絡(luò)正在使數(shù)十億由人工智能驅(qū)動(dòng)的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備擺脫有線網(wǎng)絡(luò)的束縛,而人工智能/ML對(duì)巨大數(shù)據(jù)集的貪婪欲望正以每年10倍的速度飛速增長(zhǎng)。用于娛樂和商業(yè)應(yīng)用的數(shù)據(jù)密集型視頻流繼續(xù)加速,隨著游戲和電子競(jìng)技的普及,全球有近10億玩家,對(duì)4K圖形的需求不斷增加。此外,不斷發(fā)展的ADAS系統(tǒng)為復(fù)雜的自動(dòng)駕駛車輛提供動(dòng)力,增加了另一股數(shù)據(jù)洪流。

數(shù)據(jù)中心是最為直接“感受”到這些變化的地方,事實(shí)上,超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心已經(jīng)成為全球數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵樞紐。應(yīng)對(duì)高性能服務(wù)器、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,2020年7月JEDEC正式發(fā)布了DDR5標(biāo)準(zhǔn)。DDR5支持更高容量的DRAM器件,使服務(wù)器和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠在單片封裝中使用密度高達(dá)64Gb的DRAM。與其前身DDR4相比,DDR5有許多顯著改進(jìn),有助于應(yīng)對(duì)更高速度、更低電壓的信號(hào)完整性設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

DDR5發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力

目前,業(yè)界普遍對(duì)DDR5的前景持樂觀態(tài)度。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia分析指出,對(duì)DDR5的市場(chǎng)需求將從2020年開始逐步顯現(xiàn),到2022年,DDR5將占據(jù)整個(gè)DRAM市場(chǎng)份額的10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至43%。

Rambus 內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁 John Eble表示,兩大需求在驅(qū)動(dòng)DDR5的演進(jìn)——容量和帶寬,隨著CPU的核心數(shù)量持續(xù)增加,內(nèi)存容量和帶寬必須成比例地?cái)U(kuò)展,這是推動(dòng)內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最大趨勢(shì)。

他同時(shí)指出了另外四個(gè)驅(qū)動(dòng)因素,主要包括:處理器希望以高速緩存行為單位接收數(shù)據(jù),所以內(nèi)存通道上的內(nèi)存請(qǐng)求的訪問粒度必須保持在64字節(jié);數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)接口的可靠性必須與現(xiàn)有產(chǎn)品相同或更好,這意味著必須支持單錯(cuò)誤校正和雙錯(cuò)誤檢測(cè)(single error correction/double error detection),并有能力在任一DRAM損壞時(shí)保存數(shù)據(jù);擴(kuò)展服務(wù)器性能的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是將熱量從機(jī)箱中排出,并且控制溫度的能力,為此DIMM通常需要保持在約15瓦的功率運(yùn)行;最后,必須控制啟動(dòng)和內(nèi)存訓(xùn)練的時(shí)間,以免影響預(yù)期的啟動(dòng)時(shí)間。

在John Eble看來(lái),數(shù)據(jù)中心、PC與平板電腦、邊緣計(jì)算,被視作DDR5最有希望得到廣泛普及的三大領(lǐng)域。并且,不同于前幾代產(chǎn)品的迭代都是優(yōu)先應(yīng)用于PC,業(yè)界普遍認(rèn)為DDR5將緊隨DDR4的步伐,率先導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,來(lái)應(yīng)對(duì)計(jì)算密集型的工作負(fù)載。

Rambus擴(kuò)大DDR5內(nèi)存接口芯片組合

盡管DDR5有了顯著改進(jìn),但更高的速度、更低的電壓帶來(lái)了一系列新的信號(hào)完整性設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),這也就對(duì)新一代內(nèi)存接口芯片提出了新的需求。

Rambus作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,日前宣布擴(kuò)大其DDR5內(nèi)存接口芯片組合,推出串行檢測(cè)集線器(SPD Hub)和溫度傳感器,為Rambus 寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)提供補(bǔ)充。SPD Hub和溫度傳感器改進(jìn)了DDR5 雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的系統(tǒng)管理和熱控制,在服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦所需的功率范圍內(nèi)能夠提供更高性能。

John Eble強(qiáng)調(diào), Rambus一直專注于接口芯片的信號(hào)完整性,比如有注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器。而最新推出的DDR5系列產(chǎn)品組合的兩款新芯片,是Rambus更廣泛戰(zhàn)略的一部分,將為Rambus成為DDR5模塊信號(hào)完整性和配套芯片最主要的供應(yīng)商提供助力。

其中,SPD Hub是通往DIMM模塊的通信網(wǎng)關(guān),有三大功能:首先,它包含非易失性配置信息,定義了DIMM的關(guān)鍵參數(shù),并允許通過I3C系統(tǒng)管理總線進(jìn)行系統(tǒng)層面的控制;其次,它還包括一個(gè)I3C總線雙向讀數(shù)驅(qū)動(dòng)器;最后,還集成了高精度溫度傳感器。而溫度傳感器則負(fù)責(zé)在DIMM的不同位置提供高精度的溫度信息。

“以上兩款芯片都是對(duì)DDR5 RCD的補(bǔ)充,以提供最先進(jìn)的帶寬和容量。這些芯片對(duì)于增強(qiáng)系統(tǒng)管理和熱控制至關(guān)重要,可以幫助實(shí)現(xiàn)高帶寬和高容量,同時(shí)優(yōu)化總體擁有成本”,John Eble指出,“SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件,可以感知并報(bào)告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。SPD Hub可用于服務(wù)器和客戶端模塊,包括RDIMM、UDIMM和SODIMM,溫度傳感器則專為服務(wù)器RDIMM設(shè)計(jì)?!?/p>

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Rambus 串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器

作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分,SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合,能夠?yàn)镈DR5計(jì)算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。具體產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)如下:

SPD Hub(SPD5118)的主要特性包括:支持I2C和I3C總線串行接口;先進(jìn)的可靠性功能;擴(kuò)展的NVM空間,滿足客戶特定應(yīng)用的需求;為最快的I3C總線速率提供低延遲;集成式溫度傳感器;符合或超過所有JEDEC DDR5 SPD Hub運(yùn)行要求(JESD300-5A)。

溫度傳感器(TS5110)的主要特征包括:精密的熱感應(yīng);支持I2C和I3C總線串行接口;為最快的I3C總線速率提供低延遲;符合或超過所有JEDEC DDR5溫度傳感器的運(yùn)行要求(JESD302-1.01)。

當(dāng)前服務(wù)器背景下,DDR5芯片的變化

當(dāng)前,一種非常典型的服務(wù)器是兩插槽設(shè)計(jì),每個(gè)插口都有一組DIMM和PCIe插槽,可以填充SSD、網(wǎng)卡、加速器等。另外有一個(gè)底板管理控制器,可以通過各種接口與主板的所有組件進(jìn)行通信。最后,還有一系列的風(fēng)扇來(lái)管理散熱和溫度。基于這一背景,DDR5功能可以加強(qiáng)電源傳輸系統(tǒng)的管理和遙測(cè),從而改善整體服務(wù)設(shè)計(jì)和性能。

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首先,系統(tǒng)管理總線在初始化時(shí)被大量使用,以發(fā)現(xiàn)接入的DIMM,并執(zhí)行早期的內(nèi)存通道校準(zhǔn)。在這方面,過去使用的I2C運(yùn)行頻率約為1MHz,而DDR5平臺(tái)采用I3C總線,運(yùn)行頻率可達(dá)10MHz。

DDR5 DIMM架構(gòu)為了支持這種更高的速率,通過引入I3C SPD Hub,將總線隔離到控制器一側(cè)的單個(gè)DIMM,與主機(jī)進(jìn)行通信。在目標(biāo)端點(diǎn),它可以與模塊上其他具有I3C接口的芯片進(jìn)行通信,包括RCD、PMIC和獨(dú)立的熱傳感器。除了減少初始化時(shí)間,總線速度的提高也將支持更高的輪詢率和實(shí)時(shí)控制。該集線器還包括串行存在檢測(cè)集線器,存儲(chǔ)了DIMM的非易失性配置信息,并具備熱傳感器。

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再來(lái)看獨(dú)立溫度傳感器芯片,它們通過I3C接口連接到I3C集線器。這為每個(gè)DIMM提供了三個(gè)空間數(shù)據(jù)點(diǎn),提供了關(guān)于服務(wù)器中溫度情況的大量信息。服務(wù)器/CPU能夠使用該功能管理風(fēng)扇速度/噪聲以及DRAM刷新率來(lái)提高性能或保留時(shí)間,并且可以作為限制帶寬的“最后一招”,可以選擇節(jié)流帶寬,以減少熱量。

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最后,Rambus經(jīng)過擴(kuò)展的DDR5解決方案組合能夠提供高達(dá)5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,并且包括串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器。

DDR5應(yīng)用前景如何?

哪些場(chǎng)景會(huì)看到DDR5應(yīng)用?John Eble表示,由于其高性能和高帶寬的特點(diǎn),適用于許多需要迫切升級(jí)內(nèi)存帶寬的應(yīng)用,特別是服務(wù)器市場(chǎng),將會(huì)是DDR5的早期采用者。可以預(yù)期幾乎所有的服務(wù)器都會(huì)逐漸采用DDR5,接下來(lái)的三個(gè)月到半年時(shí)間,將會(huì)看到更多支持DDR5的服務(wù)器處理器將會(huì)上市。

與此同時(shí),DDR 5內(nèi)存也將被廣泛應(yīng)用于PC市場(chǎng)的消費(fèi)級(jí)臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦。他補(bǔ)充,不過可能因?yàn)镻C市場(chǎng)的更新迭代不像服務(wù)器那么劇烈,并且,新的處理器不僅支持新的內(nèi)存類型,而且還升級(jí)了I/O,添加新的安全和虛擬化功能,往往更復(fù)雜,因此導(dǎo)入速度可能也更慢。

據(jù)John Eble透露,目前在消費(fèi)端,DDR5已經(jīng)被用于一些高端游戲PC,未來(lái)將逐步推廣到幾乎所有PC設(shè)備。英特爾的Alder Lake已經(jīng)開始發(fā)售,AMD也宣稱其DDR5解決方案的處理器約在今年秋季上市,這有望推動(dòng)更多的客戶需求。根據(jù)IDC數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2023年中期或后期,DDR5的出貨量將會(huì)超過DDR4。

談及在中國(guó)市場(chǎng)的應(yīng)用前景和發(fā)展規(guī)劃,Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷表示,中國(guó)市場(chǎng)分布著眾多世界知名的廠商,有服務(wù)器OEM、ODM廠商,還活躍著眾多的內(nèi)存模組廠商,中國(guó)內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)在全球市場(chǎng)扮演著非常重要的一環(huán)。Rambus非常重視中國(guó)市場(chǎng),與本地的云廠商、OEM、ODM、內(nèi)存廠商,都有著密切合作。

他強(qiáng)調(diào),在DDR5的時(shí)代,Rambus看到了不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)機(jī)遇。作為行業(yè)領(lǐng)先的Rambus DDR5 RCD接口芯片的補(bǔ)充,最新推出的兩款芯片產(chǎn)品,使得Rambus不但可以在服務(wù)器內(nèi)存模塊市場(chǎng)拓展了產(chǎn)品組合,也為Rambus在消費(fèi)級(jí)內(nèi)存模塊市場(chǎng)開辟了新的機(jī)遇。Rambus去年發(fā)布了“CXL內(nèi)存互連計(jì)劃”,希望引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)代。未來(lái),Rambus會(huì)在中國(guó)市場(chǎng)同步推出一系列面向數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品和解決方案,致力于與本土合作伙伴實(shí)現(xiàn)合作發(fā)展共贏。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:【媒體報(bào)道】DDR5芯片增長(zhǎng)強(qiáng)勁,數(shù)據(jù)中心成為重要驅(qū)動(dòng)力

文章出處:【微信號(hào):Rambus 藍(lán)鉑世科技,微信公眾號(hào):Rambus 藍(lán)鉑世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    PD協(xié)議芯片作為快充技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)力,正以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景引領(lǐng)著行業(yè)的發(fā)展。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展,PD芯片將繼續(xù)為用戶帶來(lái)更加高效、安全、便捷的充電體驗(yàn)。隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等技術(shù)的不斷
    的頭像 發(fā)表于 08-14 09:35 ?1295次閱讀

    Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

    DDR5 RDIMM測(cè)試系統(tǒng),DDR5內(nèi)存測(cè)試系統(tǒng), DDR5 MR-DIMM測(cè)試系統(tǒng),DDR5 RCD/DB芯片測(cè)試,DDR5芯片測(cè)試,
    發(fā)表于 08-06 12:03

    DDR5 MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將發(fā),存儲(chǔ)廠商方案先行

    MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā),并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計(jì)算、AI應(yīng)用提供動(dòng)力。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)提到,DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(Multiplexed
    的頭像 發(fā)表于 07-31 18:26 ?6142次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b> MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將<b class='flag-5'>發(fā)</b>,存儲(chǔ)廠商方案先行